Недействующий

Об утверждении федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2002-2006 годы (с изменениями на 7 мая 2006 года) (фактически утратило силу в связи с истечением срока действия)


Инвестиционные проекты (капитальные вложения*)
________________ * Без изменения сметной стоимости проектов.
13.	Модернизация комплексов технологического оборудования для создания новых конструкционных и функциональных материалов на ФГУП "ЦНИИ КМ "Прометей", г.Санкт-Петербург	18,5 --------- 18,5	15 --------- 15	14,1 --------- 14,1	17,95 --------- 17,95	21,5 --------- 21,5	эксперименталь- ная отработка технологий создания новых конструкционных и функциональных материалов для судостроения и других отраслей промышленности, обеспечение испытаний облученных конструкционных материалов
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
14.	Организация производства микропорошков на базе ГУП "ЦНИИМ", г.Санкт-Петербург	7 --------- 7	7,84 --------- 7,84	-	-	-	обеспечение широкомасштаб- ного выпуска соединительных, уплотнительных и износостойких деталей и существенное уменьшение импортных закупок для нефтеперераба- тывающей, горно-добывающей, дорожно-строительной и металлургичес- кой промышленнос- ти
	Позиция исключена постановлением Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274. - См. предыдущую редакцию.
II. Электронная компонентная база
Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
1. Микроэлектроника
15.	Разработка базовых технологий конструирования новых поколений сверхбольших интегральных схем (СБИС) и сверхскоростных интегральных схем (ССИС) с минимальными размерами элементов 0,1-0,25 мкм для аппаратуры сверхвысокого быстродействия и сверхскоростной обработки информации, в том числе базовой технологии	139,8 --------- 69,9	82,6 -------- 41,3	127,2 --------- 63,6	35,6 --------- 17,8	31,2 --------- 15,6	создание базовых технологий СБИС и ССИС на кремнии с предельно достижимыми минимальными топологическими размерами, максимальной тактовой частотой 500 МГц и
	производства спецстойких СБИС с минимальными размерами элементов 0,5-0,8 мкм и полупроводниковых приборов, включая радиационно-стойкие						степенью интеграции транз/кр.; снижение стоимости проектирования и сборки РЭА специального и общего назначения в 2-3 раза, снижение энергопотребления в 3-4 раза; повышение функциональных возможностей аппаратуры и снижение стоимости единичной функции в 10-20 раз; возможность серийного производства для выпуска КМОП СБИС со степенью интеграции до вент/кр. при сохранении группы стойкости 2У-ЗУ, сохранение технологической независимости и обеспечение безопасности работы атомных станций
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
16.	Разработка технологической базы (среды) сквозного автоматизированного проектирования элементной базы и аппаратуры, включающей библиотеки элементов, библиотеки макроблоков (СФ), технологическое обеспечение приборных разработок с привлечением зарубежных партнеров, создание единой базы данных разрабатываемых российских проектов, в том числе разработка технологии проектирования микроэлектронных ядер и моделей для обработки, сжатия, передачи и распознавания информации в системах телекоммуникаций, в том числе цифрового телевидения и информационного мониторинга	82 --------- 41	74,6 --------- 37,3	21 ------- 10,5	21 ------- 10,5	6,4 --------- 3,2	создание технологической базы среды сквозного проектирования элементной базы и аппаратуры; сокращение сроков внедрения перспективной элементной базы в разработки аппаратуры; обеспечение технологической независимости при разработке конкурентоспо- собной продукции; создание центров проектирования, сертификации и аттестации пластин, разработанных по алгоритмам российских заказчиков; разработка и реализация механизма технологического взаимодействия в рамках единой среды и разработки элементной базы и аппаратуры; создание конкурентоспо- собной технологии проектирования СФ-блоков, СБИС "система на кристалле" с характеристиками, не уступающими мировым достижениям, позволяющей в
							малые сроки и с наименьшими затратами создавать унифицированные комплексы сверхвысокой производитель- ности в реальном масштабе времени для различных областей применения
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
16_1	Разработка и внедрение системы автоматизированного проектирования электронной компонентной базы (ЭКБ), в том числе СБИС "система на кристалле", на основе структур КМОП-технологий с проектными нормами 0,18-0,25 мкм	-	-	-	-	720 -------- 360	создание отечественной технологии конструирования сложнофункциональной ЭКБ "система на кристалле" для конкурентоспособных комплексов радиолокации, систем связи, телевидения и радиовещания нового поколения и т.д., в том числе двойного назначения; снижение массо-габаритных характеристик аппаратуры в 3-5 раз и увеличение ее надежности в 2-3 раза; сокращение расходов на закупку аналогичной зарубежной элементной базы
(пункт дополнительно включен постановлением Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274)
17.	Создание приборно-технологического базиса производства сверхбыстродействующих БИС типа БиКМОП и на основе SiGe для телекоммуникационных систем и перспективных систем техники	30,2 --------- 15,1	20 --------- 10	14,6 --------- 7,3	-	-	в настоящее время за рубежом на основе SiGe серийно выпускаются СВЧ-транзисторы мощностью до 0,2 Вт на диапазон частот до 3,0 ГГц и освоено производство специализиро- ванных ИС для средств связи, а производство ИС широкого применения (операционных и инструментальных усилителей) отсутствует, не имеется отечественной технологии БИС на основе БиКМОП. Разработка таких БИС позволит реализовать анализаторы спектра с высокой разрешающей способностью для аппаратуры специального применения; результаты работ позволят улучшить характеристики отечественной измерительной и приемопередаю- щей техники, систем радиолокации, средств телекоммуника- ций и цифрового телевидения
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
18.	Разработка СФ-блоков для обработки, сжатия и передачи информации, в том числе ядер: процессоры (сигнальные и цифровые) и микроконтроллеры; цифроаналоговые, аналого-цифровые преобразователи; шины и интерфейсы (драйверы, приемо-передатчики и т.д.); специализированные блоки для телекоммуникаций, включая блоки для цифрового телевидения, радиорелейной связи и ATM-технологии (аудио-видео сжатие, цифровая фильтрация, видеоконтроллеры, модемы, узлы помехоустойчивого кодирования, ATM-коммутатора,	-	-	80,8 --------- 40,4	130,6 --------- 65,3	137,2 --------- 68,6	создание функционально полной номенклатуры СФ-блоков, различающихся по производитель- ности и назначению и ориентированных на разработку СБИС "система на кристалле" для конкурентоспо- собных электронных систем мультимедиа, телекоммуника- ций, систем радиолокации, космического мониторинга,
	приемопередающего радиотракта, преобразования Фурье и т.д.)						транспорта, средств связи, цифрового телевидения, систем безналичного расчета и идентификации
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
19.	Разработка базовых конструкций и технологий производства серии универсальных интегрированных силовых IGBT-модулей и модулей прижимной конструкции нового поколения на токи до 1400 А и напряжение до 4500 В	12 --------- 6	11,2 --------- 5,6	11,6 --------- 5,8	-	-	выпуск отечественных силовых модулей на токи до 1400 А и напряжение 1200, 1800, 2500, 3300, 4500 В, предназначенных для применения в преобразова- тельном оборудовании, мощностью от десятков кВА до десятков МВА в электроприводах транспортных средств
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
20.	Разработка базовых конструкций и технологий производства полностью управляемых силовых полупроводниковых приборов с изолированным затвором (IGBT) и быстровосстанавливаю- щихся диодов (АКB) на токи до 100 А (на кристалл) и напряжение 1200, 1800, 2500, 3300, 4500 В	-	10,2 --------- 5,1	-	-	-	обеспечение выпуска силовых модулей различных конструкций и назначения
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
