3.1.1 аморфные фотоэлектрические вещества: Твердые вещества в полустабильном состоянии без длительного периода стабильности атомной структуры.

amorphous photovoltaic material

3.1.2 аморфный кремний

См. "кремний/аморфный кремний", 3.1.58а).

amorphous silicon

3.1.3 просветляющее покрытие: Слой, которым покрыта поверхность ФЭ элемента для уменьшения потерь при отражении.

anti-reflective coating

3.1.4 эффект поля тыльной поверхности

См. "эффект/эффект поля тыльной поверхности", 3.1.25а).

back surface field effect

3.1.5 энергия запрещенной зоны, eV: Количество энергии, необходимое для вывода электрона из состояния валентного электрона в состояние свободного электрона.

band gap energy

3.1.6 энергия барьера, eV: Энергия, выделяемая электроном при проникновении через барьер ФЭ элемента.

barrier energy

Примечание - Энергия барьера - значение электростатического потенциала барьера.

3.1.7 магистраль (шина)

См. "линия металлизации/шина (фотоэлектрических элементов)", 3.1.37а).

bus lines

3.1.8 обходной диод (на уровне элемента): Диод, подсоединенный через один или несколько ФЭ элементов по направлению электрического тока, с целью позволить электрическому току ФЭ модуля обойти элементы для предотвращения короткого замыкания или повреждения от перегрева в результате обратного напряжения от других элементов модуля.

bypass diode (on a module level)

3.1.9 элемент

См. "фотоэлектрический/фотоэлектричество", 3.1.43а).

Для описания структуры ФЭ элементов и веществ использованы следующие термины с соответствующими определениями:

cell

a) фотоэлектрический элемент из селенида меди и индия; CIS: ФЭ элемент из диселенида меди и индия (, сокращенно CIS) - главный составляющий материал (тонкая пленка);

CIS photovoltaic cell

b) сложный полупроводниковый фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, изготовленный из составного полупроводника, содержащего такие разные химические элементы, как (III-V соединения), (II-VI соединения), и т.д.;

compound semiconductor photovoltaic cell

c) фотоэлектрический элемент с концентратором

См. "фотоэлектрический элемент с концентратором", 3.8.5а);

concentrator photovoltaic cell

d) цветочувствительный фотоэлектрический элемент: Фотоэлектрохимическое устройство, использующее два электрода, молекулы красителя и электролит;

dye-sensitized photovoltaic cell

e) фотоэлектрический элемент интегрированного типа: Несколько ФЭ элементов, объединенных в группу на общей основе таким образом, что они представляют собой один элемент.

integrated type photovoltaic cell

Примечание 1 - Фотоэлектрический элемент интегрированного типа может иметь пакетную или параллельную конфигурацию;

f) многопереходный фотоэлектрический элемент

См. "элемент/пакетный фотоэлектрический элемент", 3.1.9k);

multijunction photovoltaic cell

g) органический фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, изготовленный из органических веществ, а именно: полимеров и/или мономеров (тонкая пленка);

organic photovoltaic cell

h) фотоэлектрический элемент с P-N переходом: ФЭ элемент, использующий P-N переход.

PN junction photovoltaic cell

Примечание 2 - См. также "Р-N переход", 3.1.34f);

i) фотоэлектрический элемент с барьером Шоттки: ФЭ элемент, использующий переход Шоттки в приконтактном слое металла и полупроводника;

Schottky barrier photovoltaic cell

j) кремниевый фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, основную часть которого составляет кремний;

silicon photovoltaic cell

k) пакетный фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, состоящий из слоев разных ФЭ ячеек с разными оптическими свойствами, где падающий свет поглощается элементами каждого уровня;

stacked photovoltaic cell

I) тандемный фотоэлектрический элемент: Общепринятое наименование для пакета из двух или более ФЭ элементов, расположенных последовательно;

tandem photovoltaic cell

m) тонкопленочный фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, состоящий из тонких слоев полупроводникового материала.

thin film photovoltaic cell

Примечание 3 - См. также "кремний/поликристаллический кремний", 3.1.58е).

