Статус документа
Статус документа

 ГОСТ 25529-82

Группа Э00

     

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Semiconductor diodes.
Terms, definitions and letter symbols

МКС 01.040.31

         31.080.10

ОКСТУ 6201

Дата введения 1984-01-01



Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 29 ноября 1982 г. N 4482 дата введения установлена 01.01.84

ВЗАМЕН ГОСТ 18216-72, ГОСТ 18994-73, ГОСТ 20004-74, ГОСТ 20005-74, ГОСТ 20331-74, ГОСТ 21154-75

ИЗДАНИЕ с Изменением N 1, утвержденным в октябре 1986 г. (ИУС 1-87).


Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов.

Термины и русские буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полупроводниковые диоды, предназначенные для экспортных поставок.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены "Ндп".

Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено, и соответственно в графе "Определение" поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

В стандарте имеется 2 приложения. Приложение 1 содержит термины и определения общих понятий полупроводниковых приборов. Приложение 2 содержит вольт-амперные характеристики, диаграммы и кривые токов и напряжений.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, а недопустимые синонимы - курсивом.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

междуна- родное

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

1.

Постоянное прямое* напряжение диода

D. Durchlassgleichspannung der Diode

E. Forward continuous voltage

F. Tension directe continue

Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода

__________________

* В каждом конкретном случае использования термина следует в его наименовании слова "диод" или "СВЧ диод" заменить понятием, определяющим группу диода, например "постоянный обратный ток диода" следует писать "постоянный обратный ток стабилитрона".

2.

Импульсное прямое напряжение диода

D. Spitzendurchlassspannung der Diode

E. Peak forward voltage

F. Tension directe de


Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения

3.

Постоянное обратное напряжение диода

D. Sperrgleichspannung der Diode

E. Reverse continuous voltage

F. Tension inverse continue

-

4.

Импульсное обратное напряжение диода

D. Spitzensperrspannung der Diode

E. Peak reverse voltage

F. Tension inverse de

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода

5.

Среднее прямое напряжение диода

D. Mittlere Durchlassspannung der Diode

E. Average forward voltage

F. Tension directe moyenne

Среднее за период значение прямого напряжения диода при заданном среднем прямом токе

6.

Пробивное напряжение диода

D. Durchbruchspannung der Diode

E. Breakdown voltage

F. Tension de claquage

Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения

7.

Постоянный прямой ток диода

D. Durchlassgleichstrom der Diode

E. Forward continuous current

F. Courant direct continu

-

8.

Импульсный прямой ток диода

D. Spitzendurchlassstrom der Diode

E. Peak forward current

F. Courant direct de

Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи

9.

Средний прямой ток диода

D. Mittlerer Durchlassstrom der Diode

E. Average forward current

F. Courant durect moyen

Среднее за период значение прямого тока диода

10.

Постоянный обратный ток диода

D. Sperrgleichstrom der Diode

E. Reverse continuous current

F. Courant inverse continu

-

11.

Импульсный обратный ток диода

D. Spitzensperrstrom der Diode

E. Peak reverse current

F. Courant inverse de

Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением

12.

Прямая рассеиваемая мощность диода

D. Durchlassverlustleistung der Diode

E. Forward power dissipation

F. Dissipation de puissance en direct

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока

13.

Обратная рассеиваемая мощность диода

Е. Reverse power dissipation

F. Dissipation de puissance en inverse

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока

14.

Средняя рассеиваемая мощность диода

D. Mittlere Verlustleistung der Diode

E. Average power dissipation

Среднее за период значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного токов

15.

Импульсная рассеиваемая мощность диода

D. Spitzenverlustleistung der Diode

E. Peak power dissipation

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом

16.

Общая емкость диода

D. der Diode

E. Terminal capacitance

F. aux bornes

Значение емкости между выводами диода при заданном режиме

17.

Емкость перехода диода

D. der Diode

Е. Junction capacitance

F. de junction

Общая емкость диода без емкости корпуса.

Примечание. В случае, когда диод имеет структуру, допускается использовать термин "емкость структуры" и буквенное обозначение ""

18.

Емкость корпуса диода

D. der Diode

E. Case capacitance

Значение емкости между выводами корпуса диода при отсутствии кристалла

19.

Дифференциальное сопротивление диода

D. Differentieller Widerstand der Diode

E. Differential resistance


F.

Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме

20.

Последовательное сопротивление потерь диода

D. Serienwiderstand der Diode

E. Total series equivalent resistance

F. totale

Суммарное эквивалентное активное сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода

21.

Тепловое сопротивление диода

D.

E. Thermal resistance

F. thermique

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме

22.

Импульсное тепловое сопротивление диода

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к импульсной мощности диода

23.

Тепловое сопротивление переход - окружающая среда диода

Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды

24.

Тепловое сопротивление переход - корпус диода

Е. Thermal resistance junction to case

Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода.

Примечание. Если полупроводниковый кристалл имеет многослойную структуру, может быть использован термин "тепловое сопротивление структура - окружающая среда" или термин "тепловое сопротивление структура - корпус"

25.

Тепловая емкость диода

Е. Thermal capacitance

Отношение тепловой энергии, накопленной в диоде, к разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке

26.

Переходное тепловое сопротивление диода

Е. Transient thermal impedance

Отношение разности изменения температуры перехода и температуры в контрольной точке в конце заданного интервала времени, вызывающего изменение температуры, к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности диода в начале этого интервала.

Примечание. Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри диода должно быть постоянным во времени

27.

Переходное тепловое сопротивление переход - окружающая среда диода

Е. Transient thermal impedance junction to ambient

Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды

28.

Переходное тепловое сопротивление переход - корпус диода

Е. Transient thermal impedance junction to case

Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода

29.

Индуктивность диода

D. der Diode

E. Total series equivalent inductance

F. Inductance totale

Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях

30.

Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода

Е. Effective excess minority lifetime

Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда диода вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника

31.

Накопленный заряд диода

Е. Stored charge

F. Charge

Заряд электронов или дырок в базе диода или -области структуры, накопленный при протекании прямого тока

32.

Заряд восстановления диода

Ндп. Заряд переключения

D. Sperrerholladung der Diode

Е. Recovered charge

F. Charge

Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.

Примечания:

1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.

2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада

33.

Время обратного восстановления диода

Ндп. Время восстановления обратного сопротивления

D. Sperrerholungszeit der Diode

Е. Reverse recovery time

F. Temps de recouvrement inverse

Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока

34.

Время прямого восстановления диода

Ндп. Время восстановления прямого сопротивления

D. Durchlasserholungszeit der Diode

Е. Forward recovery time

F. Temps de recouvrement direct

Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

35.

Рабочее импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

Е. Working peak reverse voltage

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода без учета повторяющихся и неповторяющихся переходных напряжений

36.

Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Periodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Repetitive peak reverse voltage

F. Tension inverse de pointe

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.

Примечание. Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода

37.

Неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Non-repetitive (surge) reverse voltage

F. Tension inverse de pointe

Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.

Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения

38.

Пороговое напряжение выпрямительного диода

D. Schleusenspannung der Diode

E. Threshold voltage

F. Tension de seuil

Значение постоянного прямого напряжения выпрямительного диода в точке пересечения с осью напряжений прямой линии, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику в области больших токов

39.

Повторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода

D. Periodischer Spitzen-durchlassstrom der Diode

E. Repetitive peak forward current

F. Courant direct de pointe


Наибольшее мгновенное значение прямого тока выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные токи и исключая все неповторяющиеся переходные токи

40.

Ударный прямой ток выпрямительного диода

Ток, при протекании которого превышается максимально допустимая эффективная температура перехода, но который за время срока службы выпрямительного диода появляется редко с ограниченным числом повторений и вызывается необычными условиями работы схемы

41.

Действующий прямой ток выпрямительного диода

Е. RMS forward current

Действующее значение прямого тока выпрямительного диода за период

42.

Ток перегрузки выпрямительного диода

Е. Overload forward current

F. Courant direct de surcharge

Значение прямого тока выпрямительного диода, длительное протекание которого вызвало бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается.

Примечание. За время эксплуатации диода число воздействий током перегрузки не ограничивается

43.

Защитный показатель выпрямительного диода




Значение интеграла от квадрата ударного прямого тока выпрямительного диода

44.

Повторяющийся импульсный обратный ток выпрямительного диода

Е. Repetitive peak reverse current

F. Courant inverse de pointe

Значение обратного тока выпрямительного диода, обусловленного повторяющимся импульсным обратным напряжением

45.

