ГОСТ 20859.1-89
(CT СЭВ 1135-88)

Группа Е65

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ

Общие технические требования

Power semiconductor devices.
General technical requirements

ОКП 34 1700

Срок действия с 01.01.90
до 01.01.95*
_______________________________
* Ограничение срока действия снято
по протоколу N 4-93 Межгосударственного Совета
по стандартизации, метрологии и сертификации
(ИУС N 4, 1994 год). - Примечание "КОДЕКС".

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электротехнической промышленности СССР

2. ИСПОЛНИТЕЛИ

В.П.Белотелов, А.Н.Ильичев (руководители темы); Ю.А.Евсеев, д-р техн. наук; В.Б.Братолюбов, канд. техн. наук; В.В.Сажина

3. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 24.04.89 N 1056

4. Срок проверки 1995 год

5. Стандарт содержит все требования стандарта СЭВ 1135-88

В стандарт дополнительно введены термоциклические испытания, расширен ряд контрольных температур, расширен раздел модификации приборов; введены разделы "Комплектность" и "Гарантии изготовителя"; конкретизирована система обозначений; уточнена и конкретизирована система приемки и испытаний

6. Стандарт полностью соответствует международным стандартам МЭК 747-1-83, МЭК 747-2-83, МЭК 747-6-83, МЭК 147-IJ-81.

7. ВЗАМЕН ГОСТ 20859.1-79

8. Ссылочные нормативно-технические документы

Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы (далее - приборы) и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.

Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:

1) в средах с токопроводящей пылью;

2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;

3) во взрывоопасной среде;

4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений.

Термины, применяемые в настоящем стандарте, и их пояснения - по ГОСТ 15133, ГОСТ 25529, ГОСТ 20332, ГОСТ 20003 и приложению 1.

1. ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ

1.1. Приборы и модули должны изготавливать в соответствии с требованиями настоящего стандарта и технических условий на приборы и модули конкретных типов по конструкторской и технологической документации, утвержденной в установленном порядке.

1.2. Внешний вид приборов и модулей должен соответствовать эталонным образцам, утвержденным в установленном порядке.

1.3. Требования к конструкции

1.3.1. Габаритно-присоединительные размеры приборов и модулей должны соответствовать требованиям ГОСТ 23900, ГОСТ 27591 и технических условий на приборы и модули конкретных типов.

1.3.2. Масса приборов и модулей не должна превышать значений, установленных в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.

1.3.3. Герметичность приборов и модулей должна соответствовать нормам, установленным в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.

1.3.4. Выводы электродов, включая места их присоединения к прибору и модулю, должны быть прочно закреплены и выдерживать без механических повреждений и нарушения электрического контакта механические усилия, установленные в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.

1.3.5. Приборы таблеточной конструкции, предназначенные для эксплуатации со съемными охладителями, должны выдерживать многократную сборку с охладителями и разборку. Сборку приборов с охладителями проводят в соответствии с требованиями по монтажу и эксплуатации приборов, причем значение крутящего момента или усилия сжатия должно соответствовать нормам, установленным в технических условиях на приборы конкретных типов.

1.4. Требования к электрическим параметрам

1.4.1. Номенклатура и значения параметров и характеристик приборов должны соответствовать требованиям нормативно-технической документации на предельно допустимые параметры и характеристики и устанавливаться в технических условиях на приборы конкретных типов.

Номенклатура и значения параметров и характеристик модулей должны выбираться (в зависимости от входящих в модуль силовых полупроводниковых элементов) из нормативно-технических документов на предельно допустимые параметры и характеристики приборов и устанавливаться в технических условиях на модули конкретных типов.

1.4.1.1. Значения максимально допустимого тока (среднего, действующего, импульсного или постоянного) выбирают из ряда R 10: 10; 12,5; 16; 20; 25; 32; 40; 50; 63; 80 и 100 А. Для токов более 100 А их значения должны быть установлены умножением соответствующих значений данного ряда на 10 или 100.

1.4.1.2. Значения повторяющегося импульсного обратного напряжения, повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии, максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы и соответствующие им классы устанавливают в соответствии с табл.1.

Таблица 1

     

Продолжение табл.1

     

Продолжение табл.1

_______________

* Только для диодов Шоттки и быстровосстанавливающихся диодов.

** Устанавливают по согласованию с потребителем.

1.4.1.3. Группы предельно допустимых значений параметров и характеристик приборов и модулей должны соответствовать указанным в табл.2-7.

Условные обозначения групп приборов и модулей должны соответствовать требованиям приложения 2 в зависимости от значений параметров и характеристик, указанных в табл.2-7. (Допускается обозначение групп приборов и модулей цифровым кодом или сочетанием цифрового и буквенно-цифрового кода, как указано в табл.2-7).

1) Значения времени обратного восстановления для быстровосстанавливающихся диодов и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл.2.

Таблица 2

     

Продолжение табл.2

     

Продолжение табл.2