21.	Разработка библиотеки базовых конструкций силовых управляемых биполярных и полевых приборов на напряжения до 6,0 кВ, а также быстровосстанавливаю- щихся диодов и силовых ИС на напряжения до 2,5 кВ	-	-	-	-	-	разработка и освоение производства силовой элементной базы для выпуска конкурентоспо- собных силовых приборов, в которых остро нуждаются различные отрасли экономики, в том числе
							IGBT-модулей на токи 25-1000 А и напряжение от 600 В до 3300 В и комплектных БВД с временем обратного восстановления 0,05 мкс-0,3 мкс
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
22.	Разработка базовой конструкции и организация серийного производства "интеллектуальных" силовых IGBT-модулей на токи до 900 А и напряжения 1200 и 1700 В, а также серии универсальных интегрированных силовых IGBT-модулей и модулей прижимной конструкции нового поколения	-	-	3,2 --------- 1,6	-	4,2 --------- 2,1	разработка и освоение производства типового ряда интеллектуальных и силовых модулей позволит создать ресурсоэнерго- эффективное преобразова- тельное оборудование с улучшенными техническими характеристиками, большей надежностью, меньшими массогабаритными показателями и стоимостью в интересах городского электрифициро- ванного транспорта и транспортных средств в добывающей промышленности
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)


2. Наноэлектроника и микромеханика
23.	Разработка технологий производства микромеханических элементов для микросистемной техники	11,8 --------- 5,9	18,8 --------- 9,4	5,4 --------- 2,7		5,6 --------- 2,8	5,8 -------- 2,9	создание трехмерных микроизделий по технологии, обеспечивающей получение субмикронных трехмерных изделий без использования дорогостоящих литографических процессов, являющихся в настоящее время основой "кремниевой" технологии
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
24.	Создание интеллектуальных нанотехнологических комплексов для наноэлементов и терабитных микромеханических запоминающих устройств	6 --------- 3	18,8 --------- 9,4	5 --------- 2,5		5 --------- 2,5	5 --------- 2,5	развитие наукоемкого, с низкой энерго- и материалоем- костью производства электронной техники - нового поколения конкурентоспо- собных накопителей, превосходящих существующий уровень на несколько порядков по емкости и скорости передачи данных
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
25.	Разработка зондовых и ионных нанотехнологий формирования элементов с размерами менее 10 нм и исследование эмиссионных характеристик нанотрубных углеродных структур	11,4 --------- 5,7	18,8 --------- 9,4	19,6 --------- 9,8		11 --------- 5,5	11,2 --------- 5,6	создание приборов, значительно превосходящих традиционные аналоги по эффективности, надежности, ресурсу, массогабаритным параметрам и энергопотребле- нию; возможность разработок микросистемной техники на принципах искусственного интеллекта, а также разработки СБИС с уровнем интеграции до повышение конкурентоспо- собности разработанной радиоэлектронной аппаратуры
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
26.	Разработка библиотек и базовых элементов наноэлектроники и микроэлектроники, в том числе: нанодиодов; нанотранзисторов; нанодинисторов; нановаристоров; логических элементов; функциональных устройств	-	-	6 -------- 3		-	-	создание элементной базы для телекоммуника- ционной аппаратуры, в том числе для мобильной связи, радаров и средств связи ВВСТ.234
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
3. Акусто- и магнитоэлектроника
27.	Разработка технологии нанотехнологического производства пьезокерамических материалов и температуростабильных акустоэлектронных изделий для систем связи, гидроакустики, медицины и датчиков различного назначения	10,2 --------- 5,1	16,4 --------- 8,2	8,4 --------- 4,2		-	-	разработка базовых технологий и создание пьезокерамичес- ких материалов и акустоэлектрон- ных изделий с параметрами, не уступающими лучшим мировым образцам, организация серийного выпуска этих материалов и конкурентоспо- собных акустоэлектрон- ных изделий; экономический эффект от реализации изделий составит не менее 30 млн. рублей
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
28.	Разработка базовых конструкций типового ряда пьезоэлектронных устройств	-	-	4,2 --------- 2,1		-	-	создание пьезоэлектрон- ных
	нового поколения, в том числе: интегрированных датчиков; фильтров, резонаторов, генераторов; пьезогироскопов и пьезотрансформаторов							устройств нового поколения для применения в системах гидроакустики, точного оружия, адаптивной оптики, охраны морских и сухопутных границ, автомобильной электроники и медицины
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
29.	Разработка типового ряда перспективных ферритовых приборов, трансформаторов, устройств на магнитостатических волнах и магнитоэлектрических приборов микроволнового и радиодиапазона, в том числе: высокодобротных резонаторов; фазовращателей и циркуляторов; вентилей и ограничителей; перестраиваемых фильтров; переключателей	-	-	6,4 --------- 3,2		14,6 --------- 7,3	5,4 --------- 2,7	создание ферритовых приборов, устройств на МСВ и трансформаторов радиодиапазона для модернизации существующих электронных систем и разработок систем 5-го поколения
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
4. СВЧ-электроника
30.	Разработка базовых технологий изготовления мощных транзисторов и монолитных СВЧ-микросхем на основе гетероструктур материалов группы А3В5 для современных бортовых и наземных радиоэлектронных систем, унифицированных приемно-передающих модулей с высокой плотностью упаковки для АФАР дециметрового и сантиметрового диапазонов	19,8 --------- 9,9	25,2 --------- 12,6	21 --------- 10,5		-	-	технологии проектирования, изготовления и серийного выпуска мощных транзисторов и монолитных СВЧ-микросхем на основе гетероструктур материалов группы А3В5 для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации и средств связи нового поколения; создание нового класса отечественных радиоэлектронных систем на базе новейших достижений в области СВЧ-полупроводнико- вой электроники и развитие техники активных фазированных антенных решеток; обеспечение выпуска современной конкурентоспо- собной продукции с высоким экспортным
								потенциалом и техническими характеристиками, соответствую- щими лучшим мировым аналогам
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
31.	Реконструкция базовых унифицированных технологических процессов для разработок и выпуска мощных вакуумных СВЧ-приборов и комплексированных устройств на их основе	6,4 --------- 3,2	24 --------- 12	25,8 --------- 12,9		-	-	переход на новый технический уровень отечественной технологии изготовления мощных вакуумных СВЧ-приборов нового поколения с высокими эксплуатацион- ными характеристиками и повышенной долговечностью для дальнейшего развития высокопотенци- альных бортовых и наземных радиоэлектронных систем, а также миниатюрной аппаратуры миллиметрового диапазона
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
32.	Разработка технологии изготовления современных гетероструктур, широкозонных полупроводниковых соединений и новых диэлектрических материалов для приборов и МИС СВЧ-техники	9,6 --------- 4,8	12 --------- 6	10,8 --------- 5,4		-	-	технологии производства твердотельных микроэлектронных гетероструктур на основе арсенида галлия, нитрида галлия и карбида кремния на пластинах диаметром до 100 мм, обеспечивающих последующую размерную обработку менее 0,1 мкм
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
33.	Разработка технологии и базовых конструкций установок нового поколения для автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей СВЧ-полупроводниковых структур, мощных транзисторов и МИС СВЧ- диапазона	3,4 --------- 1,7	6,2 --------- 3,1	6,4 --------- 3,2		-	-	создание метрической аппаратуры нового поколения для исследований параметров полупроводниковых структур, активных элементов и МИС СВЧ в процессе изготовления и сдачи продукции с целью повышения процента выхода годных изделий, их долговечности и надежности при эксплуатации