Средний обратный ток выпрямительного диода

D. Mittlerer Sperrstrom der Diode

E. Average reverse current

F. Courant inverse moyen

Среднее за период значение обратного тока выпрямительного диода

46.

Средний выпрямленный ток диода

D. Mittlerer Richtstrom der Diode

E. Average output rectified current

F. Courant moyen de sortie

Среднее за период значение прямого и обратного токов выпрямительного диода

47.

Средняя прямая рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Average forward power dissipation

Произведение мгновенных значений прямого тока и прямого напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду

48.

Средняя обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Average reverse power dissipation

Произведение мгновенных значений обратного тока и обратного напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду

49.

Ударная обратная рассеиваемая мощность лавинного выпрямительного диода

Е. Surge (non-repetitive) reverse power dissipation

Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздействии одиночных импульсов тока в режиме пробоя

50.

Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Repetitive peak reverse power dissipation

Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздействии периодических импульсов

51.

Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е. Total instantaneous turn-off dissipation

F. Dissipation totale la coupure du courant

Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

52.

Импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е Peak turn-off dissipation

F Dissipation de pointe la coupure du courant

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

53.

Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е. Average turn-off dissipation

F Dissipation moyene la coupure du courant

Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при обратном восстановлении

54.

Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

Е. Total instantaneous turn-on dissipation

F. Dissipation totale du courant

Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток

55.

Импульсная мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

Е. Peak turn-on dissipation

F. Dissipation de pointe du courant

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой

ток

56.

Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

Е. Average turn-on dissipation

F. Dissipation moyenne du courant

Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при прямом восстановлении

57.

Энергия прямых потерь выпрямительного диода

Е. Forward energy loss



Значение энергии потерь выпрямительного диода, обусловленной прямым током

58.

Энергия обратных потерь выпрямительного диода

Е. Reverse energy loss



Значение энергии потерь выпрямительного диода, обусловленной обратным током

59.

Общая энергия потерь выпрямительного диода

Е. Total energy loss



Сумма средних значений энергий прямых и обратных потерь выпрямительного диода

60.

Энергия потерь при обратном восстановлении диода

Е. Reverse recovery energy loss



Значение энергии потерь выпрямительного диода при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

61.

Динамическое сопротивление выпрямительного диода

D. Dynamischer Widerstand der Diode

E. Slope resistance

F. apparente directe

Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода

62.

Заряд запаздывания выпрямительного диода

Заряд, вытекающий из выпрямительного диода за время запаздывания обратного напряжения

63.

Заряд спада выпрямительного диода

Заряд, вытекающий из выпрямительного диода за время спада обратного тока

64.

Время запаздывания обратного напряжения выпрямительного диода

Интервал времени между моментом, когда ток проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток достигает амплитудного значения

65.

Время спада обратного тока выпрямительного диода

Интервал времени между моментом, когда ток, изменив направление от прямого на обратное и пройдя нулевое значение, достигает амплитудного значения и моментом окончания времени обратного восстановления выпрямительного диода

ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

66.

Пиковый ток туннельного диода

D. der Tunneldiode

E. Peak point current

F. Courant de pic

Значение прямого тока в точке максимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

67.

Ток впадины туннельного диода

D. Talstrom der Tunneldiode

Е. Valley point current

F. Courant de

Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

68.

Отношение токов туннельного диода

D. -Talstrom- der Tunneldiode

E. Peak to valley point current ratio

F. Rapport de du courant

Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода

69.

Напряжение пика туннельного диода

D. der Tunneldiode

E. Peak point voltage

F. Tension de pic

Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода

70.

Напряжение впадины туннельного диода

D. Talspannung der Tunneldiode

E. Valley point voltage

F. Tension de

Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода

71.

Напряжение раствора туннельного диода

D. Projezierte

 

E. Projected peak point voltage

F. Tension isohypse

Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому

72.

Отрицательная проводимость туннельного диода

D. Negativer Leitwert der Tunneldiode

E. Negative conductance of the intrinsic diode

F. Conductance de la diode

Дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода

73.

Предельная резистивная частота туннельного диода

D. -Grenz-frequenz der Tunneldiode

E. Resistive cut-off frequency

F. de coupure

Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль

74.

