Термин

Определение

ФИЗИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

1. Электрический переход

Переход

D. Elektrischer (Sperrschicht)

E. Junction

F. Jonction

Переходный слой в полупроводнике материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости.

Примечание. Одна из областей может быть металлом

2. Электронно-дырочный переход

переход

D.

E. P-N junction

F. Jonction P-N

Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность -типа, а другая -типа

3. Электронно-электронный переход

переход

D.

E. N-N junction

F. Jonction N-N

Электрический переход между двумя областями полупроводника -типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости

4. Дырочно-дырочный переход

переход

D.

E. P-P junction

F. Jonction P-P

Электрический переход между двумя областями полупроводника -типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.

Примечание. В терминах 3 и 4 "+" условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью

5. Резкий переход

D. Steiler  

E. Abrupt junction

F. Jonction abrupte

Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.

Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси

6. Плавный переход

D. Stetiger

E. Graded junction

F. Jonction graduelle

Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда

7. Плоскостной переход

D.

E. Surface junction

F. Jonction de par surface

Электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины

8. Точечный переход

D.

E. Point-contact junction

F. Jonction pointe

Электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.

Примечание. Характеристической длиной может быть толщина области пространственного заряда, диффузионная длина и т.д.

9. Диффузионный переход

D. Diffundierter

E. Diffused junction

F. Jonction diffusion

Электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике

10. Планарный переход

D.

E. Planar junction

F. Jonction planar

Диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника

11. Конверсионный переход

D.

E. Conversion junction

F. Jonction de conversion

Электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси

12. Сплавной переход

Ндп. Вплавной переход

D. Legierter

E. Alloyed junction

F. Jonction

Электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси

13. Микросплавной переход

Ндп. Микровплавной переход

D. Mikrolegierter

E. Micro-alloy junction

F. Jonction

Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника

14. Выращенный переход

Ндп. Тянутый переход

D. Gezogener

Е. Grown junction

F. Jonction de croissance

Электрический переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава

15. Эпитаксиальный переход

D.

E. Epitaxial junction

F. Jonction

Электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.

Примечание. Эпитаксиальное наращивание - создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки

16. Гетерогенный переход

Гетеропереход

D.

E. Heterogenous junction

F. Jonction

Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны

17. Гомогенный переход

Гомопереход

D. Homogener

E. Homogenous junction

F. Jonction

Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны

18. Переход Шоттки

D.

E. Schottky junction

F. Jonction Schottky

Электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником

19. Выпрямляющий переход

D.

E. Rectifying junction

F. Jonction redresseuse

Электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом

20. Омический переход

Ндп. Линейный контакт

D. Ohmischer

Е. Ohmic junction

F. Jonction ohmique

Электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов

21. Эмиттерный переход

D.

E. Emitter junction

F. Jonction

Электрический переход между эмиттерной (27)* и базовой (26) областями полупроводникового прибора (62)

________________

* Числа в скобках обозначают порядковый номер терминов, помещенных в настоящем стандарте.

22. Коллекторный переход

D.

E. Collector junction

F. Jonction collecteur

Электрический переход между базовой (26) и коллекторной (28) областями полупроводникового прибора (62)

23. Дырочная область

-область

D. Defektelektronengebiet

E. P-region

F.

Область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью

24. Электронная область

-область

D. Elektronengebiet

E. N-region

F.

Область в полупроводнике с преобладающей электронной электропроводностью

25. Область собственной электропроводности

-область

Ндп. Собственная область

D. Eigenleitungsgebiet

Е. Intrinsic region

F.

Область в полупроводнике, обладающая свойствами собственного полупроводника

26. Базовая область

База

D. Basisgebiet

Е. Base region

F. de base

Область полупроводникового прибора (62), в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда

27. Эмиттерная область

Эмиттер

D. Emittergebiet

E. Emitter region

F. d'emitteur

Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область

28. Коллекторная область

Коллектор

D. Kollektorgebiet

E. Collector region

F. de collecteur

Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является экстракция носителей из базовой области

29. Активная часть базовой области

D. Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors

E. Active part of base region

F. active de base

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу

30. Пассивная часть базовой области

D. Passiver Teil des Basisgebietes

eines bipolaren Transistors

E. Passive part of base region

F. passive de base

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу

31. Проводящий канал

D. Kanal

E. Channel

F. Canal

Область полевого транзистора, в которой регулируется поток носителей заряда.