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
34.	Разработка системы автоматизированного проектирования и библиотеки базовых конструкций перспективных ВЧ и СВЧ-приборов и интегральных схем, в том числе: генерации, обработки и передачи ВЧ- и СВЧ-	-	52,6 --------- 26,3	41 --------- 20,5		83 --------- 41,5	86 --------- 43	проведение модернизации существующих электронных систем и обеспечение разработки систем 5-го поколения
	сигналов в реальном масштабе времени; мощных монолитных СВЧ-микросхем на основе гетероструктур материалов А3В5; унифицированных приемо-передающих модулей; СВЧ-транзисторов широкого применения, в том числе малошумящих; унифицированных миниатюрных сверхширокополосных вакуумно-твердотельных мощных СВЧ-модулей
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
34_1	Разработка перспективных твердотельных и функциональных СВЧ-приборов, интегральных схем и гетероструктур на основе соединения кремния и германия, арсенида галлия и нитрида галлия, в том числе гибридных и монолитных интегральных СВЧ-микросхем нового поколения, многолучевых клистронов, перспективных магнитов Nd-Fe-B и магнитных систем для вакуумных и ферритовых приборов, а также программно-аппаратных комплексов для определения параметров мощных СВЧ-транзисторов	-	-	-		-	520 -------- 260	создание СВЧ-приборов на основе сложных соединений кремния и германия, арсенида галлия и нитрида галлия, позволяющих уменьшить массогабаритные характеристики аппаратуры на 65-70 процентов и снизить ее энергопотребление на 30-40 процентов; повышение в 1,5-2 раза важнейших функциональных характеристик радиоэлектронной аппаратуры современных радиоэлектронных комплексов, систем связи, телевидения и радиовещания; ежегодный прирост объемов продаж изделий на 10-15 процентов
(пункт дополнительно включен постановлением Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274)
5. Методология и технологии создания ЭКБ
35.	Разработка системы автоматизированного проектирования СБИС "система на кристалле" (с использованием СФ-блоков), в том числе информационной среды автоматизированного проектирования СБИС "система на кристалле" и СФ-блоков	-	34 --------- 17	20,8 --------- 10,4	23 --------- 11,5		22,6 --------- 11,3	создание средств ускоренного проектирования широкой номенклатуры СБИС "система в кристалле" (с использованием российских и иностранных СФ-блоков); разработка базы данных, содержащей библиотеки моделей для всех уровней проектирования, в том числе библиотеки СФ-блоков, обеспечивающих процесс сквозного проектирования СБИС специального и коммерческого применения
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
36.	Разработка библиотеки элементов по классам, правил проектирования СФ-блоков и электронной компонентной базы, ориентированных на перспективные технологии, в том числе иностранные	-	23 --------- 11,5	21,6 --------- 10,8	22,4 --------- 11,2		17,6 --------- 8,8	библиотека элементов по классам, правила проектирования, ориентированные на технологии "кремниевых мастерских" с учетом достигнутого зарубежного уровня
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
37.	Разработка системы автоматизированного проектирования, библиотек и базовых элементов	-	-	16 --------- 8	-		-	современная электронная компонентная база для
	микроэлектромеханических систем широкого применения на основе интегральных методов обработки кремния, в том числе: прецизионных акселерометров; датчиков угловых скоростей (микро-механических гироскопов); сверхпрецизионных (виброрезонансных) сенсоров измерения давления; микропереключателей каналов оптоволоконной связи; других микроэлектромеханических систем							миниатюрных навигационных систем различного назначения: от перспективного высокоточного оружия и авиационно-космических аппаратов до систем управления автомобилями и катерами; методы проектирования микроэлектроме- ханических систем и библиотеки основных элементов
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
38.	Разработка комплектов специализированных СБИС "система на кристалле" сложностью до транзисторов на кристалле для: цифрового телевидения; цифрового радиовещания; цифровой технологической радиотелефонной связи; других систем	-	-	26,6 --------- 13,3	46,4 --------- 23,2		46 --------- 23	СБИС "система на кристалле" по функциональной сложности и схемотехничес- ким решениям будут соответствовать зарубежному уровню и обеспечат создание массовой малогабаритной аппаратуры на основе одной микросхемы, включающей блоки телекоммуника- ций, компьютеров, навигации и др.; будет отработана методология "сквозного" автоматизиро- ванного проектирования СБИС "система на кристалле" на основе СФ-блоков и библиотек микро- и макроэлементов
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
39.	Разработка системы автоматизированного проектирования и библиотеки базовых конструкций перспективных акустоэлектронных устройств нового поколения, в том числе: изделий на ПАВ; устройств на объемных волнах; изделий на приповерхностных ПАВ	-	-	-	-		-	разработка высокоэффектив- ных устройств на ПАВ, ПЛАВ, ОВ позволит создать современные системы точного оружия, связи, ПВО, радиочастотной идентификации
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
40.	Создание физических принципов, моделирование и разработка физико-технологических процессов, направленных на создание перспективной электронной компонентной базы	-	24 --------- 12	25 --------- 12,5	22 --------- 11		21 --------- 10,5	научно обоснованные рекомендации для дальнейшего развития электронной компонентной базы
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
41.	Разработка функционально полной номенклатуры электронной компонентной базы, необходимой для комплектации и модернизации серийно выпускаемых образцов ВВСТ	-	-	50 --------- 25	40 --------- 20		54 --------- 27	обеспечение комплектации, ремонта и эксплуатации серийно выпускаемых и модернизируе- мых образцов ВВСТ современной электронной компонентной базой
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)


6. Радиационно-стойкая электронная компонентная база
42.	Разработка библиотеки элементов и СФ-блоков радиационно-стойкой электронной компонентной базы на основе технологий кремний на изоляторе и кремний на сапфире, в том числе: процессоры (сигнальные и цифровые процессоры); микроконтроллеры; цифроаналоговые, аналого-цифровые преобразователи; шины и интерфейсы (драйверы, приемопередатчики и т.д.); логические схемы; экспертиза и мониторинг технических процессов по обеспечению радиационной стойкости электронной компонентной базы	-	25,8 --------- 12,9	28,2 --------- 14,1	55 --------- 27,5	42,6 --------- 21,3	создание электронных систем вооружения, военной и специальной техники, функционирую- щих в условиях воздействия радиационных факторов
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
42_1	Создание базовых технологий проектирования, конструирования и производства нового поколения радиационно стойкой электронной компонентной базы на основе структур "кремний на изоляторе" и "кремний на сапфире" с минимальными размерами элементов 0,5-0,8 мкм и КМОП-технологией с минимальными размерами элементов 0,35-0,5 мкм	-	-	-	-	500 --------- 250	создание базовых технологий проектирования, конструирования и производства ряда радиационно стойкой ЭКБ (микросхем памяти, микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, цифроаналоговых и аналого-цифровых БИС др.) со степенью интеграции 2 х 10 транзисторов на кристалле и сохранением параметров при воздействии ВВФ по группе стойкости 2У-3У, а также системы проектирования и производства СФ-блоков и СБИС "система на кристалле" со степенью интеграции 2 x 10 транзисторов на кристалле и сохранением параметров при воздействии ВВФ по группе стойкости 2У-3У
(пункт дополнительно включен постановлением Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274)
7. Компоненты оптоэлектронной, лазерной и инфракрасной техники
43.	Разработка базового фотоэлектронного модуля на основе инфракрасных смотрящих двухцветных многорядных матричных фотоприемных устройств (МФПУ) на базе фотодиодов из КРТ и антимонида индия с цифровой обработкой и повышенной информационной емкостью	-	3,2 --------- 1,6	9,6 --------- 4,8	9,8 --------- 4,9	9,8 --------- 4,9	создание матричных унифицирован- ных фотоэлектрон- ных модулей с повышенной информацион- ной емкостью на базе фотодиодов из КРТ и антимонида индия, работающих в двух спектральных диапазонах. Применение многоспектраль- ных фотоприемных модулей в тепловизионных и теплопеленга- ционных системах выведет последние по дальности и надежности обнаружения и захвата целей, а также помехозащи- щенности на качественно новый уровень
44.	Разработка базового фотоэлектронного модуля нового поколения для сканирующих тепловизионных систем, работающих в режиме ВЗН, с числом элементов накопления не менее 8	-	3,2 --------- 1,6	9,6 --------- 4,8	9,8 --------- 4,9	9,8 --------- 4,9	разработка базового унифицирован- ного фотоэлектрон- ного модуля формата не менее 8 х 288 элементов, предназначен- ного для комплектации тепловизионных приборов нового поколения, работающих в режиме ВЗН; увеличение числа рядов в МФПУ позволит улучшить фотоэлектричес- кие параметры МФПУ, увеличить надежность за счет резервирования ФЧЭ, улучшить качество тепловизионных изображений
45.	Разработка ряда базовых фотоэлектронных модулей на основе охлаждаемых фотодиодных матриц из антимонида индия и микроболометров для диапазонов спектра 3 ... 5 и 8 ... 12 мкм формата 320 x 240, 384 x 288 элементов	1,4 --------- 0,7	4,2 --------- 2,1	10,8 --------- 5,4	7 --------- 3,5	10,6 --------- 5,3	создание типоразмерного ряда охлаждаемых матричных ИК-приемников на основе фотодиодов и микроболометри- ческих элементов, чувствительных в диапазоне 3 ... 5 и 8 ... 12 мкм
							формата 320 х 240, 384 х 288 элементов и более. Возможность выпуска тепловизионных систем гражданского и двойного применения
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
46.	Разработка МФПУ смотрящего типа на спектральный диапазон 3 ... 5 мкм с покадровым накоплением фотосигналов и цифровым выводом информации	-	-	4,6 --------- 2,3	4,6 --------- 2,3	4,8 --------- 2,4	создание смотрящего МФПУ на основе КРТ формата 128 х 128 спектрального диапазона 3 ... 5 мкм с совмещенным покадровым накоплением и цифровым выводом информации, предназначен- ного для комплектации тепловизионных приборов нового поколения; существенное уменьшение темновых и фоновых токов по сравнению с фотодиодами спектрального диапазона 8-12 мкм, переход к более длительному времени накопления по сравнению с построчным накоплением фотосигналов в диапазоне 8-12 мкм и повышение технических характеристик МФПУ
47.	Разработка унифицированных модулей аналоговой и цифровой обработки сигналов многорядных матричных фотоприемных устройств для тепловизионных каналов широкого применения	-	2,6 --------- 1,3	7,8 --------- 3,9	-	-	создание унифицирован- ных модулей для обработки сигналов МФПУ формата 2 х 256, 4 х 288, 8 х 288 и др., обеспечивающих функции аналого-цифрового преобразования сигналов МФПУ, суммирование сигналов с задержкой для реализации режима ВЗН, цифровую обработку сигналов с проведением коррекции неоднородности чувствитель- ности, формирование сигналов управления МФПУ и синхронизацию с системой сканирования, оптимизацию режима работы МФПУ при изменении условий эксплуатации, формирование видеосигнала для отображения на мониторе
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
48.	Разработка МОП - мультиплексора с интегрированием фототока в ячейке для двухцветных матричных ФПУ, чувствительных в диапазонах длин волн 3...5 и 8... 14 мкм	-	-	4,6 --------- 2,3	4,6 --------- 2,3	4,8 --------- 2,4	создание МОП - мультиплексора формата 128 х 128 с интегрированием фототока в ячейке для матриц фотодиодов на основе материалов кадмий-ртуть-теллур и антимонида индия в обеспечение выпуска матричных двухцветных ФПУ нового поколения
49.	Разработка микросхем малошумящих операционных усилителей (ОУ) для обработки сигналов фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов	-	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5	4,8 --------- 2,4	создание унифицирован- ного ряда малошумящих операционных усилителей, предназначен- ных для обработки сигналов фотоприемников (ФП) с различным внутренним сопротивлением. Унифицирован- ный ряд включает в себя двухканальный ОУ двух типов для обработки сигналов фотоприемников с низким и высоким внутренним сопротивлением
50.	Разработка спецалгоритмов и создание модулей цифровой обработки сигналов и изображений, получаемых в различных областях спектра с применением технологий нейросетей и методов локально-анизотропных признаков для решения задач обнаружения, распознавания и автосопровождения целей в реальном времени	-	2,6 --------- 1,3	-	8 --------- 4	8,4 --------- 4,2	разработка алгоритмов и модулей автоматического обнаружения, распознавания и сопровождения целей на основе информации, получаемой радио- и оптико-электронными каналами различного спектрального диапазона комплексиро- ванных систем; создание комплекта эксперимен- тальных образцов модулей автоматического обнаружения, распознавания и сопровождения целей и проведение их испытаний
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
51.	Разработка жидкофазных и МОС-гидридных эпитаксиальных структур материала "кадмий-ртуть-теллур" для крупноформатных матричных фотоприемников на спектральные диапазоны 3 ... 5 и 8. . .12 мкм	3 --------- 1,5	6,6 --------- 3,3	13,6 --------- 6,8	-	-	разработка жидкофазных эпитаксиальных структур материала "кадмий-ртуть-теллур" с высоким уровнем параметров,
							пригодных для промышленного производства матричных ФПУ на спектральные диапазоны 3 ... 5 и 8 ... 12 мкм
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
52.	Разработка типоразмерного ряда микрокриогенных систем с повышенным ресурсом работы для охлаждения матричных фотоприемных устройств нового поколения	-	2,6 --------- 1,3	7,8 --------- 3,9	3,2 --------- 1,6	8,2 --------- 4,1	создание типоразмерного ряда микрокриоген- ных систем (МКС), обеспечивающих температурный режим работы нового поколения матричных фотоприемных устройств различных форматов для спектральных диапазонов 3. . .5 и 8. . .12 мкм. Основные характеристики: холодопроизводи- тельность 0,4... 1,2 Вт; тип МКС интегральный, Сплит-Стирлинг; ресурс работы - не менее 20000 час
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
53.	Разработка базовых модулей охлаждения на основе термоэлектрических охладителей, в том числе на основе явлений в квантовых ямах, для фотоприемников и фотоприемных устройств ИК-диапазона	-	0,6 --------- 0,3	-	1,8 --------- 0,9	2 --------- 1	создание базовых модулей охлаждения на основе термоэлектри- ческих охладителей (ТЭО) для фотоприемников и фотоприемных устройств (МОФ) с улучшенными ТТХ, в том числе по энергопотреб- лению, весу и габаритам, конкурентоспо- собных на внешнем рынке (МОФ на основе термоэлектри- ческих охладителей на базе Bi2 ТеЗ, Sb2 ТеЗ и твердых растворов Bi - Те- Se - Sb, в том числе с использованием новых квантоворазмер- ных явлений)
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
54.	Разработка ультрафиолетового ЭОП на основе фотокатодов с отрицательным электронным сродством	-	0,8 --------- 0,4	-	-	-	создание ЭОП на спектральный диапазон от 0,2 мкм до 0,4 мкм на основе принципиально нового фотокатода с отрицательным электронным сродством
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)


55.	Разработка высокочувствительного фотоэлектрического инфракрасного модуля для лазерных систем круглосуточного видения	-	1,4 --------- 0,7	5,2 --------- 2,6	-		-	создание инфракрасного фотоэлектри- ческого модуля на основе ЭОП с фотокатодом на структурах А3В5 с барьером
								Шоттки, чувствительного в спектральном диапазоне от 0,9 мкм до 2,0 мкм и работающего в активно-импульсном режиме совмест- но с импульсным лазером для электронных систем повышенной дальности действия, в том числе для обнаружения и распознавания воздушных объектов на дальностях свыше 30 км, а также для медицинской техники, дифференци- альной диагностики в онкологии, маммографии, оптической томографии и др.