3.1.10 барьер элемента: Очень тонкий электропотенциальный барьер у области между слоями Р-типа и N-типа ФЭ элемента.

cell barrier

Примечание 1 - Барьер элемента также может иметь наименование "область обеднения".

Примечание 2 - Электропотенциальный барьер - это область, где сильное электрическое поле препятствует прохождению заряженных частиц в направлении, обусловленном знаком их электрического заряда.

3.1.11 P-N переход элемента

См. "P-N переход/P-N переход элемента", 3.1.34а).

cell junction

3.1.12 фотоэлектрический элемент из селенида меди и индия; CIS

См. "элемент/фотоэлектрический элемент из селенида меди и индия (CIS)", 3.1.9а).

CIS photovoltaic cell

3.1.13 составной полупроводниковый фотоэлектрический элемент

См. "элемент/составной полупроводниковый фотоэлектрический элемент", 3.1.9b).

compound semiconductor photovoltaic cell

3.1.14 коэффициент полезного действия, %: Отношение количества электроэнергии, генерируемой ФЭ устройством на единицу рабочей поверхности, к значению освещенности, полученному при измерении в стандартных условиях испытаний (СУИ).

conversion efficiency

Примечание - См. также "условия/стандартные тестовые условия", 3.4.16е).

3.1.15 кристаллический кремний

См. "кремний/кристаллический кремний", 3.1.58b).

crystalline silicon

3.1.16 ток

Для ФЭ устройств и соответствующих статей см. "фотоэлектрический/фотоэлектрический ток", 3.1.43b).

current

Примечание - Электрический термин "ток" - понятие многозначное.

3.1.17 метод Чохральского

См. "процесс выращивания кристалла/метод Чохральского", 3.1.32a).

Czochralski process

3.1.18 темновой ток, А: Электрический ток, остающийся в ФЭ устройстве, когда входящее излучение равно нулю.

dark current

3.1.19 устройство

См. "фотоэлектрический/фотоэлектрическое устройство", 3.1.43с).

device

3.1.20 диффузионный слой: Часть Р-слоя или N-слоя, возникшего из-за диффузии примеси для образования P-N перехода.

diffusion layer

3.1.21 направленная кристаллизация

См. "процесс выращивания кристалла/направленная кристаллизация", 3.1.32b).

directional solidification

3.1.22 донор (в фотоэлектрических элементах): Примесь (например, фосфор в случае кремния), которая поставляет дополнительный электрон в сбалансированную без нее кристаллическую структуру.

donor (in photovoltaic cells)

3.1.23 примесь (в фотоэлектрических элементах): Химический элемент, в небольших количествах добавляемый к полупроводнику для изменения его электрических свойств.

dopant (in photovoltaic cells)

Примечание 1 - N-примесь добавляет больше электронов, чем требуется для структуры вещества (например, для этого добавляют фосфор к кремнию).

Примечание 2 - Р-примесь создает нехватку электронов в структуре вещества (например, для этого добавляют бор к кремнию).

3.1.24 цветочувствительный фотоэлектрический элемент

См. "элемент/цветочувствительный фотоэлектрический элемент", 3.1.9d).

dye-sensitized photovoltaic cell

3.1.25 эффект

См. "фотоэлектрический/фотоэлектрический эффект", 3.1.43d).

effect

a) эффект поля тыльной поверхности: Эффект, при котором носители заряда, сгенерированные у тыльной поверхности ФЭ элемента, эффективно собираются внутренним электрическим полем, образованным сильно легированной зоной у тыльного электрода.

back-surface field effect

b) эффект удержания света: Эффект, при котором увеличивается сила электрического тока в замкнутом контуре за счет улавливания падающего света внутри ФЭ элемента с помощью текстурированных поверхностей, структур и т.д.

light-confinement effect

3.1.26 электромагнитное литье

См. "процесс выращивания кристалла/электромагнитное литье", 1.3.32с).

electromagnetic casting

3.1.27 запрещенная зона, eV: Область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле. [IEV 111-14-37]

energy gap

Примечание - См. также "энергетическая щель".