Примечания:

1. Данное понятие не следует смешивать с "каналом утечки", возникающим в месте выхода перехода на поверхность кристалла.

2. Проводящий канал может быть или -типа в зависимости от типа электропроводности полупроводника

32. Исток

D. Source (Quelle)

E. Source

F. Source

Электрод полевого транзистора (100), через который в проводящий канал втекают носители заряда

33. Сток

D. Drain (Senke)

S. Drain

F. Drain

Электрод полевого транзистора (100), через который из проводящего канала вытекают носители заряда

34. Затвор

D. Gate (Tor)

E. Gate

F. Grille

Электрод полевого транзистора (100), на который подается электрический сигнал

35. Структура полупроводникового прибора

Структура

D. Struktur eines Halbleiterbauelementes

E. Structure

F. Structure

Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором (62) его функций.

Примечания :

1. Примеры структур полупроводниковых приборов: ; ; ; и др.

2. В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик

36. Структура металл-диэлектрик-полупроводник

Структура МДП

D. Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MIS-Struktur)

F. MIS-structure

F. Structure-MIS

Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника

37. Структура металл-окисел-полупроводник

Структура МОП

D. Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur

(HOS-Struktur)

Е. MOS-structure

F. Structure-MOS

Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, окисла на поверхности полупроводника и полупроводника

38. Мезаструктура

D. Mesastruktur

E. Mesa-structure

F.

Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника либо наращиванием

39. Обедненный слой

D. Verarmungsschicht

E. Depletion layer

F. Couche de

Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов

40. Запирающий слой

Ндп. Запорный слой

D. Sperrschicht

Е. Barrier region (layer)

F.

Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом

41. Обогащенный слой

D. Anreicherungsschicht

E. Enriched layer

F. Couche enrichie

Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов

42. Инверсный слой

D. Inversionsschicht

E. Inversion layer

F. Couche d'inversion

Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов

ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ

43. Прямое направление для перехода

D. Durchlassrichtung des

E. Forward direction (of a P-N junction)

F. Sens direct (d'une jonction P-N)

Направление постоянного тока, в котором переход имеет наименьшее сопротивление

44. Обратное направление для перехода

D. Sperrichtung des

E. Reverse direction (of a P-N junction)

F. Sens inverse (d'une jounction P-N)

Направление постоянного тока, в котором переход имеет наибольшее сопротивление

45. Пробой перехода

D. Durchbruch des

E. Breakdown of a P-N junction

F. Claquage (d'une jonction P-N)

Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости перехода при достижении обратным напряжением (током) критического для данного прибора значения.

Примечание. Необратимые изменения в переходе не являются необходимым следствием пробоя

46. Электрический пробой перехода

D. Elektrischer Durchbruch des

E. P-N junction electrical breakdown

F. Claquage (d'une jonction P-N)

Пробой перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом под действием приложенного напряжения

47. Лавинный пробой перехода

D. Lawinendurchbruch des

E. (P-N junction) avalanche breakdown

F. Claquage par avalanche (d'une jonction P-N)

Электрический пробой перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля

48. Туннельный пробой перехода

D.Tunneldurchbruch des

E. Zenner (tunnel) breakdown

F. Claquage par effet Zenner (tunnel)

Электрический пробой перехода, вызванный туннельным эффектом

49. Тепловой пробой перехода

D. Thermischer Durchbruch des

E. (P-N junction) thermal breakdown

F. Claquage par effet thermique (d'une jonction P-N)

Пробой перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в переходе и отводимым от него теплом

50. Модуляция толщины базы

D. Modulation der Basisbreite

E. Base thickness modulation

F. Modulation de base

Изменение толщины базовой области, вызванное изменением толщины запирающего слоя при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу

51. Эффект смыкания

Ндп. Прокол базы

D. Durchgreifeffekt

E. Punch-through

F.

