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ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения (с Изменениями N 1, 2, 3, 4)

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 3


Термин	Номер термина
Abbau von in der Basis	53
Abschaltbarer Thyristor	114
Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors	29
Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes	131
Anodenseitig gesteuerter Thyristor	117
Anreicherungsschicht	41
Auschluss eines Halbleiterbauelementes	128
Ausschalten eines Thyristors	61
Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes	129
Basisgebiet	26
Bidirektionaltransistor	104
Bipolarer Transistor	94
Blockierzustand eines Thyristors	56
Defektelektronengebiet	23
Diffundierter	9
Diffusionstransistor	95
Drain (Senke)	33
Drifttransistor	96
Durchbruch des	45
Durchgreifeffekt	51
Durchlassrichtung des	43
Durchlasszusfand eines Thyristors	57
Eigenleitungsgebiet	25
Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halbleiterdiode	54
Elektrischer Durchbruch des	46
Elektrischer (Sperrschicht)	1
Elektronengebiet	24
Emittergebiet	27
	21
	15
Gate (Tor)	34
eines Halbleiterbauelementes	133
Halbleiterbauelement	134
Gezogener	14
	19
Gunn-Element	81
Feldeffekttransistor (FET)	100
Feldetffekttransistor mit isoliertem Gate	101
	98
	7
Fotodiode	127а
Fotothyristor	127г
Fototransistor	127б
Fotowiderstand	127в
Halbleiterbauelement	62
Halbleiterbegrenzerdiode	85
Halbleiterdemodulatordiode	84
Halbleiterdiode	66
	68
Halbleitergleichrichterdiode	69
Halbleiter-HF-Schaltdiode	82
Halbleiterimpulsdiode	72
Halbleiterinjektionslaufzeitdiode	78
Halbleiterlawinenlaufzeitdiode	77
	63
Halbleitermischdiode	80
Halbleitermodulatoridiode	87
Halbleiterrauschdiode	93
Halbleiterschaltdiode	79
Halbleiterspitzendiode	67
Halbleiterstrahler	120
Halbleitertunneidiode	74
Halbleiterunitunneldiode	75
Halbleitervaraktordiode	90
Halbleitervervielfacherdiode	86
Halbleiter-Z-Diode	91
	16
Homogener	17
Infrarotemitterdiode (IRED)	127
Inversionsschicht	42
Kanal	31
	89
Katodenanschluss eines Halbleiterbauelements	130
Katodenseitig gesteuerter Thyristor	116
Kollektorgebiet	28
	22
	11
Ladungsspeicherdiode	73
Lawinendurchbruch des	47
Lawinentransistor	99
Legierter	12
Lichtemitterdiode (LED)	122
Mesastruktur	38
Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MIS-Struktur)	36
Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur (MOS-Struktur)	37
Mikrolegierter	13
MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET)	102
Modulation der Basisbreite	50
MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)	103
	3
Ohmischer	20
Optoelektronischer Koppler	121
Optoelektronischer Halbleiterbauelement	119
Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors	30
PIN-Diode	83
	10
	2
	4
	8
leitende Thyristordiode	108
Ieitende Thyristordiode	112
sperrende Thyristordiode	107
sperrende Thyristordiode	111
Schottky-Diode	88
	18
Source (Quelle)	32
Speicherung von in der Basis	52
Sperrichtung des	44
Sperrschicht	40
Sperrzustand eines Thyristors	58
Spitzentransistor	97
Steiler	5
Stetiger	6
Steuerelektrode eines Halbleiterbauelementes	132
Struktur eines Halbleiterbauelementes	35
Thermischer Durchbruch des	49
Thyristor	105
Thyristordiode	106
Thyristordiode	110
Tunneldurchbruch des	48
UHF-Halbleiterdiode	76
Umschalten eines Thyristors	59
Verarmungsschicht	39
Wiederherstellung des Sperrwiderstandes einer Halbleiterdiode	55
eines Thyristors	60
Zweirichtungsthyristordiode	109
Zweirichtungsthyristortriode	113

(Введен дополнительно, Изм. N 2).