ГОСТ 33436.4-1-2015 Совместимость технических средств электромагнитная. Системы и оборудование железнодорожного транспорта. Часть 4-1. Устройства и аппаратура железнодорожной автоматики и телемеханики. Требования и методы испытаний (Издание с Поправками)

     3 Термины, определения и сокращения

3.1 Термины и определения

В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ 14777, ГОСТ 16504, ГОСТ 30372, а также следующие термины с соответствующими определениями:

3.1.1 порт: Граница между ТС ЖАТ и внешней электромагнитной средой (корпус, зажим, разъем, клемма, стык связи и т.д.). Примеры портов приведены на рисунке 1.

Рисунок 1 - Примеры портов ТС ЖАТ

3.1.2 порт корпуса: Физическая граница ТС ЖАТ, через которую могут излучаться создаваемые ТС ЖАТ или проникать внешние электромагнитные поля.

3.1.3 порт подключения кабеля: Порт, в котором проводник, кабель или жгут подключают к ТС ЖАТ (примерами являются порты электропитания, порты ввода-вывода сигналов, порты заземления).

3.1.4 порт ввода-вывода сигналов: Порт, в котором проводник или кабель, предназначенный для передачи сигналов, подключается к ТС ЖАТ (примерами являются аналоговые входы и выходы, порты подключения линий управления, шин данных сетей связи и т.д.).

3.1.5 порт электропитания переменного тока: Порт, в котором проводник или кабель, подающий электрическую энергию переменного тока, необходимую для приведения в действие (функционирования) конкретного ТС ЖАТ или подключаемого к нему оборудования, подключается к ТС ЖАТ.

3.1.6 порт электропитания постоянного тока: Порт, в котором проводник или кабель, подающий электрическую энергию постоянного тока, необходимую для приведения в действие (функционирования) конкретного ТС ЖАТ или подключаемого к нему оборудования, подключается к ТС ЖАТ.

3.1.7 порт заземления: Порт, в котором проводник или кабель от устройства заземления подключается к ТС ЖАТ.

3.1.8 оператор: Специалист, управляющий работой какого-либо устройства, оборудования.

3.1.9 электронные компоненты: Элементы электронной схемы, связи которых выполнены в объеме и на поверхности полупроводника (примерами являются полупроводниковые диоды, транзисторы, тиристоры, микросхемы и т.д.).

3.2 Сокращения

В настоящем стандарте применены следующие сокращения: