О федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (с изменениями на 19 августа 2014 года)

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

2008-

В том числе

Ожидаемые

2015 годы - всего

2008 год

2009 год

2010 год

2011 год

2012 год

2013 год

2014 год

2015 год

результаты

I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника

1.

Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы АВ

128,624
84

66
44

62,624
40

создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы АВ для бортовой и наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

2.

Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей Х-диапазона

202
134

30,5
20

39,5
26

53,25
35,5

31,8
21,2

46,95 31,3

создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей Х-диапазона на основе гетероструктур материалов группы АВ для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

3.

Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетеро-
эпитаксиальных структур

212,75
134,75

141,75
87,75

21
47

создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации (2009 год)

4.

Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур

531
375

20
17

77,5
65

163,5
109

118
80

152
104

создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы
конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

5.

Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложно-
функциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"

149,257
101,7

85,757
59,7

63,5
42

создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

6.

Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"

248,55
158,1

5,6
5

65,8
35

177,15
118,1

создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

7.

Разработка аттестованных библиотек сложно-
функциональных блоков для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетероструктур "кремний - германий"

448,408 308,75

253
169

195,408
139,75

разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

8.

Разработка базовых технологий проектирования кремний-германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложно-функциональных блоков

217,44
142

47
30

80,09
52

58,95
39,3

17
11,3

14,4
9,4

создание базовых технологий проектирования на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

9.

Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры

114,9
74

60
40

54,9
34

создание базовых технологий производства элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

10.

Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры

126,913
73,1

79,513
41,5

47,4
31,6

создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы
(2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

11.

Разработка базовых конструкций и технологии
производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов Х-, С-, S-, L- и Р-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью

226
152

151,2
102

74,8
50

создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

12.

Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов

83,5
55

13
8

40,5
27

30
20

создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов

13.

Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х-и С-диапазонов на основе новых материалов

109
62

64
32

45
30

создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

14.

Разработка базовых
технологий производства суперлинейных кремниевых
сверхвысокочастотных транзисторов
S- и L-диапазонов

11
8

11
8

создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и
L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

15.

Разработка конструктивно-
параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и
L-диапазонов

208,9
115,9

139,9
69,9

69
46

создание конструктивно-параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и
L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

16.

Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем Х-, С-, S-, L- и
Р-диапазонов для их массового производства

32
22

18
12

14
10

разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных
монолитных интегральных схем
в производстве и при их
использовании

17.

Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-
твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

149,416
102

84,916
59

64,5
43

создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

18.

Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-
твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

118,45
85,3

77,5
58

40,95
27,3

разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

19.

Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-
емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа и сверхбыстродействующих
(до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми дефектами

110,5
75,5

65,5
45,5

45
30

создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-
емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа
(2008 год), создание базовой технологии получения сверхбыстродействую-
щих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

20.

Разработка базовых конструкций и технологии производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-
емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа

84,5
53

50
30

34,5
23

создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-
емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

21.

Разработка базовой технологии сверхвысокочастотных
p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования

133,314
88

63,447
42

69,867
46

создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

22.

Разработка базовых технологий создания мощных вакуумных сверхвысокочастотных устройств

2323,262
1528,566

338
230

295,11
193,1

364,823
226,98

380,85
253,9

320
210

189,8
124,8

210,129
140,086

224,55
149,7

создание конструктивных рядов и базовых технологий проектирования и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год), мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год), малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год)

23.

Разработка базовых технологий создания мощных твердотельных сверхвысокочастотных устройств на базе нитрида галлия

1658,481
1094,1

158,001
103

253,012
166,5

296,269
192,4

293,55
195,7

287,35
189,9

122,05
81,1

109,875
73,25

138,374
92,25

создание базовых конструкций и технологий изготовления сверхвысокочастотных мощных приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая создание гетеропереходных полевых транзисторов с барьером Шоттки с удельной мощностью до 3-4 Вт/мм и рабочими напряжениями до 30 В, исследования и разработку технологий получения гетеро-
структур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высоко-
омных подложках (2013 год), разработку технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год)

24.

Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления

1046,46
698,32

160,2
106,8

99,5
67,02

274,5
183

298,88
199,25

213,38
142,25

исследование технологических принципов формирования перспективных сверхвысокочастотных приборов и структур, включая создание наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц

25.

