Едини-
ца измере-
ния

2007 год

2008 год

2009 год

2010 год

2011 год

2012 год

2013 год

2014 год

2015 год

Индикатор

Достигаемый технологический уровень электроники

мкм

0,18

0,18

0,13

0,13

0,09

0,09

0,09

0,09

0,045

Показатели

Увеличение объемов продаж изделий электронной и радиоэлектрон-
ной техники

млрд. рублей

19

58

70

95

130

170

210

250

300

Количество разработанных базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектрони-
ки (нарастающим итогом)

-

3-5

16-20

80-90

125-135

179-185

210

230

250

260-270

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)

-

1

8

10

14

30

30

31

31

42

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектрон-
ного комплекса (нарастающим итогом)

-

-

-

-

-

1

1

1

4

4

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектрон-
ного комплекса (нарастающим итогом)

-

-

-

-

-

-

1

3

3

10

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектрон-
ного комплекса (нарастающим итогом)

-

-

1

1

2

2

3

5

5

7

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектрон-
ных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)

-

-

1

5

8

18

21

25

25

96

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектрон-
ных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом)

-

-

-

-

-

-

1

1

1

1

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектрон-
ных производств в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектрон-
ного комплекса (нарастающим итогом)

-

-

-

-

-

-

-

1

1

9

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектрон-
ных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектрон-
ного комплекса (нарастающим итогом)

-

-

-

-

-

-

-

1

1

8

Количество завершенных
поисковых технологических
научно-
исследователь-
ских работ (нарастающим итогом)

-

1

3

9

9-10

10-12

12-14

14-16

16-18

20-22

Количество реализованных мероприятий по созданию электронной компонентной базы, соответствую-
щей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом)

-

4

11-12

16-20

22-25

36-40

41-45

45-50

50-55

55-60

Количество создаваемых рабочих мест (нарастающим итогом)

-

450

1020-
1050

1800-
2200

3000-
3800

3800-
4100

4100-
4400

4400-
4700

4700-
5000

5000-
6000

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

Мероприятия

2008-2015

В том числе

Ожидаемые результаты

годы - всего

2008 год

2009 год

2010 год

2011 год

2012 год

2013 год

2014 год

2015 год

I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника

1.

Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастот-
ных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А В

128,624
84

66
44

62,624
40

создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А В для бортовой и наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

2.

Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастот-
ных микросхем и объемных приемопередающих сверхвысокочас-
тотных субмодулей
X-диапазона

208,25
137,7

30,5
20

39,5
26

53,25
35,5

31,8
21,2

53,2
35

создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-
передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы А В для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

3.

Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастот-
ных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетеро-
эпитаксиальных структур

212,75
134,75

141,75
87,75

71
47

создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации (2009 год)

4.

Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастот-
ного диапазона на основе нитридных гетероэпитак-сиальных структур

531
375

20
17

77,5
65

163,5
109

118
80

152
104

создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

5.

Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастот-
ных компонентов и сложнофункцио-
нальных блоков для сверхвысокочастот-
ных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"

149,257
101,7

85,757
59,7

63,5
42

создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона
2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

6.

Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастот-
ных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"

248,55
158, 1

5,6
5

65,8
35

177,15
118,1

создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона
2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

7.

Разработка аттестованных библиотек сложнофункцио-
нальных блоков для проектирования сверхвысокочастот-
ных и радиочастотных интегральных схем на основе гетероструктур "кремний - германий"

448,408 308,75

253
169

195,408
139,75

разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных  интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

8.

Разработка базовых технологий проектирования кремний-
германиевых сверхвысокочастот-
ных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункцио-
нальных блоков

217,44
142

47
30

80,09
52

58,95
39,3

17
11,3

14,4
9,4

создание базовых технологий проектирования на основе библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

9.

Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастот-
ных приборов и узлов аппаратуры

114,9
74

60
40

54,9
34

создание базовых технологий производства элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

10.

Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастот-
ных приборов и узлов аппаратуры

126,913
73,1

79,513
41,5

47,4
31,6

создание базовых конструкций  и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

11.

Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастот-
ных транзисторов
X-, C-, S-, L- и
P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью

226
152

151,2
102

74,8
50

создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

12.

Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастот-
ных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов

83,5
55

13
8

40,5
27

30
20

создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-
космических комплексов

13.

Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастот-
ных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов

109
62

64
32

45
30

создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и
С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

14.

Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысоко-
частотных транзисторов S- и L-диапазонов

13
8

13
8

создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной  аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

15.

Разработка конструктивно-
параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастот-
ных транзисторов S-и L-диапазонов

208,9
115, 9

139,9
69,9

69
46

создание конструктивно-
параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

16.

Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизирован-
ного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастот-
ных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастот-
ных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и
P-диапазонов для их массового производства

32
22

18
12

14
10

разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов  и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании

17.

Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-
твердотельных сверхвысокочастот-
ных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастот-
ных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектричес-
ких приборов сверхвысокочастот-
ного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

149,416
102

84,916
59

64,5
43

создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов  среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

18.

Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-
твердотельных сверхвысокочастот-
ных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастот-
ных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектричес-
ких приборов сверхвысокочастот-
ного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

118,45
85,3

77,5
58

40,95
27,3

разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

19.

Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастот-
ных резисторно-
индуктивно-
емкостных матриц многофункциональ-
ного назначения для печатного монтажа и сверхбыстродейст-
вующих (до 150 ГГц) приборов на наногетеро-
структурах с квантовыми дефектами

110,5
75,5

65,5
45,5

45
30

создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-
емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2008 год), создание базовой технологии получения сверхбыстродействующих
(до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

20.