3.1.28 зонная плавка

См. "процесс выращивания кристалла/зонная плавка", 3.1.32d).

float zone melting

3.1.29 линии сети

См. "линии металлизации/линии сети", 3.1.37b).

grid lines

3.1.30 гетеропереход

См. "Р-N переход/гетеропереход", 3.1.34b).

heterojunction

3.1.31 местный перегрев: Интенсивное локальное повышение температуры, происходящее в ФЭ модуле, когда значение силы его рабочего тока превышает значение ограниченной силы тока короткого замыкания неисправного ФЭ элемента или группы ячеек внутри него.

hot spot

Примечание - При местном перегреве, подвергшийся его воздействию элемент или группа ячеек переходит в реверсивный режим и начинает отдавать энергию, что приводит к перегреву. Напряжения смещения или повреждение вызывают создание локального шунта, который проводит значительную часть тока ФЭ модуля.

3.1.32 процесс выращивания кристалла: Процесс, посредством которого выращивается кристалл.

ingot manufacturing process

a) метод Чохральского: Процесс выращивания совершенного крупного монокристалла посредством медленного вытягивания вверх вращающегося затравочного кристалла от вращающейся в противоположную сторону расплавленной кремниевой основы.

Czochralski process

Примечание 1 - Метод Чохральского позволяет производить цилиндрические слитки кремния, которые могут быть разрезаны на пластины круглого или псевдоквадратного сечения;

b) направленная кристаллизация: Метод создания крупнозернистых слитков поликристаллического кремния путем контроля скорости охлаждения расплавленного кремния в тигле квадратного сечения.

directional solidification

Примечание 2 - Направленная кристаллизация позволяет производить слитки кремния квадратного сечения, которые могут быть разрезаны на пластины квадратного или прямоугольного сечения;

c) электромагнитное литье: Метод производства слитков поликристаллического кремния, при котором находящийся под напряжением холодный тигель квадратного сечения с открытым дном постоянно протягивается вниз сквозь электромагнитное поле.

electromagnetic casting

Примечание 3 - Электромагнитное литье позволяет производить слитки кремния квадратного сечения, которые могут быть разрезаны на пластины квадратного или прямоугольного сечения;

d) метод зонной плавки: Метод выращивания и очищения высококачественных монокристаллических слитков.

float zone melting

3.1.33 фотоэлектрический элемент интегрированного типа

См. "элемент/элемент интегрированного типа", 3.1.9е).

integrated type photovoltaic cell

3.1.34 переход (полупроводниковый): Переходный слой между полупроводниковыми областями с разными электрическими свойствами или между полупроводником и слоем другого типа, характеризующийся потенциальным барьером, препятствующим проникновению носителей заряда из одной области в другую.

junction (of semiconductors)

a) P-N переход в солнечном элементе: Переход между полупроводником Р-типа и полупроводником N-типа в ФЭ элементе.

cell junction

Примечание 1 - P-N переход в солнечном элементе расположен в пределах барьера или бедной носителями области перехода;

b) гетеропереход: P-N переход, в котором две области различаются по проводимостям добавок и по атомному составу;

heterojunction

c) однородный переход: P-N переход, в котором две области различаются по проводимостям добавок, но не по атомному составу;

homojunction

d) барьер Шоттки [переход Шоттки]: Переход между металлом и полупроводником, где область перехода, формирующаяся у поверхности полупроводника, действует в качестве выпрямляющего барьера;

Schottky barrier, Schottky junction

e) PIN переход: Переход, состоящий из внутреннего полупроводника между полупроводником Р-типа и полупроводником N-типа, предназначенный для ограничения рекомбинации носителей заряда.

PIN junction

Примечание 2 - PIN переход широко используется в тонкопленочных ФЭ элементах из аморфного кремния.

f) P-N переход: Переход между полупроводником Р-типа и полупроводником N-типа.

