ГОСТ 27264-87
(СТ СЭВ 5538-86)

Группа Е69

     
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДAPT СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ СИЛОВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ

Методы измерений

Power bipolar transistors.
Measurement methods

ОКП 34 1700

Дата введения 1988-01-01

     
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электротехнической промышленности СССР

ИСПОЛНИТЕЛИ

А.Н.Думаневич, канд. техн. наук; В.П.Белотелов; А.Н.Ильичев; В.Б.Братолюбов, канд. техн. наук; Б.П.Курбатов; В.В.Сажина

2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 31.03.87 N 1093

3. Срок первой проверки 1993 г.

4. Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 5538-86.

5. Стандарт полностью соответствует международным стандартам МЭК 147-2-63, МЭК 147-2С-70, МЭК 147-2М-80, МЭК 747-1-83.

6. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

7. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ (НТД):

Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные (в дальнейшем - транзисторы), на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров.

1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1.1. Измерения и проверки параметров, если не оговорено особо, проводят при нормальных климатических условиях по ГОСТ 20.57.406-81.

1.2. Если не оговорено особо, общая относительная погрешность измерения или проверки параметров не должна превышать ±15% для временных параметров и ±10% для остальных параметров с доверительной вероятностью 0,95. Конкретные значения погрешностей, при необходимости, должны устанавливаться в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Погрешность установления и поддержания режимов измерения параметров и проверки предельно допустимых значений параметров не должна превышать ±5% для постоянных токов, напряжений, мощностей и ±10% для переменных или импульсных токов, напряжений, мощностей.

Погрешность измерения теплового сопротивления не устанавливается.

1.3. Измерительные устройства, предусмотренные схемами для установления и регулирования режима измерения, могут быть исключены и заменены устройствами автоматического установления и регулирования режима. При этом погрешность этих устройств должна быть такой, чтобы погрешность установления и поддержания режимов измерения и проверки соответствовала п.1.2.

1.4. В качестве измерительных устройств мгновенных и амплитудных значений, предусмотренных схемами для измерения параметров, допускается применение как осциллоскопов, так и других измерительных устройств (в том числе для измерения временных интервалов).

При этом метрологические характеристики измерительных устройств должны быть такими, чтобы погрешность измерения и проверки соответствовала требованиям п.1.2.

1.5. До начала измерения параметров и проверки предельно допустимых значений параметров при максимально и (или) минимально допустимой рабочей температуре транзисторы должны прогреваться или охлаждаться до полного установления теплового равновесия. Точность поддержания температуры перехода до измерения и проверки параметров должна находиться в пределах ±5 °С (при нагревании транзисторов внешним источником тепла). При измерении параметров как критериальных в процессе испытаний на воздействие внешних факторов точность поддержания температуры - в соответствии с требованиями метода испытаний по ГОСТ 20.57.406-81.

Контроль температуры перехода должен осуществляться по температуре корпуса; допускается контроль по температуре окружающей среды.

При этом необходимо принимать меры, обеспечивающие минимальное изменение температуры перехода относительно корпуса или окружающей среды в процессе измерений параметров.

1.6. При измерении параметров транзисторов устанавливаются фактические их значения; при проверке предельно допустимых значений параметров устанавливается только их соответствие нормированным допустимым значениям без измерения их фактических значений, при этом выход за пределы норм предельно допустимых значений не допускается.

Для проверки параметров транзисторов должны быть использованы методы настоящего стандарта, предназначенные для их измерения. При этом в качестве измерительных устройств могут быть использованы пороговые измерительные устройства, указывающие на нахождение проверяемого параметра внутри и вне пределов норм, без указания его конкретного значения.

1.7. Источники напряжения и тока, применяемые в схемах, должны обеспечивать выходные величины в пределах установленных норм вне зависимости от любых причин, влияющих на них (в том числе, процессов включения и выключения источников).

1.8. Стабилизированные источники тока и напряжения должны обеспечивать необходимую стабилизацию тока и напряжения и малый уровень пульсаций для обеспечения требуемой точности измерений и проверки.