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
56.	Разработка высокоэффективных ЭОП на основе фотокатодов, чувствительных в спектральном диапазоне от 0,9 мкм до 1,65 мкм	-	-	-	33 --------- 16,5		34 --------- 17	создание высокоэффек- тивного инфракрасного ЭОП с квантовой эффективностью более 5% на длине волны лямбда = 1,54 мкм для оптико-электронных систем с повышенной помехозащи- щенностью и обнаружитель- ной способностью, дальность действия которых в ночных условиях на 60% больше, чем у аналогичных систем на основе ЭОП третьего поколения для создания принципиально нового класса приборных комплексов и систем двойного назначения
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
57.	Создание межотраслевой интегрированной базы данных по исследованиям и разработкам ИК-систем и приборов двойного назначения	-	1,8 --------- 0,9	5,2 --------- 2,6	5,6 --------- 2,8		5,8 --------- 2,9	разработка методологии оценки перспективности исследований и разработок, проводимых в рамках межведомствен- ной целевой программы "Развитие инфракрасной техники на 2002-2006 годы", создание информационно-аналитической базы данных, имеющихся в данной области разработок
58.	Разработка и освоение технологии мелкоструктурных МКП с повышенной	0,8 --------- 0,4	1 --------- 0,5	1,4 --------- 0,7	1,4 --------- 0,7		1,8 --------- 0,9	разработка МКП с повышенной информатив- ностью свыше 80
	информативностью для ЭОПов четвертого поколения, предназначенных для перспективной техники ночного видения							штр/мм, улучшенными пороговыми характеристиками (фактор шума - не более 1,5), долговечностью более 5 тыс. ч, термостой- костью более 550° С
59.	Разработка базовой технологии производства полупроводниковых индикаторов нового поколения в широкой видимой области спектра на основе антистоксовых люминофоров	1 --------- 0,5	1 --------- 0,5	-	-		-	создание нового поколения высокоэффектив- ных индикаторов мирового уровня расширенного диапазона свечения для широкого применения в народнохозяйст- венной и специальной аппаратуре
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
60.	Разработка новых технологий фотоники и оптоэлектроники на полупроводниковых гетероструктурах	9 --------- 4,5	9 --------- 4,5	-	-		-	разработка принципиально новых систем фотонной обработки информации с производитель- ностью, многократно превышающей предельную производитель- ность электронных информационно-обрабатываю- щих систем (в том числе разработка технологии выращивания функциональных полупроводни- ковых гетероструктур, диагностика и сертификация функциональных параметров, создание образцов систем); создание на основе полупроводни- ковых гетероструктур новых типов оптоэлектронных компонентов
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
61.	Разработка охлаждаемых полупроводниковых структур и устройств на их основе, технологий производства крупноформатных матричных фотоприемных комплексов на основе фотодиодов из теллурида кадмия-ртути, двухцветных матричных фотоприемников на гетероструктурах с квантовыми ямами ИК-диапазона спектра (3...5 и 8... 12 мкм). Разработка базовой системы автоматизированного проектирования охлаждаемых матричных фотоприемных устройств	10,8 --------- 5,4	12,8 --------- 6,4	8,6 --------- 4,3	12 --------- 6	12 --------- 6		создание светочувствительных многоэлемент- ных структур, охлаждаемых фотоприемных устройств, в том числе двухцветных субматричных фотоприемников; создание базовой системы автоматизиро- ванного проектирования охлаждаемых матричных фотоприемных устройств
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
62.	Разработка гетероэпитаксиальных структур фоточувствительных слоев полноформатной ИК-матрицы и производственно-технологического базиса создания фотоприемных устройств с использованием современных кремниевых мультиплексоров	1 --------- 0,5	1 --------- 0,5	1,8 --------- 0,9	1,8 --------- 0,9		2 --------- 1	организация серийного производства типового ряда тепловизионной техники двойного назначения в спектральной области 3 ... 5 мкм с чувствитель- ностью на уровне лучших зарубежных аналогов (не более 5 х Вт/)
63.	Разработка МОС-гидридных эпитаксиальных полупроводниковых гетероструктур	-	1,4 --------- 0,7	-	-		-	развитие МОС-гидридной эпитаксии позволит наладить выпуск высококачест- венных гетероструктур на соединениях InGaAlAs(P) с толщинами квантовых ям до 10 А и планарной однородностью электро-физических и оптических характеристик на уровне 1% для производства на их основе квантово-каскадных лазеров среднего ИК-диапазона, фотокатодов для электронно-оптических преобразователей
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
64.	Разработка протяженных активных элементов длиной до 120 мм из кристаллов KYW:Tm	-	0,6 --------- 0,3	-	-		-	создание активных элементов длиной 120 мм, генерирующих в диапазоне 1,85-1,95 мкм из кристаллов KYW:Tm в безопасном для глаз диапазоне
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
65.	Разработка нелинейно-оптического материала на основе монокристаллов (Cd-Hg)Ga2 (S-Se) 4	-	0,6 --------- 0,3	-	-		-	разработка нелинейно-оптического материала на
								основе монокристаллов (Cd-Hg) Ga2 (S-Se) 4 заданной концентрации с оптимизирован- ными свойствами для конкретных заданных типов взаимодействия с целью разработки генераторов суммарной частоты и параметрических преобразовате- лей частоты
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
66.	Разработка мощных одиночных полупроводниковых лазеров (до 10 Вт), лазерных линеек (50-150 Вт) и матриц (свыше 1 кВт), работающих в непрерывном режиме	-	3,8 --------- 1,9	11 --------- 5,5	-		-	создание мощных источников накачки лазерных кристаллов на диапазон длин волн 0,78-1,06 мкм с КПД ~50% м для систем специального назначения, а также для использования в промышленных технологических установках
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
67.	Создание мощного широкодиапазонного фемтосекундного лазерного излучателя на твердотельных активных средах с диодной накачкой	-	4,6 --------- 2,3	4 --------- 2	4 --------- 2		4 --------- 2	создание фемтосекундно- го лазерного излучателя с диодной накачкой, энергией в импульсе до 100 мДж при длительности 20-30 фс
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
68.	Создание твердотельных лазерных модулей с полупроводниковой накачкой непрерывного излучения мощностью до 10 Вт с длинами волн 0,4-0,7 мкм	-	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5		5,2 --------- 2,6	разработка высокоэффектив- ных высокоресурс- ных многоцветных (видимого диапазона) лазерных модулей с полупроводни- ковой накачкой для информацион- ных, технологических и медицинских целей, а также в интересах комплексов специального назначения
69.	Разработка и создание типового ряда непрерывных твердотельных лазеров с накачкой линейками лазерных диодов средней мощностью до 100 Вт	-	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5		5,2 --------- 2,6	создание модульной конструкции излучателя, позволяющей наращивать мощность от 10 до 100 Вт выходного излучения на осевом типе колебаний с дифракционной расходимостью КПД излучателя - более 50% от мощности накачки
