Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест- венное

междуна- родное

1. Обратный ток коллектора

D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter)

Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

E. Collector cut-off current

F. Courant du collecteur

2. Обратный ток эмиттера

D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor)

Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора

E. Emitter cut-off current

F. Courant

3. Обратный ток коллектор-эмиттер

Ндп. Начальный ток коллектора

Ток коллектора закрытого транзистора

-

Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер

D. Kollektor-Emitter-Reststrom

E. Collector-emitter cut-off current

F. Courant du

________________

При разомкнутом выводе базы , ; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы , ; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер , ; при заданном обратном напряжении эмиттер-база , .

4. Обратный ток базы

D. Basis-Emitter-Reststrom

Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база

E. Base cut-off current

F. Courant de la base

5. Критический ток биполярного транзистора

-

Значение тока коллектора, при достижении которого значение падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор-эмиттер

6. Граничное напряжение биполярного транзистора

Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера

Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера

7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

D. Kollektor-Emitter-

Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

E. Saturation collector-emitter voltage

F. Tension de saturation

8. Напряжение насыщения база-эмиттер

D. Basis-Emitter-

Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

E. Saturation baseemitter voltage

F. Tension de saturation

9. Плавающее напряжение эмиттер-база

E. Floating emitter-base voltage

Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю

F. Tension flottante

10. Напряжение смыкания биполярного транзистора

E. Punch-through (penetration) voltage

F. Tension de (tension de persage)

Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база

11. Пробивное напряжение эмиттер-база

D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю

Е. Breakdown emitter-base voltage

F. Tension de claquage

12. Пробивное напряжение коллектор-база

D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю

Е. Breakdown collector-base voltage

F. Tension de claquage collecteur-base

13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер

D. Kollektor-Emitter- Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)

-

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора

Е. Breakdown collector-emitter voltage

F. Tension de claquage

________________

При токе базы, равном нулю, , , ;

при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, , ;

при коротком замыкании в цепи база-эмиттер , ;

при заданном обратном напряжении база-эмиттер , .

14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Kleinsignaleingangswiderstand

*

Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора

Е. Small-signal value of the short-circuit input impedance

F. Valeur de , sortie en court-circuit pour de petits signaux

15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D.

*

Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току

Е. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio

F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, en circuit ouvert de petits signaux

16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D.

*

Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току

Е. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio

F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux

17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте

Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте

D. Betrag der

in Emitterschaltung bei HF

Е. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio

F. Module du rapport de transfert direct du courant

18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Kleinsignalausgangsleitwert

*

Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току

Е. Small-signal value of the open-circuit output admittance

F. Valeur de l'admittance de sortie, en circuit ouvert pour de petits signaux

19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала

Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером

Е. Static value of the input resistance

F. Valeur statique de la

20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора

D. in Emitterschaltung

Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером

Е. Static value of the forward current transfer ratio

F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant

21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert

*

Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе

Е. Small-signal value of the short-circuit input admittance

F. Valeur de l'admittance , sortie en court-circuit pour de petits signaux

22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Komplexer

*

Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе

Е. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance

F. Valeur de l'admittance de transfert inverse, en court-circuit pour de petits signaux

23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Komplexer

*

Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе

Е. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance

F. Valeur de l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux

24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора

Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером

D. Betrag des

Е. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance

F. Module de l'admittance de transfert direct

25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert

*

Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе

Е. Small-signal value of the short-circuit output admittance

F. Valeur de l'admittance de sortie, en court-circuit pour de petits signaux

26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером

Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики

Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер

D. Statische in Emitterschaltung

Е. Static value of the forward transconductance

F. Pente statique de transfert direct

27. Входная емкость биполярного транзистора

D.

*

Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала

Е. Input capacitance

F.

28. Выходная емкость биполярного транзистора

D.

*

Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала

Е. Output capacitance

F. de sortie

28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора

D.

*

*

Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала

Е. Feedback capacitance

F. de couplage

29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора

D. Grenzfrequenz der

Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением

Е. Cut-off frequency

F. de conpure

30. Граничная частота коэффициента передачи тока

D. der (Transitfrequenz)

Е. Transition frequency

F. de transition

Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.

Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву

31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора

Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора

Е. Maximum frequency of oscillation

F.  maximale d'oscillation

32. Коэффициент шума биполярного транзистора

D. Rauschzahl

Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала

Е. Noise figure

F. Facteur de bruit

32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора

D. Minimale Rauschzahl

Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума

Е. Minimal noise figure

F. Facteur de bruit minimum

32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора

D. Rauschspannung

Е. Equivalent noise voltage

Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным

F. Tension de bruit

33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора

Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения

Ндп. Степень насыщения

Е. Saturation coefficient

F. Coefficient de saturation

34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора

D.

Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения

Е. Power gain

F. Gain en puissance

34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора

D. Optimale

Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума

Е. Optimal power gain

F. Gain de puissance optimum

35. Коэффициент полезного действия коллектора

D. Kollektorwirkungsgrad

Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания

Е. Collector efficiency

F. du collocteur

36. Время задержки для биполярного транзистора

D.