P-N junction

3.1.35 эффект удержания света

См. "эффект/эффект удержания света", 3.1.25b).

light confinement effect

3.1.36 материал

См. "фотоэлектрический/фотоэлектрический материал", 3.1.43е)

material

3.1.37 линия металлизации: Металлический проводник на фронтальной или в тыльной части ФЭ элемента, предназначенный для отвода электрического тока, вырабатываемого ФЭ элементом.

metallisation line

Примечание 1 - Линия металлизации может быть создана различными способами.

Линии металлизации бывают двух типов:

а) шина (фотоэлектрических элементов): Линия металлизации с площадью поперечного сечения большей, чем у линий сетки, подсоединенная к линиям сетки и предназначенная для передачи их электрического тока к проводам или ленточным кабелям, соединяющим один ФЭ элемент с другими.

bus bar (of photovoltaic cells)

Примечание 2 - Соединительные кабели соединяются с шиной пайкой или электросваркой.

b) линия сетки: Линия металлизации, предназначенная для сбора электрического тока с поверхности полупроводника ФЭ элемента.

grid line

3.1.38 микрокристаллический кремний

См. "кремний/микрокристаллический кремний", 3.1.58с).

microcrystalline silicon

3.1.39 модуль

См. "фотоэлектрический/фотоэлектрический модуль", 3.1.43f).

module

3.1.40 мультикристаллический кремний

См. "кремний/мультикристаллический кремний", 3.1.58d).

multicrystalline silicon

3.1.41 многопереходный фотоэлектрический элемент

См. "элемент/многопереходный фотоэлектрический элемент", 3.1.9f).

multijunction photovoltaic cell

3.1.42 органический фотоэлектрический элемент

См. "элемент/органический фотоэлектрический элемент", 3.1.9g).

organic photovoltaic cell

3.1.43 фотоэлектрический, фотоэлектричество (ФЭ): Электрические явления, вызванные фотоэлектрическим эффектом. См. также "фотоэлектрический", 3.2.21 и 3.3.56.

photovoltaic, photovoltaics PV

a) фотоэлектрический элемент: Наиболее элементарное фотоэлектрическое устройство.

photovoltaic cell

Примечание 1 - В солнечных ФЭ энергетических системах "фотоэлектрический элемент" может иметь наименование также "солнечный фотоэлектрический элемент", в разговорной речи допускается наименование "солнечный элемент";

b) фотоэлектрический ток, А: Постоянный электрический ток, вырабатываемый фотоэлектрическим устройством.

photovoltaic current

Примечание 2 - См. также "темновой ток", 3.1.18;

c) фотоэлектрическое устройство: Компонент, который демонстрирует фотоэлектрический эффект.

photovoltaic device

Примечание 3 - Примеры фотоэлектрических устройств включают в себя фотоэлектрический элемент, модуль или установку;

d) фотоэлектрический эффект: Выбивание электронов из атомов и выработка напряжения постоянного тока путем поглощения фотонов.

photovoltaic effect

Примечание 4 - В настоящее время фотоэлектрический эффект производится специально созданными полупроводниками в результате прямого нетермического преобразования солнечной лучистой энергии в электрическую энергию;

e) фотоэлектрический материал: Материал, который демонстрирует фотоэлектрический эффект;

photovoltaic material

f) фотоэлектрический модуль: Полная и защищенная от воздействий внешней среды совокупность взаимосвязанных фотоэлектрических элементов.

photovoltaic module

Примечание 5 - Фотоэлектрические модули могут быть собраны в фотоэлектрические панели и фотоэлектрические установки. См. "фотоэлектрический/фотоэлектрическая панель" (3.3.56е) и "фотоэлектрический/фотоэлектрическая установка" (3.3.56а).

3.1.44 PIN переход

См. "переход/PIN переход", 3.1.34е).

PIN junction

3.1.45 P-N переход

См. "переход/P-N переход", 3.1.34f).