Разработка перспективных методов проектирования и моделирования сложно-
функциональной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы

1017,375
680,525

49,2
32,8

331,7
224,7

221,4
147,6

238,375
157,625

176,7
117,8

создание полного состава прикладных программ проектирования и оптимизации сверхвысокочастотной электронной компонентной базы, включая проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе

Всего по направлению 1

9694
6405,611

1485.57
993,95

1392,821
929,35

1375,395
855,78

1603,5
1069

1205,35
804,12

1021,1
681,2

857,259
570,211

753,004
502

Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база

26.

Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм

106,65
79,65

60
38

46,65
41,65

создание технологии изготовления микросхем на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2009 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)

27.

Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм

286,65
188,1

39,2
19,6

170,25
113,5

53,2
37,2

24
17,8

создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2013 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы

28.

Разработка технологии проектирования и конструктивно-
технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно-функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе"
с проектными нормами
до 0,25 мкм

245,904
164

130
87

115,904
77

создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,25 мкм (2009 год)

29.

Разработка технологии проектирования и конструктивно-
технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно-функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм

365,35
235

108,6
54,3

166,05
110,7

67,7
52,6

23
17,4

создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,18 мкм

30.

Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы

141,75
97,65

92
63

49,75
34,65

создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,35 мкм и базовой технологии создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2009 год)

31.

Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы

257,45
159,2

74,6
37,3

130,35
86,9

42,3
28,2

10,2
6,8

создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2013 год)

32.

Разработка технологии "кремний на сапфире" изготовления ряда лицензионно-независимых радиационно стойких комплементарных полевых полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса

110,736
73

58,609
38

52,127
35

разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микро-контроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-
цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения

33.

Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире

370,802
231,7

82,952
39,8

190,35
126,9

72,6
48,4

24,9
16,6

создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункцио-
нальных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2013 год)

34.

Разработка базовой технологии и приборно-
технологического базиса производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", радиационно стойкой силовой электроники для аппаратуры питания и управления

92,669
73,15

51
40

41,669
33,15

разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год)

35.

Разработка элементной базы радиационно стойких интегральных схем на основе полевых эмиссионных микронанотриодов

74,471
50,6

36,2
26,1

38,271
24,5

создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования

36.

Создание
информационной базы радиационно стойкой электронной компонентной базы, содержащей модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы

256,6
167,3

21,4
10,7

25
16,6

92,4
61,6

117,8
78,4

разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний

37.

Разработка библиотек стандартных элементов и сложнофункциональных блоков для создания радиационно стойких сверхбольших интегральных схем

847,488
565,025

105
70

184,5
123

251,2
167,5

195,038
130,025

111.75
74,5

создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункцио-
нальных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год)

38.

Разработка расширенного ряда радиационно стойких сверхбольших интегральных схем для специальной аппаратуры связи, обработки и передачи информации, систем управления

921,488
613,825

187,5
125

185
123

141,25
94

216,75
144,5

190,988
127,325

разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с

расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования

39.

Разработка и совершенствование методов моделирования и проектирования радиационно стойкой элементной базы

834,4801
555,9867

75
50

275
183

210,75
140,5

128,1551
85,4367

145,575
97,05

разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний

40.

Разработка и совершенствование базовых технологий и конструкций радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе"с топологическими нормами не менее 0,18 мкм

916,75
602

180
120

191
123

177,5
113,5

189,75
126,5

178,5
119

создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на сапфире" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2014 год), создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе"с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год)

Всего по направлению 2

5829,2381
3856,1867

427,809
292,1

344,371
245,95

326,752
161,7

1229,5
819,6

1163,7
780

980,6
652,5

729,6931
486,4617

626,813 417,875

Направление 3. Микросистемная техника

41.

Разработка базовых технологий микроэлектромеханических систем

184,215
117,9

165,053
105,9

19,162
12

создание базовых технологий (2009 год) и комплектов технологической документации на изготовление микро-
электромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по 2 и 3 осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов

42.

Разработка базовых конструкций микроэлектромеханических систем

423,712
263,8

87,239
42,1

73,473
49,7

108
72

82,5
55

72,5
45

разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании
топливно-
энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике

43.

Разработка базовых
технологий микроакусто-
электромеханических
систем

202,784 132,15

122,356 78,55

44,428
29,6

36
24

создание базовых технологий (2009 год) и комплектов необходимой технологической документации на изготовление микроакусто-
электромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-
акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники

44.

Разработка базовых конструкций микро-
акустоэлектромеханических систем

411,574
258,8

52
28

103,825
60,3

88,5
59

167,249
111,5

разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов

45.