Смыкание обедненного слоя коллекторного перехода в результате его расширения на всю толщину базовой области с обедненным слоем эмиттерного перехода

52. Накопление неравновесных носителей заряда в базе

Накопление заряда в базе

D. Speicherung von in der Basis

E. Minority carrier storage (in the base)

F. Accumulation de porteurs dans la base

Увеличение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда

53. Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе

Рассасывание заряда в базе

D. Abbau von in der Basis

E. Excess carrier resorption (in the base)

F. de porteurs dans la base

Уменьшение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации

54. Прямое восстановление полупроводникового диода

D. Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halbleiterdiode

E. Forward recovery

F. Recouvrement direct

Переходный процесс, в течение которого прямое сопротивление перехода полупроводникового диода устанавливается до постоянного значения после быстрого включения перехода в прямом направлении.

Примечание. Под словом "быстрый" в определениях 54 и 55 понимается изменение тока или напряжения за время, сравнимое или меньшее постоянной времени переходного процесса установления или восстановления сопротивления

55. Обратное восстановление полупроводникового диода

D. Wiederherstellung des Sperrwiderstandes einer Halbleiterdiode

E. Reverse recovery

F. Recouvrement inverse

Переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление перехода полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после быстрого переключения перехода с прямого направления на обратное

56. Закрытое состояние тиристора

D. Blockierzustand eines Thyristors

E. Off-state of a thyristor

F. Etat de thyristor

Состояние тиристора (105), соответствующее участку прямой ветви вольтамперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения

57. Открытое состояние тиристора

D. Durchlasszustand eines Thyristors

E. On-state of a thyristor

F. Etat passant de thyristor

Состояние тиристора (105), соответствующее низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольт-амперной характеристики

58. Непроводящее состояние тиристора в обратном направлении

D. Sperrzustand eines Thyristors

E. Reverse blocking state of a thyristor

F. Etat dans le sens inverse de thyristor

Состояние тиристора (105), соответствующие участку вольт-амперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя

59. Переключение тиристора

D. Umschalten eines Thyristors

E. Switching of a thyristor

F. Commutation de thyristor

Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при отсутствии тока управления на управляющем выводе

60. Включение тиристора

D. eines Thyristots

E. Gate triggering of a thyristor

F. Amorcage de thyristor

Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при подаче тока управления

61. Выключение тиристора

D. Ausschalten eines Thyristors

E. Gate turning-off of a thyristor

F. de thyristor

Переход тиристора (105) из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления

ВИДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

62. Полупроводниковый прибор (ПП)

D. Halbleiterbauelement

E. Semiconductor device

F. Dispositif semiconducteurs

Прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника

63. Силовой полупроводниковый прибор (СПП)

D. Halbleiterleistungsbauelement

E. Semiconductor power device

F. Diode semiconducteurs pour forte puissance

Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств

64. Полупроводниковый блок

E. Semiconductor assembly

F. Assemblage semiconducteurs

Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов

65. Набор полупроводниковых приборов

E. Semiconductor assembly set

Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам

66. Полупроводниковый диод

Диод

Ндп. Полупроводниковый вентиль

D. Halbleiterdiode

E. Semiconductor diode

F. Diode semiconducteurs

Полупроводниковый прибор с двумя выводами и несимметричной вольтамперной характеристикой.

Примечание. Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного перехода

67. Точечный диод

Ндп. Точечно-контактный диод

D. Halbleiterspitzendiode

E. Point-contact diode

F. Diode pointe

Полупроводниковый диод с точечным переходом

68. Плоскостной диод

D.

E. Junction diode

F. Diode jonction

Полупроводниковый диод с плоскостным переходом

69. Выпрямительный полупроводниковый диод

Выпрямительный диод

D. Halbleitergleichrichterdiode

E. Semiconductor rectifier diode

F. Diode de redressement

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока, включая монтажные и охлаждающие устройства, если он образует с ними одно целое

69а. Лавинный выпрямительный диод

Е. Avalanche rectifier diode

Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики

69б. Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем

Е. Controlled-avalanche rectifier diode

Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольт-амперной характеристики

70. Выпрямительный полупроводниковый столб

Выпрямительный столб

E. Semiconductor rectifier stack

F. Bloc de redressement (a semiconducteurs)

Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода

71. Выпрямительный полупроводниковый блок

Выпрямительный блок

E. Semiconductor rectifier assembly

F. Assemblage de redressement ( semiconducteurs)

Полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов

72. Импульсный полупроводниковый диод

Импульсный диод

D. Halbleiterimpulsdiode

E. Signal diode

F. Diode d'impulsion

Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов в импульсных режимах работы