PN junction

3.1.46 фотоэлектрический элемент с P-N переходом

См. "элемент/элемент с P-N переходом", 3.1.9h).

PN junction photovoltaic cell

3.1.47 поликристаллический кремний

См. "кремний/поликристаллический кремний", 3.1.58е).

polycrystalline silicon

3.1.48 мощность, Вт: Величина, определяемая значением передачи или преобразования энергии или произведенной работы за единицу времени.

power

Примечание - Часто под мощностью неправильно понимают "электричество".

3.1.49 первичный эталонный фотоэлектрический элемент

См. "эталонный фотоэлектрический элемент/первичный эталонный фотоэлектрический элемент", 3.1.50а).

primary reference photovoltaic cell

3.1.50 эталонный фотоэлектрический элемент: Специально калиброванный ФЭ элемент, используемый для измерения освещенности или настройки имитируемых уровней освещенности в целях компенсации неэталонного спектрального распределения освещенности;

reference photovoltaic cell

a) первичный эталонный фотоэлектрический элемент: Эталонный ФЭ элемент, калибровка которого проведена с помощью радиометра или стандартного детектора, соответствующего стандарту Мирового радиометрического эталона (МРЭ);

primary reference photovoltaic cell

b) вторичный эталонный фотоэлектрический элемент: Эталонный ФЭ элемент, калиброванный при естественном или искусственном солнечном свете относительно первичного эталонного элемента.

secondary reference photovoltaic cell

3.1.51 эталонное фотоэлектрическое устройство: Эталонный ФЭ элемент, представляющий собой совокупность множественных эталонных элементов или эталонный модуль.

reference photovoltaic device

3.1.52 эталонный фотоэлектрический модуль: Специально калиброванный ФЭ модуль, используемый для измерения освещенности или для установки имитационных уровней освещенности в целях измерения эксплуатационных характеристик других модулей с аналогичными спектральной чувствительностью, оптическими характеристиками, размерами и электрической схемой.

reference photovoltaic module

3.1.53 лента: Тонкая полоса из кристаллического или поликристаллического материала, изготовленная непрерывным методом путем вытягивания из расплавленного кремния.

ribbon

3.1.54 фотоэлектрический элемент с барьером Шоттки

См. "элемент/фотоэлектрический элемент с барьером Шоттки", 3.1.9i).

Schottky barrier photovoltaic cell

3.1.55 переход Шоттки

См. "переход, Барьер Шоттки", 3.1.34d)

Schottky junction

3.1.56 вторичный эталонный фотоэлектрический элемент

См. "эталонный фотоэлектрический элемент/вторичный эталонный фотоэлектрический элемент", 3.1.50b).

secondary reference photovoltaic cell

3.1.57 полупроводниковый материал: Материал, проводимость которого из-за носителей заряда обоих знаков, как правило, находится в области между проводниками и изоляторами и в котором концентрация носителей заряда может изменяться в результате внешних воздействий.

semiconductor material

Примечание 1 - Термин "полупроводник", как правило, используют там, где носителями заряда выступают электроны или дырки (атом в отсутствие одного или нескольких электронов).

Примечание 2 - Для увеличения проводимости, значения подаваемой энергии должны превышать значения энергии в запрещенной зоне. См. также "значения энергии в запрещенной зоне", 3.1.5.

Примечание 3 - Полупроводники из таких доступных на сегодняшний день материалов, как кремний, арсенид галлия, теллурид кадмия и медно-галлиевый диселенид, хорошо подходят для использования в ФЭ процессах.

3.1.58 кремний, : Химический элемент, способный проявлять свойства металлов, с атомным номером 14, широко используемый в качестве полупроводникового материала, как правило, входящий в состав песка и кварца в форме оксида и часто применяемый в ФЭ элементах.

silicon

Примечание 1 - Кремний кристаллизуется в гранецентрированную кубическую кристаллическую решетку подобно алмазу.