Разработка базовых технологий микроаналитических систем

37
25

37
25

создание базовых технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-
коммунального хозяйст-
ва, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов

46.

Разработка базовых конструкций микроаналитических систем

134
78

47
20

60
40

27
18

создание базовых конструкций микроаналитических систем, предназначенных для аппаратуры жилищно-
коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники, разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах

47.

Разработка базовых технологий микро-
оптоэлектромеханических систем

42,444
27

15,358
10,2

27,086
16,8

создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектро-
механических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей
(2009 год)

48.

Разработка базовых конструкций микро-
оптоэлектромеханических систем

109,278
70

33,95
21

48,328
31

27
18

разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектро-
механических систем коммутации и модуляции оптического излучения

49.

Разработка базовых технологий микросистем анализа магнитных полей

55,008
36

55,008
36

создание базовых технологий изготовления микросистем анализа магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год)

50.

Разработка базовых конструкций микросистем анализа магнитных полей

153,518
98,018

39,518
22,018

93
62

21
14

разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях

51.

Разработка базовых технологий радиочастотных микроэлектромеханических систем

123,525
80,662

43,274
28,45

80,251
52,212

разработка и освоение в производстве базовых технологий изготовления радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год)

52.

Разработка базовых конструкций радиочастотных микроэлектромеханических систем

142,577
96

35,6
25

63,477
42

43,5
29

разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий

53.

Разработка методов и средств обеспечения создания и производства изделий микросистемной техники

38,915
22,8

38,915
22,8

создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии

54.

Разработка перспективных технологий и конструкций микрооптоэлектро-
механических систем для оптической аппаратуры, систем отображения изображений, научных исследований и специальной техники

1077
718

345
230

315
210

256,5
171

160,5
107

создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектро-
механических систем для коммутации и модуляции оптического излучения (2012 год), акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектро-
механических систем коммутации оптического излучения (2015 год)

55.

Разработка и совершенствование методов и средств контроля, испытаний и аттестации изделий микросистемотехники

791,25
527,5

150
100

262,5
175

142,5
95

112,5
75

123,75
82,5

создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники

56.

Разработка перспективных технологий и конструкций микроаналитических систем для аппаратуры контроля и обнаружения токсичных, горючих, взрывчатых и наркотических веществ

868,5
579

360
240

253,5
169

156,75
104,5

98,25
65,5

создание перспективных технологий изготовления элементов
микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год)

Всего по направлению 3

4795,3
3130,63

476,964
306,9

466,233
268,73

442,103
285

465
310

1050
700

986,75
654,5

525,75
350,5

382,5
255

Направление 4. Микроэлектроника

57.

Разработка технологии и развитие методологии проектирования изделий микроэлектроники: разработка и освоение современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и "системы на кристалле" на основе каталогизированных сложнофункциональных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования, освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм

308,667
178,4

219,3
129,5

89,367
48,9

разработка комплекта нормативно-технической документации по проектированию изделий микроэлектроники, создание отраслевой базы данных с каталогами библиотечных элементов и сложнофункциональных блоков с каталогизированными результатами аттестации на физическом уровне, разработка комплекта нормативно-технической и технологической документации по взаимодействию центров проектирования в сетевом режиме

58.

Разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,13 мкм в целях обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного)

34,569
22,7

22,7
14,7

11,869
8

разработка комплекта технологической документации и организационно-
распорядительной документации по взаимодействию центров проектирования и центра изготовления фотошаблонов

59.

Разработка семейств и серий изделий микроэлектроники: универсальных микропроцессоров для встроенных применений, универсальных микропроцессоров для серверов и рабочих станций, цифровых процессоров обработки сигналов, сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем, сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти, микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью, схем интерфейса дискретного ввода - вывода, схем аналогового интерфейса, цифроаналоговых и аналого-
цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит, схем приемо-передатчиков шинных интерфейсов, изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения, встроенных интегральных источников питания

852,723
490,2

350,836
190,1

501,887
300,1

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства

60.

Разработка базовых серийных технологий изделий
микроэлектроники: цифроаналоговых и аналого-
цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 14-16 бит, микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров,сенсоров на основе магнитоэлектрических и пьезоматериалов,
встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц,
10-12 ГГц, систем на кристалле, в том числе в гетероинтег-рации сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов

2236,828
1299

1129,878
592,3

971,95
616,7

135
90

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства

61.

Разработка технологии и освоение производства изделий микроэлектроники с технологическим уровнем 0,13 мкм

545,397
308,8

304,9
168,3

240,497
140,5

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической документации и ввод в эксплуатацию производственной линии

62.