73. Диод с накоплением заряда

Е. Snap-off (step-recovery) diode

Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с малым временем нарастания

74. Туннельный диод

D. Halbleitertunneldiode

E. Tunnel diode

F. Diode tunnel

Полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости

75. Обращенный диод

D. Halbleiterunitunneldiode

E. Unitunnel (backward) diode

F. Diode

Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны

76. Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод

СВЧ-диод

D. UHF-Halbleiterdiode

E. Microwave diode

F. Diode en

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала

77. Лавинно-пролетный диод

D. Halbleiterlawinenlaufzeitdiode

E. Impact avalanche-(and-) transit time diode

F. Diode avalanche temps de transit

Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний

78. Инжекционно-пролетный диод

D. Halbleiterinjektionslaufzeitdiode

E. Injection- (and-) transit time diode

F. Diode injection temps de transit

Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний

79. Переключательный диод

D. Halbleiterschaltdiode

E. Switching diode

F. Diode de commutation

Полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление - при обратном, предназначенный для управления уровнем мощности сигнала

80. Смесительный диод

D. Halbleitermischdiode

E. Semiconductor mixer diode

F. Diode

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты

81. Диод Ганна

D. Gunn-Element

E. Gunn diode

F. Diode Gunn

Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний

82. Коммутационный полупроводниковый диод

Коммутационный диод

D. Halbleiter-HF-Schaltdiode

Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей

83. Регулируемый резистивный диод

D. PIN-Diode

E. PIN diode

F. Diode PIN

Полупроводниковый диод, применяемый для регулирования сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого для высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого смещения

84. Детекторный полупроводниковый диод

Детекторный диод

D. Halbleiterdemodulatordiode

E. Detector diode

F. Diode semiconducteurs

Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала

85. Ограничительный полупроводниковый род

Ограничительный диод

D. Halbleiterbegrenzerdiode

E. Microwave limiting diode

F. Diode de limitation de

Полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения

86. Умножительный диод

D. Halbleitervervielflacherdiode

E. Semiconductor frequency multiplication diode

F. Diode pour multiplication de

Полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты

87. Модуляторный диод

D. Halbleitermodulatordiode

E. Semiconductor modulator diode

F. Diode modulatrice ( semiconducteurs)

Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала

88. Диод Шоттки

D. Schottky-Diode

F. Schottky (-barrier) diode

F. Diode de Schottky

Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника

89. Варикап

D.Kapazitatsdiode

E. Variable capacitance diode

F. Diode capacite (varicape)

Полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью

90. Параметрический полупроводниковый диод

Параметрический диод

D. Halbleitervaraktordiode

E. Semiconductor parametric (amplifier) diode

F. Diode ( semiconducteurs)

Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях

91. Полупроводниковый стабилитрон

Стабилитрон

Ндп. Зенеровский диод

D. Halbleiter-Z-Diode

E. Voltage reference diode

F. Diode de tension de

Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения

92. (Исключен, Изм. N 2).

93. Полупроводниковый шумовой диод

D. Halbleiterrauschdiode

E. Semiconductor noise diode

F. Diode de bruit

Полупроводниковый прибор, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот

94. Биполярный транзистор

Транзистор

D. Bipolarer Transistor

E. Bipolar transistor

F. Transistor bipolaire

Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Примечание. Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей

95. Бездрейфовый транзистор

Ндп. Диффузионный транзистор

D. Diffusionstransistor

E. Diffusion transistor

F. Transistor diffusion

Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии

96. Дрейфовый транзистор

D. Drifttransistor

E. Drift (diffused) transistor

F. Transistor en

Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа

97. Точечный транзистор

Ндп.Точечно-контактный диод

D. Spitzentransistor

E. Point-contact transistor

F. Transistor pointe

Биполярный транзистор с точечными переходами

98. Плоскостной транзистор

D.

E. Junction transistor

F. Transistor jonction

Биполярный транзистор с плоскостными переходами

99. Лавинный транзистор

D. Lawinentransistor

E. Avalanche transistor

F. Transistor avalanche

Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе

100. Полевой транзистор

Ндп. Канальный транзистор

D. Feldeffekttransistor (FET)

E. Field-effect transistor

F. Transistor effet de champ

Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем.