Е. Delay time

Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды

F. Retard la croissance

37. Время нарастания для биполярного транзистора

D. Anstiegszeit

Е. Rise time

Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10% его амплитуды, до значения, соответствующего 90% его амплитуды

F. Temps de croissance

38. Время рассасывания для биполярного транзистора

D. Speicherzeit

Е. Carrier storage time

Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня

F. Retard

39. Время спада для биполярного транзистора

D. Abfallzeit

Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90% его амплитуды, до значения, соответствующего 10% его амплитуды

Е. Fall time

F. Temps de

40. Время включения биполярного транзистора

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания

D. Einschaltzeit

Е. Turn-on time

F. Temps total

41. Время выключения биполярного транзистора

D. Ausschaltzeit

Е. Turn-off time     

Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10% его амплитудного значения      

F. Temps total de coupure

42. Сопротивление базы биполярного транзистора

Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер

D. Basisbahnwiderstand

Е. Base intrinsic resistance

F. de base

43. Емкость эмиттерного перехода

D. der Emittersperrschicht

Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи

Е. Emitter capacitance

F.

44. Емкость коллекторного перехода

D. der Kollektorsperrschicht

Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи

Е. Collector capacitance

F. collecteur

45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора

Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода

D.

Е. Collector-base time constant

46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора

D. Eingangsreflexionsfaktor

*

*

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

47. Коэффициент обратной передачи напряжения

D.

*

*

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

48. Коэффициент прямой передачи напряжения

D.

*

*

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора

D. Ausgangsreflexionsfaktor

*

*

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

50. Постоянный ток коллектора

Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход

D. Kollektorgleichstrom

Е. Collector (d.с.) current

F. Courant continu de collecteur

51. Постоянный ток эмиттера

Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход

D. Emittergleichstrom

Е. Emitter (d.с.) current

F. Courant continu d'emetteur

52. Постоянный ток базы

Постоянный ток, протекающий через базовый вывод

D. Basisgleichstrom

Е. Base (d.с.) current

F. Courant continu de base

53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения

-

Е. Saturation collector current

F. Courant de saturation collecteur

54. Постоянный ток базы в режиме насыщения

-

Е. Saturation base current

F. Courant de saturation base

55. Импульсный ток коллектора

-

Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса

56. Импульсный ток эмиттера

-

Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса

57. Постоянное напряжение эмиттер-база

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы

D. Emitter-Basis-Spannung

Е. Emitter-base (d.с.) voltage

F. Tension continue

58. Постоянное напряжение коллектор-база

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы

D. Kollektor-Basis-Spannung

Е. Collector-base (d.с.) voltage

F. Tension continue collecteur-base

59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера

D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)

Е. Collector-emitter (d.с.) voltage

F. Tension continue

________________

При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, , .

При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, , .

При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, , ;

при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, , ;

при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, , ;

при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база , .

60. Выходная мощность биполярного транзистора

Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте

D. Ausgangsleistung

Е. Output power

61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе

D. Gesamtverlustleistung

Е. Total input power (d.c.) to all electrodes

F. Puissance totale de toutes les

62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора

Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе

D. Mittlere Verlustleistung

Е. Total input power (average) to all electrodes

F. Puissance totale (moyenne) de toutes les

63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

-

D. Impulsverlustleistung

F. Peak power dissipation

F. Puissance

64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора

D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung

Е. Collector (d.c.) power dissipation

F. Puissance (continue) au collecteur

65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора

Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора

D. Mittlere Kollektorverlustleistung

Е. Collector (average) power dissipation

F. Ruissance (moyenne) au collecteur

65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора

Е. Peak envelope power

Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей.

Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами

65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора

Е. Third order intermodulation products factor

Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд

65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора

Е. Fifth order intermodulation products factor     

Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд     

Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам**

66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора

-

D. Maximal Kollektorgleichstrom

Е. Maximum collector (d.с.) current

F. Courant continu de collecteur maximal

67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера

-

D. Maximal Emittergleichstrom

Е. Maximum emitter (d.с.) current

F. Courant continu d'emetteur maximal

68. Максимально допустимый постоянный ток базы

-

D. Maximal Basisgleichstrom

Е. Maximum base (d.с.) current

F. Courant continu de base maximal

69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора

-

D. Maximal Kollektorimpulsstrom

Е. Maximum peak collector current

F. Courant de de collecteur maximal

70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера

-

D. Maximal Emitterimpulsstrom

Е. Maximum peak emitter current

F. Courant de d'emetteur maximal

71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения

-

Е. Maximum saturation collector current

F. Courant de saturation collecteur maximal

72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения

-

Е. Maximum saturation base current

F. Courant de saturation base maximal

73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

-

D. Maximal Emitter-Basis-Gleichspannung

Е. Maximum emitter-base (d.c.) voltage

F. Tension continue maximale

74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база

-

D. Maximal Kollektor-Basic-Gleichspannung

Е. Maximum collector-base (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-base maximale

75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер

-

D. Maximal Kollektor-Emitter- Gleichspannung

Е. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage

F. Tension continue maximale

76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер

-

D. Maximal Kollektor-Emitter-Impulsspannung

E. Maximum peak collector-emitter voltage

F. Tension de

maximale

77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база

-

D. Maximal Kollektor-Basis-Impulsspannung

E. Maximum peak collector-base voltage

F. Tension de collector-base maximale

78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора

-

D. Maximal Kollektorverlustleistung

E. Maximum collector power dissipation (d.c.)

F. Puissance au collecteur (continue) maximale

79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора

-

-

E. Maximum collector power dissipation (average)

F. Puissance au collecteur (moyenne) maximale

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

-

D. Maximal Impulsverlustleistung

E. Maximum peak power dissipation

F. Puissance maximale