Разработка базовой технологии формирования многослойной разводки (7-8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu

939,45
587,3

196
102

360
240

154
99

229,45
146,3

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и
производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

63.

Разработка технологии и организация производства многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей

519,525
288,9

235,513
101

168,512
110,9

115,5
77

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

64.

Разработка новых методов технологических испытаний изделий микроэлектроники, гарантирующих их повышенную надежность в процессе долговременной (более 100000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов

133,8
133,8

67
67

66,8
66,8

разработка технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию специализированных участков

65.

Разработка современных методов анализа отказов изделий микроэлектроники с применением ультраразрешающих методов (ультразвуковая гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и др.)

243,77
243,77

131,9
131,9

111,87
111,87

разработка комплектов документации, включая утвержденные отраслевые методики, ввод в эксплуатацию модернизированных участков и лабораторий анализа отказов

66.

Разработка базовых субмикронных технологий уровней 0,065-0,045 мкм

1170,325
773,55

310
200

354,45
236,3

285
190

220,875
147,25

создание технологии сверхбольших интегральных схем, создание базовой технологии формирования многослойной разводки сверхбольших интегральных схем топологического уровня 0,065-0,045 мкм (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и
изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров

67.

Исследование технологических процессов и структур для субмикронных технологий уровней 0,032 мкм

1372,075
894,45

383
245

383,45
245,7

334,875
223,25

270,75
180,5

создание технологии сверхбольших интегральных схем технологических уровней 65-45 нм, организация опытного производства и исследование технологических уровней 0,032 мкм (2015 год)

68.

Разработка перспективных технологий и конструкций изделий интеллектуальной силовой электроники для применения в аппаратуре бытового и промышленного применения, на транспорте, в топливно-энергетическом комплексе и в специальных системах

1372,376
902,946

166,05
110,7

402,7
261,8

318
212

288,38
192,25

197,246
126,196

создание технологий и конструкций перспективных изделий интеллектуальной силовой
микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения, создание встроенных интегральных источников питания (2013-2015 годы)

69.

Разработка перспективных технологий сборки сверхбольших интегральных схем в многовыводные корпуса, в том числе корпуса с матричным расположением выводов, и технологий многокристальной сборки, включая создание "систем в корпусе"

1649,14
1072,36

300
200

356,4
224,2

205
123

413,25
275,5

374,49
249,66

разработка перспективной технологии многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей (2015 год)

Всего по направлению 4

11378,645
7196,176

1096,636
701,5

1257,803
777,17

1494,39
805,2

1913,5
1244,4

1741,1
1120

1490,35
963,3

1321,505
881

1063,361
703,606

Направление 5. Электронные материалы и структуры

70.

Разработка технологии производства новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза

78
49

51
32

27
17

внедрение новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза с повышенной теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов

71.

Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений для мощных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем

93,663
54,24

46,233
22,62

47,43
31,62

создание технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений для обеспечения разработок и изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных транзисторов (2011 год)

72.

Разработка базовой технологии производства метаморфных структур на основе GaAs и псевдоморфных структур на подложках InP для приборов сверхвысокочастотной электроники диапазона
60-90 ГГц

78,047
49,8

50,147
32

27,9
17,8

создание базовой технологии производства гетероструктур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысоко-
частотных монолитных интегральных схем диапазона 60-90 ГГц (2009 год)

73.

Разработка технологии производства спинэлектронных магнитных материалов, радиопоглощающих и мелкодисперсных ферритовых материалов для сверхвысокочастотных приборов

132,304
82

33,304
16

45
30

54
36

создание спинэлектронных магнитных материалов и микроволновых структур со спиновым управлением для создания перспективных микроволновых сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления

74.

Разработка технологии производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для обеспечения производства полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпи-
таксиальных структур на их основе

76,4
47,3

50,1
31

26,3
16,3

создание технологии массового производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для выпуска полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе (2009 год)

75.

Разработка технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для теплопроводных конструкций мощных выходных транзисторов и сверхвысокочастотных приборов

62,07
45,38

12
12

35,07
23,38

15
10

создание технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для мощных сверхвысокочастотных приборов (2012 год)

76.

Исследование путей и разработка технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур, а также полупроводниковых нитей с наноразмерами
при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника

57
38

36
24

21
14

создание технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектри-
ческих микро- и наноструктур для новых классов микроструктурных приборов, магниторезисторов, осцилляторов, устройств оптоэлектроники (2009 год)

77.