Примечание. Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности

101. Полевой транзистор с изолированным затвором

D. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate

E. Insulated-gate FET

F. Transistor effet de champ  

Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала

102. Полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник

МДП-транзистор

D. MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET)

E. MIS-transistor

F. Transistor-MIS

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик

103. Полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник

МОП-транзистор

D. MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)

E. MOS-transistor

F. Transistor-MOS

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел

104. Симметричный транзистор

D. Bidirektionaltransistor

E. Bi-directional transistor

F. Transistor bi-directionnel

Биполярный или полевой транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме: включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока

105. Тиристор

D. Thyristor

E. Thyristor

F. Thyristor

Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот

106. Диодный тиристор

Динистор

D. Thyristordiode

E. Diode thyristor

F. Thyristor diode

Тиристор, имеющий два вывода

107. Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении

D. sperrende Thyristordiode

E. Reverse blocking diode thyristor

F. Thyristor diode en inverse

Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии

108. Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении

D. leitende Thyristordiode

E. Reverse conducting diode thyristor

F. Thyristor diode passant en inverse

Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

109. Симметричный диодный тиристор

Диак

D. Zweirichtungsthyristordiode

E. Bi-directional diode thyristor

F. Thyristor diode bi-directionnel

Диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях

110. Триодный тиристор

Тринистор

D. Thyristordiode

E. Triode thyristor

F. Thyristor triode

Тиристор, имеющий три вывода

111. Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении

D. sperrende Thyristortriode

E. Reverse blocking triode thyristor

F. Thyristor triode en inverse

Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

Примечание. Для триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении, допускается применять термин "тиристор", если исключается возможность другого толкования

112. Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении

D. leitende Thyristortriode

E. Reverse conducting triode thyristor

F. Thyristor triode passant en inverse

Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

113. Симметричный триодный тиристор

Триак

D. Zweirichtungsthyristortriode

E. Bi-directional triode thyristor; Triac

F. Thyristor triode bi-directionnel

Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях

114. Запираемый тиристор

D. Abschaltbarer Thyristor

E. Turn-off thyristor

F. Thyristor blocable

Тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности.

Примечание. Отношение мощности управления к переключаемой мощности должно быть значительно меньше единицы

115. (Исключен, Изм. N 2).

116. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом -типа

D. Katodenseitig gesteuerter Thyristor

E. P-gate thyristor

F. Thyristor P

Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала

117. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом -типа

D. Anodenseiltig gesteuerter Thyristor

E. N-gate thyristor

F. Thyristor N

Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала

117a. Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направлении

Лавинный тиристор

Е. Avalanche reverse blocking thyristor

Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния

117б. Комбинированно-выключаемый тиристор

Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения

118. Импульсный тиристор

E. Pulse thyristor

F. Thyristor signal

Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы

119. Оптоэлектронный полупроводниковый прибор

D. Optoelektronisches Halbleiterbauelement

E. Semiconductor optoelectronic device

F. Dispositif semiconducteur

Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов

120. Полупроводниковый излучатель

Излучатель

D. Halbleiterstrahler

E. Semiconductor photoemitter

F.  semiconducteurs

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения

120a. Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор

Е. Semiconductor character display

По ГОСТ 25066

120б. Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронного прибора

Приемник излучения

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию оптического излучения в электрическую энергию от полупроводникового излучателя и работающего в паре с ним

(Введен дополнительно, Изм. N 4).

121. Оптопара

D. Optoelektronischer Koppler

E. Photocoupler; Optocoupler

F. Photocoupleur

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция

121а. Резисторная оптопара

Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фоторезистора

121б. Диодная оптопара

Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фотодиода

121в. Транзисторная оптопара

Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фототранзистора

121г. Тиристорная оптопара

Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фототиристора

121д. (Исключен, Изм. N 3).

121е. Полупроводниковый излучатель, работающий с физическим приемником

-

121а-121е. (Введены дополнительно, Изм N 1).

121ж. Дифференциальная диодная оптопара

Диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного излучателя

121з. Тиристорная оптопара с симметричным выходом

Тиристорная оптопара с симметричным диодным или триодным фототиристором

121ж, 121з. (Введены дополнительно, Изм N 4).