Шумовая постоянная туннельного диода

D. Rauschfaktor der Tunneldiode

E. Noise factor

F. Facteur de bruit

Величина, определяемая соотношением:

,

где - ток в рабочей точке туннельного диода,

- отрицательная проводимость туннельного диода

75.

Энергия импульсов туннельного диода

Энергия коротких импульсов тока, воздействующих на туннельный диод

ВАРИКАПЫ

76.

Добротность варикапа

D. der

E. Quality factor

Отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения

77.

Температурный коэффициент емкости варикапа

D. Temperaturkoeffizient der der

E. Temperature coefficient of capacitance

Отношение относительного изменения емкости варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды

78.

Предельная частота варикапа

D. der

E. Cut-off frequency

F. de coupure

Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях

79.

Температурный коэффициент добротности варикапа

D. Temperaturkoeffizient des der

E. Temperature coefficient of quality factor

Отношение относительного изменения добротности варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды

80.

Коэффициент перекрытия по емкости варикапа

Отношение общих емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения

СТАБИЛИТРОНЫ

81.

Напряжение стабилизации стабилитрона

D. Z-Spannung der Z-Diode

Е. Working voltage (of voltage regulator diode)

F. Tens on de

Значение напряжения стабилитрона при протекании тока стабилизации

82.

Ток стабилизации стабилитрона

D. Z-Strom der Z-Diode

E. Continuous current within the working voltage range

F. Courant continu inverse pour la gamme des tensions de

Значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации

83.

Импульсный ток стабилизации стабилитрона

Наибольшее мгновенное значение тока стабилизации стабилитрона

84.

Дифференциальное сопротивление стабилитрона

D. Z-Widerstand der Z-Diode

Е. Differential resistance within the working voltage range

F. dans la zone des tensions de

Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона

85.

Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона

D. Temperaturkoeffizient der Z-Spannung der Z-Diode

E. Temperature coefficient of working voltage

F. Coefficient de de la tension de

Отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации

86.

Время включения стабилитрона

D. Einschaltzeit der Z-Diode

E. Turn-on time

Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации

87.

Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона

D. Zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode

E. Working voltage long-term instability

F. long terme de la tension de

Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени

88.

Время выхода стабилитрона на режим

D. Stabilisierungszeit der Z-Diode

E. Transient time of working voltage

Интервал времени от момента подачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напряжение стабилизации не выходит за пределы области, ограниченной

89.

Несимметричность напряжения стабилизации стабилитрона

-

Разность напряжений стабилизации при двух равных по абсолютному значению и противоположных по знаку токах стабилизации стабилитрона

89а.

Температурный уход напряжения стабилизации стабилитрона

Максимальное абсолютное изменение напряжения стабилизации стабилитрона от изменения температуры в установленном диапазоне температур при постоянном токе стабилизации

89б.

Нелинейность температурной зависимости напряжения стабилизации стабилитрона

Отношение наибольшего отклонения напряжения стабилизации стабилитрона от линейной зависимости в указанном диапазоне температур к произведению абсолютного изменения напряжения стабилизации и абсолютного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации

89в.

Размах низкочастотных шумов стабилизации стабилитрона

Разница наибольшего и наименьшего напряжения стабилизации стабилитрона за время измерения в указанном диапазоне частот при постоянном токе стабилизации

90.

Спектральная плотность шума стабилитрона

Эффективное значение напряжения шума, отнесенное к полосе в 1 Гц, измеренное при заданном токе стабилизации стабилитрона в оговоренном диапазоне частот

СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ

91.

Выпрямительный ток СВЧ диода

Постоянная составляющая тока СВЧ диода в рабочем режиме

92.

Постоянный рабочий ток ЛПД

Значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

93.

Импульсный рабочий ток
ЛПД

Мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность

94.

Постоянный пусковой ток
ЛПД


Наименьшее значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности

95.

Импульсный пусковой ток
ЛПД


Наименьшее мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности

96.

Пороговый ток диода Ганна

Значение постоянного тока диода Ганна в точке первого максимума вольт-амперной характеристики, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

97.

Постоянный рабочий ток диода Ганна

Значение постоянного тока диода Ганна при постоянном рабочем напряжении

98.

Импульсный рабочий ток диода Ганна

Мгновенное значение тока диода Ганна при импульсном рабочем напряжении

99.

