ГОСТ Р 56512-2015 Контроль неразрушающий. Магнитопорошковый метод. Типовые технологические процессы

     12 Технологические операции и способы магнитопорошкового контроля. Намагничивание

12.1 Магнитопорошковый контроль включает следующие технологические операции:

- намагничивание;

- нанесение магнитного индикатора;

- осмотр контролируемой поверхности и обнаружение дефектов;

- оценка и оформление результатов контроля;

- размагничивание (при необходимости);

- заключительные операции.

12.2 При МПК применяют следующие виды намагничивания:

- циркулярное;

- продольное (полюсное);

- индукционное циркулярное;

- комбинированное;

- во вращающемся магнитном поле;

- способом магнитного контакта.

12.3 Вид, способ и схему намагничивания выбирают в зависимости от геометрической формы и размеров объекта контроля, материала и толщины немагнитного защитного покрытия, а также от типа, местоположения и ориентации дефектов, подлежащих выявлению. При этом наилучшее условие выявления дефектов - перпендикулярное направление намагничивающего магнитного поля по отношению к направлению ожидаемых дефектов.

12.4 Минимальное и максимальное значения напряженности приложенного магнитного поля определяют по приложению И или по формулам:

Примеры видов, способов и схем намагничивания объектов приведены в приложении Ж.

12.5 Допускается уменьшение угла между направлением магнитного поля и плоскостью дефектов до 30°. При этом если угол между направлением магнитного поля и плоскостью дефектов равен 60° и меньше, то для обеспечения выявляемости дефектов, соответствующей углу 90°, напряженность задаваемого намагничивающего поля должна быть увеличена на коэффициент с учетом угла между направлением магнитного поля и плоскостью ожидаемых дефектов по соотношению:

,                                                                (3)

или

,                                                                (4)

где - напряженность магнитного поля, требуемая для выявления дефектов данного направления при угле между направлением магнитного поля и плоскостью дефектов 90°.

Коэффициент увеличения задаваемой напряженности магнитного поля в зависимости от угла между направлением магнитного поля и плоскостью дефектов равен: