Таблица 5
Термин | Номер термина |
Accumulation de porteurs | 52 |
Amorcage de thyristor | 60 |
Anode | 131 |
Assemblage | 64 |
Assemblage de redressement ( | 71 |
Bloc de redressement ( | 70 |
Borne | 128 |
Borne principale | 129 |
Canal | 31 |
Capsule | 133 |
Cathode | 130 |
Cellule photoinductive | 127в |
Claquage (d'une jonction P-N) | 45 |
Claquage | 46 |
Claquage par avalanche (d'une jonction P-N) | 47 |
Claquage par effet thermique (d'une jonction P-N) | 49 |
Claquage par effet Zenner (tunnel) | 48 |
Commutation de thyristor | 59 |
Couche de | 39 |
Couche d'inversion | 42 |
Couche enrichie | 41 |
| 61 |
Diode | 77 |
Diode | 89 |
Diode | 78 |
Diode | 68 |
Diode | 67 |
Diode | 66 |
Diode | 63 |
Diode de bruit | 93 |
Diode de commutation | 79 |
Diode de limitation de | 85 |
Diode de redressement | 69 |
Diode de Schottky | 88 |
Diode | 84 |
Diode de tension de | 91 |
Diode d'impulsion | 72 |
Diode | 127 |
Diode in | 76 |
Diode Gunn | 81 |
Diode | 75 |
Diode | 80 |
Diode modulatrice ( | 87 |
Diode | 90 |
Diode PIN | 83 |
Diode pour multiplication de | 86 |
Diode tunnel | 74 |
Dispositif | 119 |
Dispositif | 62 |
Dispositif semiconducteur sans boitier | 134 |
Drain | 33 |
Etat | 58 |
Etat | 56 |
Etat passant de thyristor | 57 |
Grille | 34, 132 |
Jonction | 1 |
Jonction abrupte | 5 |
Jonction | 9 |
Jonction | 12 |
Jonction | 8 |
Jonction collecteur | 22 |
Jonction de conversion | 11 |
Jonction de croissance | 14 |
Jonction de par surface | 7 |
Jonction | 21 |
Jonction | 15 |
Jonction graduelle | 6 |
Jonction | 16 |
Jonction | 17 |
Jonction | 13 |
Jonction N-N | 3 |
Jonction ohmique | 20 |
Jonction planar | 10 |
Jonction P-N | 2 |
Jonction P-P | 4 |
Jonction redresseuse | 19 |
Jonction Schottky | 18 |
Modulation | 50 |
51 | |
Photocoupleur | 121 |
Photodiode | 127а |
| 120 |
Photothyristor | 127г |
Phototransistor | 127б |
Recouvrement direct | 54 |
Recouvrement inverse | 55 |
| 29 |
| 40 |
| 26 |
| 28 |
| 27 |
| 25 |
| 24 |
| 23 |
| 30 |
| 53 |
Sens direct (d'une jonction P-N) | 43 |
Sens inverse (d'une jonction PN) | 44 |
Source | 32 |
Structure | 35 |
38 | |
Structure-MIS | 36 |
Structure-MOS | 37 |
Thyristor | 105 |
Thyristor blocable | 114 |
Thyristor diode | 106 |
Thyristor diode bi-directionnel | 109 |
Thyristor diode | 107 |
Thyristor diode passant en inverse | 108 |
Thyristor N | 117 |
Thyristor Р | 116 |
Thyristor signal | 118 |
Thyristor triode | 110 |
Thyristor triode bi-directionnel | 113 |
Thyristor triode | 111 |
Thyristor triode passant en inverse | 112 |
Transistor | 99 |
Transistor | 95 |
Transistor | 100 |
Transistor | 101 |
Transistor | 98 |
Transistor | 97 |
Transistor bi-directionnel | 104 |
Transistor bipolaire | 94 |
Transistor en | 96 |
Transistor-MIS | 102 |
Transistor-MOS | 103 |
(Измененная редакция, Изм. N 2, 3, 4).