Постоянное пороговое напряжение диода Ганна

Значение постоянного напряжения, соответствующее пороговому току диода Ганна

100.

Постоянное рабочее напряжение диода Ганна

Значение постоянного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

101.

Импульсное рабочее напряжение диода Ганна

Мгновенное значение импульсного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность

102.

Непрерывная рассеиваемая мощность СВЧ диода

Е. R. F. с. w. power dissipation

F. Dissipation de puissance dans le cas d'une onde R. F. entretenue

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в непрерывном режиме работы

103.

Импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода

Е. Pulse r. f. power dissipation

F. Dissipation de puissance dans la cas de train d'ondes R. F.

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импульсном режиме работы

104.

Средняя рассеиваемая мощность СВЧ диода

Е. Average r. f. power

F. Puissance R. F. moyenne

Сумма средних значений рассеиваемых СВЧ диодом мощностей от всех источников

105.

Непрерывная выходная мощность СВЧ диода

Значение непрерывной СВЧ мощности, отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме

106.

Импульсная выходная мощность СВЧ диода

Значение импульсной СВЧ мощности, отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме

107.

Мощность ограничения СВЧ диода

Е. Clipping power

Уровень СВЧ мощности, подводимой на вход линии передачи с диодом, включенным параллельно линии передачи, при которой выходная мощность достигает заданного значения

108.

Тангенциальная чувствительность СВЧ диода

Е. Tangential sensitivity

Значение импульсной мощности СВЧ сигнала, при котором на экране осциллографа, включенного на выходе системы "детекторное устройство-видеоусилитель" наблюдается совпадение верхней границы полосы шумов при отсутствии СВЧ сигнала с нижней границей полосы шумов при его наличии

109.

Граничная мощность детекторного диода

Значение мощности, при которой зависимость выпрямленного тока детекторного диода от мощности сигнала отклоняется от линейной на заданное значение при заданном сопротивлении нагрузки

110.

Минимально различимая мощность сигнала детекторного диода

Значение мощности СВЧ сигнала, поданного на приемник с детектором на входе, при котором отношение сигнал-шум равно единице

111.

Время тепловой релаксации СВЧ диода

Интервал времени с начала подачи импульса, за который температура перехода СВЧ диода достигает 63,2% от значения температуры в установленном режиме

112.

Энергия одиночного импульса СВЧ диода

Е. Single pulse energy

F. Energie d'une impulsion



Значение энергии одного воздействующего на СВЧ диод короткого импульса.

Примечание. Под коротким импульсом понимается импульс длительностью не более 10 с

113.

Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диода

Е. Repetitive pulse energy

F. Energie d'une impulsion


Значение энергии серии воздействующих на СВЧ диод повторяющихся коротких импульсов

114.

Энергия выгорания СВЧ диода

Е. Burn-out energy

F. Energie de claquage





Минимальное значение энергии одиночного короткого импульса СВЧ диода, после воздействия которого электрические параметры СВЧ диода изменяются на заданные значения

115.

Энергия СВЧ импульсов СВЧ диода

Значение энергии воздействующих на СВЧ диод СВЧ импульсов длительностью менее 3·10 с

116.

Полное входное сопротивление СВЧ диода

Полное сопротивление, измеренное на входе диодной камеры с СВЧ диодом в заданном режиме

117.

Прямое сопротивление потерь переключательного диода

Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном прямом токе

118.

Обратное сопротивление потерь переключательного диода

Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном обратном напряжении

119.

Сопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощности

Сопротивление потерь ограничительного диода, измеряемое при малых значениях СВЧ мощности, на начальном участке ограничительной характеристики, при которых сопротивление диода не изменяется

120.

Сопротивление ограничительного диода при высоком значении СВЧ мощности

Сопротивление потерь ограничительного диода, измеряемое при значениях СВЧ мощности, больших мощности ограничения, при которых сопротивление диода не изменяется

121.

Сопротивление диода Ганна

Активное сопротивление диода Ганна, измеряемое при напряжении значительно меньшем порогового

122.

Выходное сопротивление смесительного диода

Активная составляющая полного сопротивления смесительного диода на промежуточной частоте в заданном режиме

123.

Выходное сопротивление детекторного диода на видеочастоте

Активная составляющая полного сопротивления детекторного диода на видеочастоте в заданном режиме

124.

