Единица измере-
ния

2007 год

2008 год

2009 год

2010 год

2011 год

2012 год

2013 год

2014 год

2015 год

Индикатор

Достигаемый технологический уровень электроники

мкм

0,18

0,18

0,13

0,13

0,09

0,09

0,09

0,09

0,045

Показатели

Увеличение объемов продаж изделий электронной и радиоэлектронной техники

млрд. рублей

19

58

70

95

130

170

210

250

300

Количество разработанных базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом)

-

3-5

16-20

80-90

125-
135

179-
185

210

230

250

260-
270

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)

-

1

8

10

14

29

29

30

35

44

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Госкорпорации "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

-

-

-

-

-

1

1

1

3

4

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

-

-

-

-

-

-

1

2

4

6

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

-

-

1

1

2

2

3

5

7

9

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения
радиоэлектронных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)

-

-

1

5

8

18

22

34

37

96

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения
радиоэлектронных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом)

-

-

-

-

-

-

1

1

1

1

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения
радиоэлектронных производств в организациях Госкорпорации "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

-

-

-

-

-

-

-

1

1

8

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения
радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)

-

-

-

-

-

-

-

-

-

7

Количество завершенных поисковых технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом)

-

1

3

9

9-10

10-12

12-14

14-16

16-18

20-22

Количество реализованных мероприятий по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом)

-

4

11-12

16-20

22-25

36-40

41-45

45-50

50-55

55-60

Количество создаваемых рабочих мест (нарастающим итогом)

-

450

1020-1050

1800-2200

3000-3800

3800-4100

4100-4400

4400-4700

4700-5000

5000-6000

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

2008-

В том числе

2015 годы - всего

2008
год

2009 год

2010
год

2011 год

2012 год

2013 год

2014 год

2015 год

Ожидаемые результаты

I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника

1.

Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы АВ

128,624
84

66
44

62,624
40

создание базовой технологии производства мощных сверхвысоко-
частотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы АВ для бортовой и наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы
конструктор-
ской, технологичес-
кой и производствен-
ной документации, ввод в эксплуатацию производствен-
ной линии

2.

Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемопередающих сверхвысокочастотных субмодулей
Х-диапазона

202
134

30,5
20

39,5
26

53,25
35,5

31,8
21,2

46,95
31,3

создание базовой технологии производства монолитных сверхвысоко-
частотных микросхем и объемных приемопере-
дающих сверхвысоко-
частотных субмодулей
Х-диапазона на основе
гетероструктур материалов группы АВ для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи

(2013 год), разработка
комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструктор-
ской,
производствен-
ной
документации, ввод в эксплуатацию
производствен-
ной линии

3.

Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетеро-
эпитаксиальных структур

212,75
134,75

141,75
87,75

71
47

создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысоко-
частотного диапазона на основе нитридных гетероэпитак-
сиальных структур для техники связи, радиолокации (2009 год)

4.

Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур

531
375

20
17

77,5
65

163,5
109

118
80

152
104

создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитак-
сиальных структур мощных сверхвысоко-
частотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2013 год),

разработка комплектов документации в стандартах единой системы
конструктор-
ской, технологичес-
кой и производствен-
ной документации, ввод в эксплуатацию производствен-
ной линии

5.

Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложно-
функциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе
гетероструктур
"кремний-германий"

149,257 101,7

85,757 59,7

63,5
42

создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысоко-
частотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового

и наземного
применения, а также бытовой и автомобильной
электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы
конструктор-
ской,
технологичес-
кой и
производствен-
ной документации, ввод в эксплуатацию
производствен-
ной линии

6.

Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе
гетероструктур "кремний-германий"

248,55 158,1

5,6
5

65,8
35

177,15 118,1

создание базовой технологии производства сверхвысоко-
частотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного

применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка
комплектов
документации в
стандартах единой системы
конструктор-
ской,
технологичес-
кой и производствен-
ной
документации, ввод
в эксплуатацию
производствен-
ной
линии

7.

Разработка аттестованных библиотек сложно-
функциональных блоков для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетероструктур "кремний-германий"

448,408 308,75

253
169

195,408 139,75

разработка аттестованных библиотек сложнофункци-
ональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысоко-
частотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов

документации в
стандартах единой системы
конструктор-
ской, технологичес-
кой и производствен-
ной документации,
ввод в эксплуатацию производствен-
ной линии

8.