70.	Разработка и создание базовой модели технологического лазерного излучателя средней мощностью 1 кВт на основе кристаллических активных сред с накачкой полупроводниковыми лазерами	-	2,6 --------- 1,3	7,8 --------- 3,9	3,6 -------- 1,8		3,6 -------- 1,8	создание экономичных мощных кристаллических источников лазерного излучения мощностью до 1 кВт с полупроводнико- вой накачкой для применения в различных технологиях
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
71.	Разработка микролазеров на основе активированных монокристаллических оптических волокон и пленочных структур	-	0,6 --------- 0,3	1,8 --------- 0,9	-		-	разработка микролазеров для диапазонов 1,3-1,5 мкм и 3,0 мкм с диодной накачкой с целью применения в медицине, технике и телекоммуникациях
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)


72.	Создание ряда высокоэффективных непрерывных и импульсно-периодических газовых лазеров УФ-, видимого и ИК-диапазонов для использования в лазерных технологиях различного назначения. Разработка нормативной базы	-	-	-	-		-	создание: эксимерных лазеров ультрафиолето- вого диапазона спектра на длинах волн 157 нм, 193 нм, 248 нм и 308 нм с энергией в импульсе до 200 МДж для отжига и кристаллизации поверхностей полупроводни- ковых материалов; микроструктур, а также реализации новых методов лечения заболеваний в области кардиохирургии, дерматологии, офтальмологии и др.; опытных образцов цельнометал- лических компактных отпаянных -лазеров с ресурсом не менее 10000 часов, в том числе волноводных лазеров с планарной геометрией с ВЧ разрядом с мощностью до 1 кВт для технологии и медицины и перестраивае- мых лазеров с ВЧ разрядом с компьютерным управлением для спектроскопи- ческих применений, включая лидары (аналоги отсутствуют); ряда щелевых отпаянных -лазеров с уровнем выходной
								мощности от 0,1 до 1,5 кВт, ряда образцов лазеров на парах меди с уровнем выходной мощности от 10 до 100 Вт и технологии их изготовления, создание образцов лазерных технологических комплексов на основе щелевых -лазеров и лазеров на парах меди; типового ряда -лазеров с ВЧ-накачкой активной среды с мощностью 1,5; 2,5 и 5 кВт, ресурсом работы более 5000 часов, стабильностью излучения не менее 2% и расходимостью дифракционного качества
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
73.	Разработка перспективной элементной базы для лазерных локаторов дальнего действия	-	5,8 --------- 2,9	9,2 --------- 4,6		5 --------- 2,5	5 --------- 2,5	разработка базовых модулей, определяющих основные характеристики лазерных локаторов и информационных лазерных комплексов, в том числе: 3-координатных приемных модулей с чувствитель- ностью до 3 х 10-17 Дж; гибридных телевизионных приемных модулей с чувствитель- ностью до 3 х 10-18 Дж на элемент; быстродейству- ющих сканирующих устройств с полосой пропускания не менее 1 кГц и апертурой 20-200 млм; модулей усиления лазерного сигнала с энергией в импульсе 10-14 - 10-12 до значения 1 Дж на основе явления вынужденного рассеивания в нелинейных средах. Внедрение создаваемых ключевых элементов в новые комплексы позволит в 5... 10 раз
								уменьшить ошибки слежения комплексов за динамическими объектами, сократить время обзора контролируемого пространства, увеличить дальность наблюдения
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
74.	Разработка лазерных стереодатчиков для робототехнических комплексов, лазерных дальномеров	-	2,2 --------- 1,1	6,4 --------- 3,2		6,6 --------- 3,3	6,6 --------- 3,3	создание лазерных стереодатчиков с точностью измерения дальности 0,1-0,3% позволит на порядок сократить время измерительных операций в машинострое- нии, на транспортных магистралях, в медицине (например, при изготовлении ортопедических изделий), обеспечить автоматизацию управления полетов летательных аппаратов на сверхмалых высотах и при посадке
75.	Разработка новых высокоэффективных оптических сред на основе кристаллов германия, двойных вольфраматов и боратов, алюминиевой шпинели, нелинейного кристалла КРТ, халькогенидных стекол и стекол на основе сульфидов цинка и свинца	-	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3		5 --------- 2,5	5,2 --------- 2,6	создание нового класса кристаллов для крупногабарит- ных оптических окон, проходной оптики, работающей в экстремальных условиях, для видимого и ИК-диапазонов и микролазеров с диодной накачкой
76.	Совершенствование технологии производства оптического волокна и оптоволоконных датчиков, в том числе активного волокна, волноводных планарных и канальных структур на различных материалах	8,4 --------- 4,2	8,4 --------- 4,2	3,6 --------- 1,8		-	-	создание промышленных образцов оптического волокна для линий связи со сверхнизкими потерями и оптических линий передачи информации; создание образцов датчиков физических величин для контроля производствен- ных процессов в машиностроении, атомной энергетике, химической промышлен- ности; разработка базовой технологии получения активного волокна, позволяющего усиливать
								оптические сигналы в магистральных линиях связи, что позволит увеличить расстояния между ретрансляторами до 200 км
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
77.	Разработка гаммы оптических волокон с повышенными оптическими и механическими характеристиками	-	-	-		-	-	создание двулучепрелом- ляющего одномодового волокна с повышенной устойчивостью к изгибам и высокопрозрач- ного в УФ-области низкодисперси- онного волокна для диагностики плазмы
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
78.	Разработка радиационностойких стекол с особыми оптическими и термооптическими свойствами для высокоразрешающих аэрокосмических фотографических объективов	-	-	4,6 --------- 2,3		-	-	разработка номенклатуры стекол, необходимой для создания космической оптики; расширение номенклатуры атермальных стекол для упрощения конструкции изделия, уменьшения требований по термостабилизации космического комплекса в целом
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
79.	Разработка особо чистых веществ для новых марок оптических стекол	-	2,2 --------- 1,1	-		6,8 --------- 3,4	7 --------- 3,5	создание новых химических продуктов для получения оптических стекол с повышенными характеристиками
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
80.	Разработка образцов сравнения и лазерных отражателей с высокими эксплуатационными свойствами в УФ-, видимой и ИК-областях спектра на базе высокоотражающих диффузионных материалов	-	1,2 --------- 0,6	-		3,6 --------- 1,8	3,6 --------- 1,8	разработка и опытное производство образцов высокоэффек- тивных отражателей для твердотельных лазеров видимого и ближнего ИК-диапазонов и элементной базы оптико-электронных приборов (интегрирующие сферы, ламбертовские ослабители, стандартные образцы сравнения и т.д.); повышение эффективности твердотельных лазеров, увеличение ресурса их работы, снижение себестоимости и возможность создания фотометричес- ких и спектрофотометрических приборов нового поколения
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
81.	Разработка одномодового волокна на основе фотоннокристаллических структур	-	1,2 --------- 0,6	-		-	-	создание фотоннокрис- таллических структур и разработка на их основе оптического волокна, позволяющего реализовать одномодовый режим распределения в широком спектральном диапазоне