Постоянная времени СВЧ диода

Произведение емкости перехода на последовательное сопротивление потерь СВЧ диода

125.

Время выключения СВЧ диода

Интервал времени нарастания обратного напряжения СВЧ диода при переключении его из открытого состояния в закрытое, отсчитанное по уровню 0,1 и 0,9 установившегося значения обратного напряжения

126.

Полоса частот СВЧ диода

Интервал частот, в котором СВЧ диод, настроенный на заданную частоту, обеспечивает заданные параметры и характеристики в неизменном рабочем режиме

127.

Предельная частота умножительного диода

Значение частоты, на которой добротность умножительного диода равна единице.

Примечание. Предельная частота определяется по формуле

,


где - емкость перехода;

 - последовательное сопротивление потерь

128.

Критическая частота переключательного диода

Обобщенный параметр переключательного диода, определяемый по формуле



129.

Добротность СВЧ диода

Отношение реактивного сопротивления СВЧ диода на заданной частоте к активному при заданном значении обратного напряжения

130.

Потери преобразования смесительного диода

Е. Conversion loss

F. Perte de conversion

Отношение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры к мощности сигнала промежуточной частоты в нагрузке смесительного диода в рабочем режиме

131.

Коэффициент полезного действия СВЧ диода

Отношение выходной мощности СВЧ диода к потребляемой им мощности

132.

Выходное шумовое отношение СВЧ диода

Е. Output noise ratio

F. Rapport de de bruit

Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот

133.

Нормированный коэффициент шума смесительного диода

Е. Standard overall average noise figure

F. Facteur de bruit total moyen normal



Значение коэффициента шума приемного устройства со смесительным диодом на входе при коэффициенте шума усилителя промежуточной частоты равном 1,5 дБ

134.

Коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода

КCВН

Е. Voltage standing wave ratio

V.S.W.P.

F. Taux d'ondes stationnaires T.O.S (R.O.S.)

Коэффициент стоячей волны по напряжению в линии передачи СВЧ, нагруженной на определенную диодную камеру с СВЧ диодом в рабочем режиме

135.

Чувствительность по току СВЧ диода

E. Total current sensitivity

F. totale en courant

Отношение приращения выпрямительного тока диода к вызвавшей это приращение СВЧ мощности на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме при заданной нагрузке

136.

Чувствительность по напряжению СВЧ диода

Отношение приращения напряжения на нагрузке СВЧ диода к вызвавшей это приращение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме

137.

Температурный коэффициент выходной мощности СВЧ диода

Отношение относительного изменения выходной мощности СВЧ диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды

138.

Температурный коэффициент частоты СВЧ диода

Отношение относительного изменения частоты генерации СВЧ диода к разности температур, окружающей среды

ШУМОВЫЕ ДИОДЫ

139.

Спектральная плотность напряжения шумового диода

Отношение среднего квадратического значения напряжения шумового диода к корню квадратному из заданного диапазона частот

140.

Спектральная плотность мощности шумового диода

Отношение среднего квадратического значения мощности шумового диода к заданному диапазону частот

141.

Неравномерность спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода


,

Отношение экстремального значения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к их среднему значению, выраженное в децибелах

142.

Температурный коэффициент спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода

 

,

Отношение относительного изменения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе диода

143.

Граничная частота шумового диода

Значение частоты, на которой спектральная плотность напряжения или мощности шумового диода имеет максимальное отклонение от ее среднего значения

144.

Диапазон частот шумового диода

Интервал частот, заключенный между верхней и нижней граничной частотой шумового диода

145.

Постоянный рабочий ток шумового диода

Значение постоянного тока, при котором определяются параметры шумового диода

146.

Постоянное напряжение шумового диода

Значение постоянного напряжения, обусловленного постоянным рабочим током шумового диода

Доступ к полной версии документа ограничен
Полный текст этого документа доступен на портале с 20 до 24 часов по московскому времени 7 дней в неделю.
Также этот документ или информация о нем всегда доступны в профессиональных справочных системах «Техэксперт» и «Кодекс».
Нужен полный текст и статус документов ГОСТ, СНИП, СП?
Попробуйте «Техэксперт: Лаборатория. Инспекция. Сертификация» бесплатно
Реклама. Рекламодатель: Акционерное общество "Информационная компания "Кодекс". 2VtzqvQZoVs