Разработка базовых конструкций и технологии производства нанопленочных малогабаритных сверхвысоко-
частотных резисторно-
индуктивно-
емкостных матриц многофункциональ-
ного назначения для печатного монтажа

84,5
53

50
30

34,5
23

создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-
емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

21.

Разработка базовой технологии сверхвысокочастот-
ных p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнито-
электронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммо-
образования

133,314
88

63,447
42

69,867
46

создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

22.

Разработка базовых технологий создания мощных вакуумных сверхвысокочастот-
ных устройств

2342,933
1540,66

338
230

295,11
193, 1

364,823
226,98

380,85
253, 9

320
210

189,8
124, 8

218,35
145,88

236
156

создание конструктивных рядов и базовых технологий проектирования и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку: конструкций многолучевых электронно-
оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год); мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона
(2013 год); малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год)

23.

Разработка базовых технологий создания мощных твердотельных сверхвысокочастот-
ных устройств на базе нитрида галлия

1661,182
1096,4

158,001
103

253,012
166,5

296,269
192, 4

293,55
195,7

287,35
189,9

118
78, 9

112
75

143
95

создание базовых конструкций и технологий изготовления сверхвысокочастотных мощных приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая: создание гетеропереходных полевых транзисторов с диодом Шоттки с удельной мощностью до 30-40 Вт/мм и рабочими напряжениями до 100 В; исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год); разработка технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год)

24.

Исследование  перспективных типов сверхвысокочастот-
ных  приборов и  структур, разработка технологических принципов их изготовления

1085,2
699,1

160,2
32,8

99,5
224,7

300
147,6

308
170

217,5
124

исследование технологических  принципов формирования перспективных сверхвысокочастотных приборов и структур, включая  создание приборов и наногетероструктур,  использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц

25.

Разработка перспективных методов проектирования и моделирования сложно-
функциональной сверхвысокочастот-
ной электронной компонентной базы

1043,3
699,1

49,2
32,8

331,7
224,7

221,4
147,6

255
170

186
124

Всего по направлению 1

9787,287
6468,08

1485,57
993,95

1392,821
929,35

1375,395
855,78

1603,5
1069

1205,35
804,12

1048,8
700

893,35
595,88

782,5
520

создание полного состава прикладных программ проектирования и оптимизации  сверхвысокочастотной электронной компонентной базы, включая проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе

Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база

26.

Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм

106,65
79,65

60
38

46,65
41,65

создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2009 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)

27.

Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм

286,65
188, 1

39,2
19,6

170,25 113,5

53,2
37,2

24
17,8

создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2013 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы

28.

Разработка технологии проектирования и конструктивно-
технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно-
функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм

245,904
164

130
87

115,904
77

создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,25 мкм (2009 год)

29.

Разработка технологии проектирования и конструктивно-
технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств,
сложно-
функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами
до 0,18 мкм

365,35
235

108,6
54,3

166,05
110,7

67,7
52,6

23
17,4

создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,18 мкм

30.

Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магнито-
резистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы

141,75
97,65

92
63

49,75
34,65

создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,35 мкм и базовой технологии создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2009 год)

31.

Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магнито-
резистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы

257,45
159,2

74,6
37,3

130,35
86,9

42,3
28,2

10,2
6,8

создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2013 год)

32.

Разработка технологии "кремний на сапфире" изготовления ряда лицензионно-
независимых радиационно стойких комплементарных полевых полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса

110,736
73

58,609
38

52,127
35

разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения

33.

Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире

370,802
231,7

82,952
39,8

190,35
126,9

72,6
48,4

24,9
16,6

создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости
(2013 год)

34.

Разработка базовой технологии и приборно-техно-
логического базиса производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", радиационно стойкой силовой электроники для аппаратуры питания и управления

92,669
73,15

51
40

41,669 33,15

разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического  маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год)

35.

Разработка элементной базы радиационно стойких интегральных схем на основе полевых эмиссионных микронанотриодов

74,41
50, 6

36,2
26, 1

38,271
24,5

создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования

36.

Создание информационной базы радиационно стойкой электронной компонентной базы, содержащей модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы

256,6
167,3

21,4
10,7

25
16,6

92,4
61,6

117,8
78,4

разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний

37.

Разработка библиотек стандартных элементов и сложнофункцио-
нальных блоков для создания радиационно стойких сверхбольших интегральных схем

975,5
650

105
70

184,5
123

281,5
187,5

209,5
139,5

195
130

создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости
(2012 год, 2015 год)

38.

Разработка расширенного ряда радиационно стойких сверхбольших интегральных схем для специальной аппаратуры связи, обработки и передачи информации, систем управления

978,75
650

187,5
125

185
123

163
108,5

242,75
160

200,5
133,5

разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание  ряда микронанотриодов и микронанотриодов с  наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования

39.

Разработка и совершенствование методов моделирования и проектирования радиационно стойкой элементной базы

953
634

75
50

275
183

230
153,5

196
130,5

177
117

разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний

40.

Разработка и совершенствование базовых технологий и конструкций радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе" с топологическими нормами не менее 0,18 мкм

988,15
650

180
120

191
123

177,5
113,5

233,65
160

206
133,5

создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2014 год), создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год)

Всего по направлению 2

6204,432
4103,35

427,809
292,1

344,371
245,95

326,752
161,7

1229,5
819, 6

1163,7
780

1051,9
700

881,9
590

778,5
514