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
82.	Создание фотолитографического объектива для тиражирования сверхбольших интегральных схем с элементами разрешения 0,15-0,18 мкм и стенда для его сборки, юстировки и испытаний	-	3,2 --------- 1,6	9,6 --------- 4,8		9,8 --------- 4,9	10,6 --------- 5,3	разработка объективов на основе отечественного флюорита для формирования изображения на длине волны 193 нм (эксимерный лазер)
83.	Разработка управляемых интерференционных тонкопленочных элементов на основе явления фазового перехода полупроводник-металл в тонких слоях оксида ванадия и их модификациях, полученных за счет интегрирования с другими родственными материалами	-	1,2 --------- 0,6	3,6 --------- 1,8		-	-	создание управляемых интерференци- онных покрытий и элементов на их основе, обеспечивающих исключение возможной взаимной диффузии и химических реакций между слоями и подложкой в условиях высоких температур и с глубоким подавлением мешающего излучения в видимой и ближней ИК- областях спектра
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
84.	Разработка новых оптических клеев для склеивания оптических элементов между собой и с элементами конструкций приборов назначения	-	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3		-	-	восстановление производства оптических клеев, не уступающих зарубежным аналогам
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)


85.	Разработка оптоэлектронных модулей с использованием методов Фурье-спектрометрии, в том числе многоканальных	-	1,6 --------- 0,8	-	5 --------- 2,5		5,2 --------- 2,6	разработка средств контроля и мониторинга атмосферы земной и водной поверхности по выявлению выбросов опасных, в том числе отравляющих, газов в чрезвычайных ситуациях, утечек газопроводов, аномалий распределения природных газов и др.
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
86.	Разработка стенда метрологии функциональных характеристик элементов терагерцовой фотоники, спинтроники и ИК-оптоэлектроники на полупроводниковых гетероструктурах	-	1,6 --------- 0,8	-	5 --------- 2,5		5,2 --------- 2,6	разработка методов и создание аппаратуры для измерения функциональных характеристик полупроводниковых гетероструктур и системного моделирования функций: (i) -параллельной оптической логики, (ii) - квантовой (фотонной) логики, (iii) - оперативной оптической памяти, основанной на оптической ориентации спинов, (iv) - чтения битовых и аналоговых (в т.ч. тепловых) изображений и (v) - квантовой голографической телепортации
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
87.	Разработка акустически управляемых оптоволоконных устройств, электро- и светоуправляемых жидкокристаллических устройств для недисплейных применений, а также голографических технологий создания нейроподобных систем	-	2 --------- 1	4,6 --------- 2,3	6,4 --------- 3,2		5,2 --------- 2,6	создание оптоволоконных устройств (модуляторов, перестраиваемых фильтров) с акустическим управлением параметрами пропускаемого через волокно света на основе пьезоэлектрических пленок ZnO со значительно уменьшенными оптическими потерями и увеличенными функциональными возможностями; применение устройств в оборудовании связи, волоконных интерферометрах, гироскопах, для дальнометрии, нелинейной оптики и др.; создание технологии и изготовление пространственно-временных модуляторов света на основе новых материалов, а также быстродейству- ющих ЖК-модуляторов для использования в системах оптической обработки информации, в т.ч. для записи динамических голограмм
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
88.	Разработка многослойных оптических покрытий на оптические элементы из материалов, работающих в ИК-области спектра для нового поколения тепловизионных приборов и приборов ночного видения	-	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5		5,2 --------- 2,6	создание многослойных оптических покрытий деталей из германия, кремния, лейкосапфира, оптической керамики и др., работающих в ИК-области спектра
8. Радиокомпоненты и ЭВП
89.	Разработка типового ряда электровакуумных приборов, коммутационных и пассивных радиоэлектронных компонентов, необходимых для комплектации и модернизации серийно выпускаемых образцов ВВСТ, в том числе: импульсные, модуляторные, генераторные и приемоусилительные лампы; тиратроны; разрядники; фотоэлектронные умножители; электронно-лучевые трубки; магнитоуправляемые контакты	-	6 --------- 3	20 --------- 10	20,8 --------- 10,4		21,6 --------- 10,8	создание перспективных электровакуум- ных приборов, коммутационных и пассивных радиоэлектрон- ных компонентов, позволяющих провести модернизацию существующих образцов ВВСТ с применением современной электронной компонентной базы и возможность разработки электронных систем пятого поколения
90.	Разработка типового ряда перспективных приборов, трансформаторов, устройств на магнитостатических волнах и магнитоэлектрических приборов микроволнового и радиодиапазона, в том числе: высокодобротных резонаторов; фазовращателей и циркуляторов; вентилей и ограничителей; перестраиваемых фильтров; переключателей	-	6 --------- 3	4,4 --------- 2,2	-		-	создание ферритовых приборов, устройств на МСВ и трансформато- ров радиодиапазона, позволяющих проводить модернизацию существующих электронных систем и возможность разработки систем пятого поколения
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
9. Обеспечивающие работы
91.	Разработка информационной среды автоматизированного проектирования СБИС	-	13 --------- 6,5	16 --------- 8		4,2 --------- 2,1	3 -------- 1,5		создание баз данных, содержащих библиотеки
	"система на кристалле" и СФ-блоков								моделей для всех уровней проектирования, в том числе и библиотеки СФ-блоков, обеспечивающих процесс сквозного проектирования СБИС специального и коммерческого применения
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
92.	Разработка межведомственной информационно- аналитической и справочной системы по: вопросам разработки, производства и развития ЭКБ; технологическим маршрутам отечественных и иностранных производителей ЭКБ, библиотек элементов и СФ-блоков; продукции, производимой на иностранных предприятиях на основе отечественных разработок (фотошаблонов); контролю и определению потребностей в закупках иностранной ЭКБ и обеспечению централизованных закупок	-	8 --------- 4	10 --------- 5		27,8 --------- 13,9	28 --------- 14		обеспечение межведомст- венной координации по вопросам разработки, производства и развития перспективной ЭКБ, в том числе унифицирован- ной базы данных по технологическим маршрутам отечественных и иностранных производителей ЭКБ, библиотек элементов и СФ-блоков, порядку учета и использованию библиотек, разработанных Центрами проектирования, в том числе для продукции, производимой на иностранных предприятиях на основе отечественных разработок (фотошаблонов)
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
93.	Создание комплекса основополагающих стандартов по обеспечению качества, надежности и конкурентоспособности перспективных ЭРИ на основе сопоставительного анализа требований российских и международных стандартов (MIL STD, НАТО, МЭК, ИСО и др.) на электронные компоненты	-	7 --------- 3,5	8 --------- 4		11,6 --------- 5,8	11,6 --------- 5,8		прямое внедрение международных стандартов и актуализации действующего фонда нормативных документов. Комплекс основополагаю- щих стандартов, обеспечивающих создание нового поколения документов на поставку ЭРИ
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
94.	Разработка комплекса средств измерений и эталонов, реализующих требования российских и международных стандартов на ЭРИ, в том числе стандартов MIL STD, НАТО, МЭК и ИСО	-	-	8 --------- 4		-	-		создание средств измерений и эталонов на базе перспективных технологий, обеспечивающих требуемую точность, сходимость и воспроизводи- мость результатов измерений и испытаний
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
95.	Разработка новых и совершенствование существующих методов испытаний на ВВФ и контроля качества ЭРИ нового поколения, в том числе субмикронной и нанотехнологии, акустоэлектроники, оптоэлектроники, твердотельных СВЧ-изделий. Разработка критериев оценки годности изделий с применением современных методов и средств физико-технического анализа и неразрушающего контроля	-	-	-		-	-		комплекс нормативных документов, регламентирую- щих методы испытаний и контроля ЭРИ нового поколения и критерии оценки их годности по результатам испытаний
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)

96.	Создание и внедрение нового поколения основополагающих стандартов, в том числе по: проектированию СБИС "система на кристалле" на основе СФ-блоков, в том числе и на основе международной кооперации; надежности и качеству; экологической безопасности; экономической рентабельности производства/ CALS- технологии	-	5 --------- 2,5	8 --------- 4		-	-		нормативно-техническое обеспечение электронной компонентной базы и систем на ее основе, в том числе: описание характеристик и форматов передачи; тестирование СФ-блоков в составе СБИС "система на кристалле"; защита интеллектуаль- ной собственности; порядок включения в состав СБИС "система на кристалле"
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
Инвестиционные проекты (капитальные вложения*)
________________ * Без изменения сметной стоимости проектов.
97.	Организация серийного производства световозвращающих пленок в ГУП "НПО "Астрофизика", г.Москва	-	-	5,5 --------- 5,5		15,6 --------- 15,6	38,6 --------- 38,6		освоение выпуска световозраста- ющих пленок двойного применения, не уступающих по техническому уровню лучшим мировым аналогам. Планируемый годовой объем выпуска - 1,5 млн. кв. м
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
98.	Техническое перевооружение производства оптоэлектронных систем и элементов, работающих в спектральном диапазоне от ультрафиолетового до инфракрасного в ГУП "ВНЦ "ГОИ им.С.И.Вавилова", г.Санкт-Петербург	-	-	-		-	-		выпуск оптоэлектронных систем наблюдения высокого пространствен- ного и спектрального разрешения аэрокосмичес- кого базирования с ресурсом эксплуатации до 10 лет
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
99.	Создание производственных мощностей под выпуск сверхбыстродействующих интегральных схем в ОАО "Ангстрем-2М", г.Москва	-	10,1 --------- 10,1	-		-	-		создание сверхчистого производства для обеспечения потребности отечественного рынка в сверхбольших интегральных схемах с топологическими нормами 0,35-0,5 микрона для использования в специальных видах электронной техники и в различных отраслях промышленнос- ти и народного хозяйства
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
100.	Создание межотраслевого центра проектирования СБИС "система на кристалле" с последующей организацией распределенной структуры сети отраслевых центров проектирования системного уровня в ФГУП "НИИМА "Прогресс", г.Москва	-	-	-		-	-		ускоренная разработка основной номенклатуры СБИС "система на кристалле"
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
101.	Создание центра изготовления фотошаблонов для субмикронного производства СБИС на отечественных и зарубежных "кремниевых мастерских" в ОАО "Российская электроника"	-	-	-		-	-		обеспечение национальной безопасности страны при разработке и модернизации стратегически значимых систем ВВСТ
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
102.	Создание центра проектирования перспективной электронной компонентной базы в ГП "НИИ ЭТ", г.Воронеж	-	-	-		-	-		ускоренная разработка основной номенклатуры СФ-блоков
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
103.	Создание центра проектирования перспективной электронной компонентной базы в ГУП "НПЦ "Элвис", г.Москва	-	-	-		-	-		создание государственно- го центра по регулированию и контролю для определения потребности в закупках иностранной ЭКБ, осуществлению закупок и применению ЭКБ в ГУП "НПЦ "Элвис"
(пункт в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274 - см. предыдущую редакцию)
103_1	Техническое перевооружение и реконструкция ФГУП "НИИМА "Прогресс", г.Москва, с целью создания на предприятии высокопроизводительного центра проектирования и разработки высокоинтегрированной ЭКБ (исполнитель проекта определяется по конкурсу)	-	-	-		-	166,4 --------- 166,4		создание центра новых технологий проектирования и разработки высокоинтегрированной ЭКБ, обеспечение эффективного научно-технического руководства и координации работ по созданию сети базовых центров САПР
(пункт дополнительно включен постановлением Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274)
103_2	Техническое перевооружение производства ОАО "Концерн радиостроения "Вега", г.Москва, с целью создания на предприятии базовых центров проектирования радиоэлектронной аппаратуры на базе СБИС "система на кристалле" (исполнитель проекта определяется по конкурсу)	-	-	-		-	55,9 --------- 55,9		создание базовых центров по проектированию радиоэлектронной аппаратуры, организация единой вычислительной сети для организации центра автоматизированного проектирования СБИС "система на кристалле" системного уровня
(пункт дополнительно включен постановлением Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274)
103_3	Реконструкция и техническое перевооружение участка выращивания монокристаллов сапфира в ОАО "Элма", г.Москва, для производства КНС-структур радиационно стойких СБИС (исполнитель проекта определяется по конкурсу)	-	-	-		-	49,5 --------- 49,5		организация производства по выпуску цилиндров лейкосапфира диаметром 150 мм для последующего изготовления структур "кремний на сапфире"
(пункт дополнительно включен постановлением Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274)
103_4	Реконструкция и техническое перевооружение производства кристаллов для быстродействующих интегральных микросхем в ОАО "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г.Москва (исполнитель проекта определяется по конкурсу)	-	-	-		-	108,2 --------- 108,2		проведение реконструкции и технического перевооружения производства современных цифровых, аналого-цифровых и гибридных СБИС общего и специального применения с проектными нормами 0,5-0,35 мкм
(пункт дополнительно включен постановлением Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274)
	Позиция исключена постановлением Правительства Российской Федерации от 7 мая 2006 года N 274. - См. предыдущую редакцию.