1.9. Должна быть предусмотрена защита измерительных приборов схемы от перегрузок, являющихся результатом выхода из строя испытуемых транзисторов.

1.10. Допускается применение объединенных электрических схем для контроля нескольких характеристик и предельно допустимых значений параметров.

1.11. Если в настоящем стандарте при описании схем указываются высокие сопротивления или проводимость элементов схем (в том числе и измерительных приборов), то их значения должны быть настолько большими, чтобы любое их увеличение не вызывало бы значительного изменения измеряемых параметров или режимов измерения и проверки (превышающего допустимую погрешность измерения).

1.12. Полярность источников питания, указанных на схемах, относится к транзисторам типа --. Для транзисторов типа -- полярность должна быть обратной.

1.13. Общая относительная погрешность измерения и проверки по п.1.2 должна учитывать относительную погрешность установки и дополнительную погрешность, которая определяется степенью влияния погрешности установления и поддержания режимов измерения и проверки на значение контролируемого параметра.

1.14. Конкретные значения параметров режимов из диапазона значений, указанных в настоящем стандарте (длительность импульсов, скважность и т.п.), должны устанавливаться в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

1.15. Общие требования безопасности при испытаниях и измерениях должны соответствовать ГОСТ 12.3.019-80.

1.16. Методы измерения и проверки даны применительно к использованию транзисторов в схеме с общим эмиттером.

1.17. Обозначения параметров - по ГОСТ 20003-74.

2. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ
И ПРОВЕРКИ ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫХ ЗНАЧЕНИЙ ПАРАМЕТРОВ

2.1. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (,,)

2.1.1. Общие положения

2.1.1.1. Измерение проводят при температуре перехода 25 °С и (или) при максимально допустимой рабочей температуре перехода.

2.1.1.2. Напряжение коллектор-эмиттер должно быть максимально допустимым.

2.1.1.3. Режим в цепи базы должен соответствовать указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.1.2. Средства измерения

2.1.2.1. Измерение проводят по схеме, приведенной на черт.1.

, - источники напряжения; - измеритель мгновенных значений тока;
- измеритель амплитудных значений напряжения;
- резистор в цепи базы; - испытуемый транзистор

Черт.1

2.1.2.2. Источник импульсного напряжения должен обеспечивать импульсы напряжения с параметрами:

1) амплитуда - по п.2.1.1.2;

2) длительность импульсов - от 0,1 до 10 мс;

3) скважность импульсов - не менее 2;

4) длительность фронта должна быть такой, при которой не сказывается влияние скорости нарастания напряжения.

2.1.2.3. Сопротивление резистора (при измерении ) должно соответствовать установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.1.2.4. Источник постоянного напряжения (при измерении ) должен обеспечивать обратное напряжение в цепи базы в соответствии с установленным в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.1.3. Проведение измерения

2.1.3.1. Измерение обратного тока коллектор-эмиттер проводят следующим образом:

1) устанавливают режим в цепи базы в соответствии с п.2.1.1.3;

2) устанавливают по измерителю амплитуду импульсов напряжения от источника импульсного напряжения в соответствии с п.2.1.1.2;

3) измеряют с помощью измерителя тока установившееся значение обратного тока.

2.1.3.2. Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектор-эмиттер не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.2. Метод измерения обратного тока эмиттера ()

2.2.1. Общие положения

2.2.1.1. Измерение проводят при температуре перехода 25 °С и (или) при максимально допустимой рабочей температуре перехода.

2.2.1.2. Обратное напряжение эмиттер-база должно быть максимально допустимым.

2.2.1.3. Цепь коллектора разомкнута.

2.2.2. Средства измерения

2.2.2.1. Измерение проводят по схеме, приведенной на черт.2.

- измеритель мгновенных значений тока; - измеритель амплитудных значений напряжения;
- источник напряжения; - испытуемый транзистор

Черт.2