ГОСТ 18604.26-85
(СТ СЭВ 4757-84)

Группа Э29

     

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

Методы измерения временных параметров

Bipolar transistors.
Methods of time parameters measurement

     

ОКП 62 2300

Дата введения 1986-07-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 20 декабря 1985 г. N 4534 срок действия установлен с 01.07.86 до 01.07.91*

________________

* Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 17.09.91 N 1455 (ИУС N 12, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки , времени нарастания , времени включения , времени рассасывания , времени спада , времени выключения .

Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 18604.0-83.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 4757-84.

1. ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ

1.1. Значения временных параметров определяют измерением интервалов времени в соответствии с определениями временных параметров, приведенными в ГОСТ 20003-74.

1.2. Условия и режим измерения временных параметров должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2. АППАРАТУРА

2.1. Временные параметры следует измерять на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.1.

     
- генератор однополярных насыщающих импульсов; - генератор однополярных запирающих
импульсов; , - импульсные измерители тока; - испытуемый транзистор; - ограничитель
напряжения; - резистор нагрузки; , - делитель напряжения; , - резисторы в цепи базы;
  - измеритель интервалов времени; - блокировочный конденсатор;
  - источник постоянного напряжения коллектора

Черт.1

Допускается включать импульсные измерители тока в любой части измеряемой цепи.

Конкретную схему измерения приводят в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.2. Параметры импульсов на выходе генераторов и в соответствии с диаграммой временных параметров, приведенной на черт.2, должны соответствовать следующим требованиям:

длительность насыщающего импульса не должна быть менее 1,5 при измерении параметров , , и не менее 5 при измерении параметров , , , где и соответственно максимальное время включения и максимальное время рассасывания, которые устанавливают из диапазона измерения конкретной измерительной установки;

длительность фронта насыщающего импульса при измерении параметра не должна превышать 0,3, а при измерении параметров и - 0,5, где - время одного из указанных параметров;

длительность насыщающего импульса в технически обоснованных случаях может быть меньше 5. Конкретное значение указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов;

длительность запирающего импульса не должна быть менее максимального значения , которое устанавливают из диапазона измерения конкретной измерительной установки;

неравномерность вершины импульса не должна превышать 5% амплитудного значения импульса;

длительность выброса на вершине импульса не должна превышать минимального значения измеряемого интервала времени , определяемого рабочим диапазоном конкретной измерительной установки;

амплитуда выбросов на вершине импульса не должна превышать 10% амплитудного значения импульса;