Разработка базовых технологий проектирования кремний-германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложно-
функциональных блоков

217,44
142

47
30

80,09
52

58,95 39,3

17
11,3

14,4
9,4

создание базовых технологий проектирования на основе библиотеки сложнофункци-
ональных блоков широкого спектра сверхвысоко-
частотных интегральных

схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц
(2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы
конструктор-
ской, технологичес-
кой и производствен-
ной документации, ввод в эксплуатацию производствен-
ной линии

9.

Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры

114,9
74

60
40

54,9
34

создание базовых технологий производства элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысоко-
частотных приборов и узлов аппаратуры (2009 год),

разработка комплектов документации в стандартах единой системы
конструктор-
ской, технологичес-
кой и производствен-
ной документации, ввод в эксплуатацию производствен-
ной линии

10.

Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры

126,913 73,1

79,513
41,5

47,4
31,6

создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффек-
тивных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысоко-
частотных приборов и узлов аппаратуры на основе

гибридно-
пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы
конструктор-
ской, технологичес-
кой и производствен-
ной документации, ввод в эксплуатацию производствен-
ной линии

11.

Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов Х-, С-, S-, L- и Р-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью

226
152

151,2
102

74,8
50

создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысоко-
частотных приборов для "бессвинцовой" сборки (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы
конструктор-
ской, технологичес-
кой и производствен-
ной документации, ввод в эксплуатацию производствен-
ной линии

12.

Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и
С-диапазонов на основе новых материалов

83,5
55

13
8

40,5
27

30
20

создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-
космических комплексов

13.

Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и
С-диапазонов на основе новых материалов

109
62

64
32

45
30

создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-
космических комплексов (2011 год),

разработка комплектов документации в стандартах единой системы
конструктор-
ской, технологичес-
кой и производствен-
ной документации, ввод в эксплуатацию производствен-
ной линии

14.

Разработка базовых
технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и
L-диапазонов

13
8

13
8

создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысоко-
частотных транзисторов
S- и
L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной

аппаратуры
(2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструктор-
ской,
технологичес-
кой и
производствен-
ной
документации, ввод
в эксплуатацию
производствен-
ной линии

15.

Разработка конструктивно-
параметрического ряда
суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и
L-диапазонов

208,9
115,9

139,9
69,9

69
46

создание конструктивно-
параметричес-
кого ряда
сверхвысоко-
частотных транзисторов
S- и
L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах

единой системы
конструктор-
ской, технологичес-
кой и производствен-
ной документации, ввод в эксплуатацию производствен-
ной линии

16.

Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем Х-, С-, S-, L- и Р-диапазонов для их массового производства

32
22

18
12

14
10

разработка метрологичес-
кой аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводни-
ковых структур, активных элементов и сверхвысоко-
частотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании

17.

Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-
твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей,

149,416
102

84,916
59

64,5
43

создание технологии унифицирован-
ных сверхширокопо-
лосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысоко-
частотных
магнитоэлект-
рических приборов для перспективных радиоэлектрон-
ных систем и

высокодобротных
резонаторов,
перестраиваемых
фильтров,
микроволновых
приборов со спиновым
управлением для
перспективных
радиоэлектронных
систем двойного
назначения

аппаратуры связи космического базирования (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы
конструктор-
ской, технологичес-
кой и производствен-
ной документации, ввод в эксплуатацию производствен-
ной линии

18.

Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-
твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов,

118,45
85,3

77,5
58

40,95
27,3

разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхшироко-
полосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысоко-
частотных
магнитоэлект-
рических приборов для перспективных радиоэлектрон-
ных

перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

систем и аппаратуры
связи космического
базирования
(2011 год), разработка
комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструктор-
ской,
технологичес-
кой и
производствен-
ной
документации, ввод
в эксплуатацию
производствен-
ной линии

19.

Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-
емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа и сверхбыстродействую-
щих (до 150 ГГц)

110,5
75,5

65,5
45,5

45
30

создание технологичес-
ких процессов производства нанопленочных малогабарит-
ных сверхвысоко-
частотных резисторно-
индуктивно-
емкостных матриц

приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами

многофункци-
онального назначения для печатного монтажа (2008 год), создание базовой технологии получения сверхбыстро-
действующих (до 150 ГГц) приборов на наногетерост-
руктурах с

квантовыми эффектами
(2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы
конструктор-
ской, технологичес-
кой и производствен-
ной документации, ввод в эксплуатацию производствен-
ной линии