ГОСТ Р 71649-2024 Резисты для интегральных микросхем, полупроводниковых приборов и фотошаблонов. Общие технические требования

     3 Термины, определения и сокращения

3.1 В настоящем стандарте применены следующие термины с соответствующими определениями:

3.1.1 резист: Материал, изменяющий свои физико-химические свойства под воздействием определенного излучения и предназначенный для формирования рельефного изображения в процессе литографии.

3.1.2 литография: Совокупность физико-химических процессов формирования в слое резиста под воздействием излучений микроизображения элементов схемы полупроводникового прибора и его переноса на подложку.

3.1.3 позитивный резист: Резист, у которого под воздействием актиничного излучения растворимость в проявителе увеличивается.

3.1.4 негативный резист: Резист, у которого под воздействием актиничного излучения растворимость в проявителе уменьшается.

3.1.5 чувствительность к излучению: Свойство резиста, характеризующее его способность к изменению физико-химических свойств под воздействием излучений.

3.1.6 актиничное излучение: Световой поток, вызывающий фотохимические реакции в резисте и изменение растворимости облученных областей.

3.1.7 разрешающая способность: Параметр резиста, позволяющий формировать изображение массивов из элементов резиста минимального размера, разделенных промежутками такой же ширины.

3.1.8 стойкость к проявителю: Параметр резиста, характеризующий его способность противостоять воздействию проявителя в течение определенного времени, с сохранением соответствующих характеристик.

3.1.9

Примечание - Также применяют термин "гамма-контраст".

3.1.10 адгезия пленки резиста: Свойство резиста, характеризующее способность слоя резиста препятствовать отслоению резиста от подложки при воздействии жидких реагентов, используемых в процессах литографии.