122. Светоизлучающий диод

СИД

D. Lichtemitterdiode (LED)

E. Light-emitting diode (LED)

Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок

123, 123a. (Исключены, Изм. N 2).

124. (Исключен, Изм. N 1).

125. (Исключен, Изм. N 2).

126. Полупроводниковый экран

Е. Semiconductor analog indicator

Полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных вдоль одной линии и содержащих    строк светоизлучающих диодов, предназначенный для использования в устройствах отображения аналоговой и цифровой информации

127. Инфракрасный излучающий диод

И-К диод

D. Infrarotemitterdiode (IRED)

E. Infra-red-emitting diode

F. Diode emettrice en infrarouge

Полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасной области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок

127a. Фотодиод

D. Fotodiode

E. Photodiode

F. Photodiode

По ГОСТ 21934

127б. Фототранзистор

D. Fototransistor

E. Phototransistor

F. Phototransistor

По ГОСТ 21934

127в. Фоторезистор

D. Fotowiderstand

E. Photoconductive cell

F. Cellule photoinductive

По ГОСТ 21934

127г. Фототиристор

D. Fotothyristor

E. Photothyristor

F. Photothyristor

Тиристор, в котором используется фотоэлектрический эффект

127д. Оптоэлектронный коммутатор аналогового сигнала

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации аналогового сигнала на выходе

127е. Оптоэлектронный коммутатор нагрузки

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации тока на выходе

127ж. Оптоэлектронный коммутатор постоянного тока

Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянного тока

127з. Оптоэлектронный коммутатор переменного тока

Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям переменного тока

127и. Оптоэлектронный переключатель логических сигналов

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой логического ключа на выходе

127к. Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из дифференциальной оптопары или двух диодных оптопар и предназначенный для преобразования сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции

127л. Октрон

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по открытому оптическому каналу

127м. Отражательный октрон

Октрон, в котором приемник излучения принимает световой поток, отраженный от отражательной поверхности, расположенной на определенном расстоянии от излучателя

127н. Щелевой октрон

Октрон в котором между излучателем и приемником излучения для управления световым потоком устанавливают свето-непроницаемую заслонку

127о. Волстрон

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по протяженному оптическому каналу.

Примечание. Излучатель и приемник излучения могут иметь схемы электронного обрамления

127п. Оптопреобразователь

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним или несколькими переходами, работающими в режиме передачи и (или) приема оптического излучения

127р. Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов

Совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, расположенных с заданным шагом на одной линии

127с. Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов

Совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, сгруппированных по строкам и столбцам

127а-127с. (Введены дополнительно, Изм 4).

ЭЛЕМЕНТЫ КОНСТРУКЦИИ

128. Вывод полупроводникового прибора

Вывод

D. Anschluss eines Halbleiterbauelementes

E. Terminal (of a semiconductor device)

F. Borne

Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью

129. Основной вывод полупроводникового прибора

D. Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes

E. Main terminal

F. Borne principale

Вывод полупроводникового прибора, через который протекает основной ток

130. Катодный вывод полупроводникового прибора

D. Katodenschluss eines Halbleiterbauelementes

E. Cathode terminal (of a semiconductor device)

F. Cathode

Вывод полупроводникового прибора, от которого прямой ток течет во внешнюю электрическую цепь

131. Анодный вывод полупроводникового прибора

D. Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes

E. Anode terminal (of a semiconductor device)

F. Anode

Вывод полупроводникового прибора, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи

132. Управляющий вывод полупроводникового прибора

E. Gate terminal (of a semiconductor device)

F. Grille

Вывод полупроводникового прибора, через который течет только ток управления

133. Корпус полупроводникового прибора

Корпус

D. eines Halbleiterbauelementes

E. Package (case) (of a semiconductor device)

F. Capsule

Часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов

134. Бескорпусный полупроводниковый прибор

Ндп. Полупроводниковая структура

D. Halbleiterbauelement

E. Beam lead semiconductor device

F. Dispositif semiconducteur sans boitier

Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре

135. Полупроводниковый излучающий элемент

Часть полупроводникового прибора отображения информации, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электрической схеме

135а. Электрод полупроводникового прибора

Е. Electrode (of a semiconductor device)

Часть полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический контакт между определенной областью полупроводникового прибора и выводом