ГОСТ 19658-81
Группа В51
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
КРЕМНИЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ В СЛИТКАХ
Технические условия
Monocrystalline silicon in ingots. Specifications
ОКП 17 7213
Дата введения 1983-01-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством цветной металлургии СССР
РАЗРАБОТЧИКИ
В.С.Матвеев, канд. техн. наук; А.Г.Галканов; М.Б.Рейфман, канд. хим. наук; Л.И.Власова; Р.И.Генкина; И.П.Кагановский, канд. техн. наук; Л.В.Куликова; Л.В.Лайнер, канд. техн. наук; В.И.Маркова; А.И.Попов; Н.Н.Соловьев, канд. техн. наук; Б.М.Туровский, д-р техн. наук
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 27.02.81 N 1090
3. ВЗАМЕН ГОСТ 19658-74
4. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
Обозначение НТД, на который дана ссылка | Номер пункта, приложения |
1.1 | |
Приложения 7, 8а, 9 | |
Приложение 8 | |
Приложение 1 | |
Приложения 4, 8, 8а, 9 | |
Приложение 9 | |
Приложение 9 | |
Приложение 6 | |
Приложения 1, 4, 9 | |
Приложения 4, 9 | |
Приложение 3 | |
Приложения 8, 9 | |
Приложения 3, 6, 7, 8, 8а | |
Приложения 4, 9 | |
Приложения 7, 8а | |
Приложение 4 | |
Приложения 4, 7, 9 | |
Приложение 8 | |
4.5 | |
Приложения 3, 8 | |
Приложения 3, 4, 6, 7, 8, 8а, 9 | |
Приложение 6 | |
Приложения 3, 8 | |
Приложения 5, 7, 8а | |
Приложение 5 | |
4.1 | |
Приложения 1, 4, 7, 8а, 9 | |
Приложение 8 | |
Приложение 6 | |
Приложение 5, 8 | |
Приложения 4, 8а, 9 | |
Приложения 3, 4, 5, 8, 9 | |
Приложения 7, 8а | |
4.6 | |
Приложения 7, 8а | |
Приложение 9 | |
Приложения 3, 7, 8, 8а | |
4.2, 4.3 | |
Приложение 4 | |
Приложения 7, 8а | |
3.8б | |
Приложения 3, 7, 8а, 8, 9 | |
Приложения 4, 9 | |
ТУ 6-09-3401-70 | Приложение 9 |
ТУ 6-09-4015-78 | Приложения 1, 9 |
ТУ 25-10(АМЦ.778.019)-84 | Приложение 3 |
ТУ 25-10(АМЦ.778.020)-84 | Приложение 3 |
5. Ограничение срока действия снято Постановлением Госстандарта от 12.05.92 N 480
6. ИЗДАНИЕ с Изменениями N 1, 2, утвержденными в июле 1987 года, мае 1992 года (ИУС 11-87, 8-92)
Настоящий стандарт распространяется на слитки монокристаллического кремния, получаемые методом Чохральского и предназначенные для изготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл - диэлектрик - полупроводник.
(Измененная редакция, Изм. N 2).