ГОСТ Р 71649-2024 Резисты для интегральных микросхем, полупроводниковых приборов и фотошаблонов. Общие технические требования

     4 Технические требования

4.1 Общие требования

4.1.1 Резисты следует разрабатывать исходя из необходимости получения требуемых размеров элементов ИМС и ППП, при этом резисты должны удовлетворять требованиям литографических процессов и обеспечивать создание защитного рельефа требуемой конфигурации с необходимой разрешающей способностью, чувствительностью, стойкостью к воздействию агрессивных сред, адгезией к полупроводниковой подложке.

4.1.2 Выполнение требований, изложенных в 4.1.1, обеспечивают выбором соответствующих контролируемых физико-химических параметров резиста. При отсутствии корреляционной связи между контролируемыми параметрами и требованиями 4.1.1 выполнение этих требований допускается подтверждать косвенными параметрами, характеризующими процессы литографии.

4.1.3 Исходное сырье, используемое для изготовления резистов, должно соответствовать требованиям стандартов и ТУ.

4.1.4 Качество исходного сырья и полупродуктов должно быть подтверждено клеймами, сертификатами или протоколами испытаний отделом технического контроля предприятия-поставщика.

4.1.5 Резисты не должны быть токсичными, взрывоопасными, пожароопасными. При невозможности получения резистов с такими свойствами, в процессе выполнения разработки должны быть определены условия их применения и меры безопасности, исключающие вредное воздействие на организм.

4.1.6 При разработке резистов для проведения контроля на соответствие заданным требованиям, в случае отсутствия стандартного оборудования, следует разрабатывать необходимое контрольно-измерительное оборудование и методы контроля.

Разработанное оборудование и методы должны пройти метрологическую аттестацию.

4.2 Требования к внешнему виду

Требования к внешнему виду резиста устанавливают в ТУ и/или при необходимости в ТЗ.

4.3 Требования к химическому составу