Примечание 2 - Данные термины относятся к материалам, пластинам, элементам и модулям.

a) аморфный кремний; , : Гидрированный некристаллический кремниевый сплав в полустабильном состоянии, присаженный на чужеродный субстрат толщиной порядка 1 мкм;

amorphous silicon

b) кристаллический кремний; : Общая категория кремниевых материалов с кристаллической структурой, т.е. демонстрирующих порядок решетки, характерный для атомов кремния;

crystalline silicon

c) микрокристаллический кремний; : Гидрированный кремниевый сплав, присаженный на чужеродный субстрат слоем толщиной порядка 1 мкм с зернами кристаллической структуры <1 мкм;

microcrystalline silicon

d) мультикристаллический кремний; : Кремниевый материал, затвердевший с такой скоростью, что сформировались многочисленные крупные монокристаллы (называемые кристаллитами, размером от 1 до 10 мм).

multicrystalline silicon

Примечание 3 - Атомы каждого кристаллита расположены симметрично, однако собственно они размещены беспорядочно.

Примечание 4 - Часто изготавливают в виде отлитой заготовки или тянутой ленты;

е) поликристаллический кремний; : Кремниевый материал, присаженный на чужеродный субстрат слоем толщиной порядка от 10 до 30 мкм с зерном размером от 1 мкм до 1 мм.

polycrystalline silicon

Примечание 5 - Поликристаллический кремний известен как тонкопленочный .

Примечание 6 - Поликристаллический кремний - это также термин, используемый в процессе производства сырьевого кремния;

f) монокристаллический кремний; : Кремниевый материал, характеризующийся порядком и периодичностью расположения атомов таким образом, что все они имеют лишь одну ориентацию в кристалле, т.е. все атомы симметричны.

single crystalline silicon

Примечание 7 - Монокристаллический кремний известен как монокристаллический проводник.

g) солнечный фотоэлектрический кремний; SPG: Исходный материал высокой химической чистоты, предназначенный для выращивания заготовок из кристаллического кремния.

solar photovoltaic grade silicon

3.1.59 кремниевый фотоэлектрический элемент

См. "элемент/кремниевый фотоэлектрический элемент", 3.1.9j).

silicon photovoltaic cell

3.1.60 монокристаллический кремний

См. "кремний/монокристаллический кремний", 3.1.58f).

single crystalline silicon

3.1.61 солнечный фотоэлектрический, солнечные фотоэлектрические устройства: Относится к ФЭ устройствам, на которые воздействует солнечный свет.

solar photovoltaic, solar photovoltaics

Примечание - Все термины, начинающиеся со слов "солнечный фотоэлектрический", даны под соответствующими "фотоэлектрическими" наименованиями (3.1.43, 3.2.21 и 3.3.56).

3.1.62 скомпонованные фотоэлектрические элементы

См. "элемент/пакетный фотоэлектрический элемент", 3.1.9k).

stacked photovoltaic cell

3.1.63 фотоэлектрический элемент с несколькими P-N переходами

См. "элемент/тандемный фотоэлектрический элемент, 3.1.9l).

tandem photovoltaic cell

3.1.64 прозрачный проводящий оксидный слой (прозрачный проводящий оксид); ТСО: Прозрачный проводящий оксид, используемый в электроде тонкопленочных ФЭ элементов.

transparent conducting oxide layer

Примечание - См. также "прозрачный электрод", 3.1.67.

3.1.65 текстурированная поверхность: Неровная структура, образованная на передней или тыльной поверхности ФЭ элемента для увеличения поглощения света путем снижения потерь отражения от поверхности и использования эффекта удержания света.

textured surface

3.1.66 тонкопленочный фотоэлектрический элемент

См. "элемент/тонкопленочный фотоэлектрический элемент", 3.1.9m).

thin film photovoltaic cell

3.1.67 прозрачный электрод: Тонкопленочный электрод с высокой электрической проводимостью и высокой оптической прозрачностью, находящийся на ФЭ элементе.

transparent electrode

3.1.68 пластина: Отрезок полупроводникового материала, формирующий механическую и электрическую основу кристаллического ФЭ элемента.

wafer