5.3.1 Условия
Минимальные требования помехоустойчивости при проведении испытаний с воздействием высокочастотных помех и критерии приемки установлены в приведенных ниже таблицах 11 и 12. Критерии приемки установлены в 5.1.1. Пояснения приведены в A.3 приложения A.
Таблица 11 - Минимальные требования помехоустойчивости для СЭП, предназначенных для применения в первой обстановке
Порт | Электромагнитное явление | Осново- | Испытательный уровень | Критерий приемки/критерий качества функцио- |
Корпуса | Электростатические разряды | 4 кВ (контактный разряд) или 8 кВ (воздушный разряд), если подача контактного разряда невозможна | B | |
Радиочастотное электромагнитное поле, амплитудная модуляция | ГОСТ Р 51317.4.3, см. также 5.3.4 настоящего стандарта | 80-1000 МГц, 3 В/м, 80% АМ (1 кГц) | A | |
Радиочастотное электромагнитное поле, амплитудная модуляция | ГОСТ Р 51317.4.3, см. также 5.3.4 настоящего стандарта | 1,4-2,0 ГГц, 3 В/м, 80% АМ (1 кГц) | A | |
Радиочастотное электромагнитное поле, амплитудная модуляция | ГОСТ Р 51317.4.3, см. также 5.3.4 настоящего стандарта | 2,0-2,7 ГГц, 1 В/м, 80% АМ (1 кГц) | A | |
Порты электропитания (за исключением вспомогательных портов электропитания постоянного тока напряжением менее 60 В) | Наносекундные импульсные помехи | 1 кВ/5 кГц | B | |
Микросекундные импульсные помехи большой энергии, 1/50 мкс, 8/20 мкс | 1 кВ | B | ||
Радиочастотные помехи, наведенные электромагнитным полем, общий несимметричный режим | ГОСТ Р 51317.4.6, см. также 5.3.4 настоящего стандарта | 0,15-80 МГц, 3 В/м, 80% АМ (1 кГц) | A | |
Интерфейсы электропитания | Наносекундные импульсные помехи | 1 кВ/5 кГц, емкостные клещи связи | B | |
Порты линий измерения и управления процессами и сигнальных интерфейсов. Вспомогательные порты электропитания постоянного тока напряжением менее 60 В | Наносекундные импульсные помехи | 0,5 кВ/5 кГц, емкостные клещи связи | B | |
Радиочастотные помехи, наведенные электромагнитным полем, общий несимметричный режим | ГОСТ Р 51317.4.6, см. также 5.3.4 настоящего стандарта | 0,15-80 МГц, 3 В/м, 80% АМ (1 кГц) | A | |
|
Таблица 12 - Минимальные требования помехоустойчивости для СЭП, предназначенных для применения во второй обстановке
Порт | Электромагнитное явление | Осново- | Испытательный уровень | Критерий приемки/критерий качества функцио- |
Корпуса | Электростатические разряды | 4 кВ (контактный разряд) или 8 кВ (воздушный разряд), если подача контактного разряда невозможна | B | |
Радиочастотное электромагнитное поле, амплитудная модуляция | ГОСТ Р 51317.4.3, см. также 5.3.4 настоящего стандарта | 80-1000 МГц, 10 В/м, 80% АМ (1 кГц) | A | |
Радиочастотное электромагнитное поле, амплитудная модуляция | ГОСТ Р 51317.4.3, см. также 5.3.4 настоящего стандарта | 1,4-2,0 ГГц, 3 В/м, 80% АМ (1 кГц) | A | |
Радиочастотное электромагнитное поле, амплитудная модуляция | ГОСТ Р 51317.4.3, см. также 5.3.4 настоящего стандарта | 2,0-2,7 ГГц, 1 В/м, 80% АМ (1 кГц) | A | |
Порты электропитания (за исключением вспомогательных портов электропитания постоянного тока напряжением менее 60 В) | Наносекундные импульсные помехи | 1 кВ/5 кГц | B | |
Микросекундные импульсные помехи большой энергии, 1/50 мкс, 8/20 мкс | 1 кВ | B | ||
Радиочастотные помехи, наведенные электромагнитным полем, общий несимметричный режим | ГОСТ Р 51317.4.6, см. также 5.3.4 настоящего стандарта | 0,15-80 МГц, 10 В/м, 80% АМ (1 кГц) | A | |
Интерфейсы электропитания | Наносекундные импульсные помехи | 2 кВ/5 кГц, емкостные клещи связи | B | |
Порты сигнальных интерфейсов | Наносекундные импульсные помехи | 1 кВ/5 кГц, емкостные клещи связи | B | |
Радиочастотные помехи, наведенные электромагнитным полем, общий несимметричный режим | ГОСТ Р 51317.4.6, см. также 5.3.4 настоящего стандарта | 0,15-80 МГц, 10 В/м, 80% АМ (1 кГц) | A | |
Порты линий измерения и управления процессами. Вспомогательные порты электропитания постоянного тока напряжением менее 60 В | Наносекундные импульсные помехи | 0,5 кВ/5 кГц, емкостные клещи связи | B | |
Микросекундные импульсные помехи большой энергии, 1/50 мкс, 8/20 мкс | 1 кВ | B | ||
Радиочастотные помехи, наведенные электромагнитным полем, общий несимметричный режим | ГОСТ Р 51317.4.6, см. также 5.3.4 настоящего стандарта | 0,15-80 МГц, 3 В/м, 80% АМ (1 кГц) | A | |
|
5.3.2 Первая электромагнитная обстановка
Испытательные воздействия с уровнями в соответствии с таблицей 11 должны быть поданы на СЭП, предназначенные для применения в первой электромагнитной обстановке.
Если ПМП/ОМП сконструированы так, чтобы уровни помехоустойчивости соответствовали таблице 11, то в инструкции по эксплуатации на это оборудование должно быть письменное предупреждение о том, что оно не предназначено для использования в промышленных установках.
5.3.3 Вторая электромагнитная обстановка
Испытательные воздействия с уровнями в соответствии с таблицей 12 должны быть поданы на СЭП, предназначенные для применения во второй электромагнитной обстановке. Испытательные воздействия с этими уровнями подают также на низковольтные порты или низковольтные интерфейсы (электропитания, сигналов) СЭП номинальным напряжением свыше 1000 В.
Примечание - Примерами низковольтных портов и интерфейсов СЭП номинальным напряжением свыше 1000 В являются:
- низковольтный порт корпуса вспомогательного, контрольного и защитного оборудования;
- низковольтный порт низковольтного электропитания СЭП;
- низковольтный интерфейс вспомогательного электропитания, распределяемого между основными компонентами СЭП;
- низковольтный интерфейс сигналов, подаваемых основным компонентам СЭП;
- низковольтный порт сигналов технологических процессов СЭП.
Электромагнитные явления, указанные в таблице 12, непригодны для применения при испытаниях портов номинальным напряжением изоляции свыше 1000 В. Такие порты для упрощения именуются высоковольтными портами СЭП номинальным напряжением свыше 1000 В.
Примечание - Примерами высоковольтных портов СЭП номинальным напряжением свыше 1000 В являются:
- высоковольтный порт корпуса трансформатора, секции преобразователя и двигателя;
- высоковольтный порт первичной обмотки трансформатора;
- высоковольтный интерфейс высоковольтного электропитания, распределяемого между основными компонентами СЭП;
- высоковольтный интерфейс высоковольтных сигналов, подаваемых основным компонентам СЭП.
5.3.4 Помехоустойчивость при воздействии электромагнитных полей
СЭП, имеющие: