Целью государственной политики в сфере радиоэлектронной промышленности является повышение уровня технологического развития российской радиоэлектронной промышленности до мирового уровня и конкурентоспособности ее продукции на внутреннем и мировом рынках сбыта.
Объем продаж продукции радиоэлектронной промышленности в 2011 году возрастет в 2,2 раза по сравнению с 2008 годом, в 2015 году - в 5,2 раза. К 2011 году в серийном производстве будет достигнут технологический уровень изделий микроэлектроники 0,13-0,09 мкм, в 2015 году - 0,045 мкм.
Приоритетными направлениями развития радиоэлектронной промышленности станут следующие.
Первое направление - создание современной научно-технической и производственно-технологической базы, в том числе:
создание современной базы производства радиационно стойкой электронной компонентной базы, сверхвысокочастотной электроники, микроэлектроники, электронных материалов и структур, микросистемной техники;
развитие ориентированной на рынок инфраструктуры радиоэлектронной промышленности с учетом реструктуризации системы проектирования и производства радиоэлектронных изделий (системоориентированные центры проектирования, дизайн-центры, "кремниевые фабрики", научно-технологический центр по микросистемотехнике и др.).
Второе направление - создание научно-технического задела по перспективным технологиям и конструкциям электронных компонентов, унифицированных узлов и блоков радиоэлектронной аппаратуры для обеспечения российской продукции и стратегически значимых систем.
Третье направление - обеспечение российских стратегических радиоэлектронных средств и систем российской электронной компонентной базой.