Разработка технологии выращивания слоев пьезокерамики на кремниевых подложках для формирования комплексированных устройств микросистемной техники

64,048
39

4,5
3

32,548
18

27
18

создание базовой пленочной технологии пьезокерамических элементов, совместимой с комплементарной металлооксидной полупроводниковой технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами
(2011 год)

78.

Разработка методологии и базовых технологий создания многослойных кремниевых структур с использованием "жертвенных" и "стопорных" диффузионных и диэлектрических слоев для производства силовых приборов и элементов микроэлектромеханических систем

63,657
38

42,657
24

21
14

создание технологии травления и изготовления кремниевых трехмерных базовых элементов микроэлектромехани-
ческих систем с использованием "жертвенных" и "стопорных" слоев для серийного производства элементов микроэлектромехани-
ческих систем (2009 год) кремниевых структур с использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния

79.

Разработка базовых технологий получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий с широким диапазоном функциональных свойств

45,85
22

29,35
11

16,5
11

создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий, алмазных полупроводящих пленок
для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год)

80.

Исследование и разработка технологии роста эпитаксиальных слоев карбида кремния, структур на основе нитридов, а также формирования изолирующих и коммутирующих слоев в приборах экстремальной электроники

136,716
88,55

57,132
38

79,584
50,55

создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов для создания радиационно стойких сверхвысокочастотных и силовых приборов нового поколения (2009 год)

81.

Разработка технологии производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой подложке для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения

159,831
90

52
35

107,831
55

создание технологии производства структур "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и топологическими нормами до 0,18 мкм для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения (2009 год)

82.

Разработка технологии производства высокоомного радиационно облученного кремния, слитков и пластин кремния диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов

138,549
89,7

54
36

84,549
53,7

создание технологии
производства радиационно облученного кремния и
пластин кремния до 150 мм для выпуска мощных транзисторов и сильноточных тиристоров нового
поколения (2009 год)

83.

Разработка технологии производства кремниевых подложек и структур для силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями p- и n-типов проводимости и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией

90,4
58,9

38,5
24

51,9
34,9

разработка и промышленное освоение получения высококачественных подложек и структур для использования в производстве силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией
(2009 год)

84.

Разработка технологии производства электронного кремния, кремниевых пластин диаметром до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25-0,18 мкм

220,764
162

73,964
48

146,8
114

создание технологии производства пластин кремния диаметром до 200 мм и эпитаксиальных структур уровня 0,25-0,18 мкм (2009 год)

85.

Разработка методологии, конструктивно-технических решений и перспективной базовой технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами

266,35
161

81,85
38

124,5
83

30
20

30
20

разработка технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами, обеспечивающей сокращение состава сборочных операций и формирование трехмерных структур (2013 год)

86.

Разработка технологии производства гетероструктур SiGe для разработки сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25-0,18 мкм

230,141
143

35,141
13

135
90

30
20

30
20

создание базовой технологии производства гетероструктур SiGe для выпуска быстродействующих
сверхбольших интегральных схем
с топологическими нормами 0,25-0,18 мкм (2011 год, 2013 год)

87.

Разработка технологии выращивания и обработки, в том числе плазмохимической, новых пьезоэлектрических материалов для акустоэлектроники и акустооптики

46,745
34

28,745
22

18
12

создание технологии выращивания и обработки пьезоэлектрических материалов акустоэлектроники и акустооптики для обеспечения производства широкой номенклатуры акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год)

88.

Разработка технологий
производства соединений АВ и тройных структур для производства сверхмощных лазерных диодов, высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов, фотоприемников среднего инфракрасного диапазона

93,501
58

24,001
12

33
22

23
15

13,5
9

создание технологии массового производства исходных материалов и структур для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники, в том числе производства сверхмощных лазерных диодов (2010 год), высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов (2011 год),
фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2013 год)

89.

Исследование и разработка технологии получения гетероструктур с вертикальными оптическими резонаторами на основе квантовых ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения

45,21
30

30,31
22

14,9
8

создание технологии производства принципиально новых материалов полупроводниковой электроники на основе сложных композиций для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники (2009 год)

90.

Разработка технологии производства современных компонентов для специализированных фотоэлектронных приборов, в том числе катодов и газопоглотителей, электронно-оптических и отклоняющих систем, стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок

32,305
17

24,805
12

7,5
5

создание технологии производства компонентов для специализированных электронно-лучевых (2010 год), электронно-
оптических и отклоняющих систем (2010 год), стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2011 год)

91.

Разработка технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для высокоэффективных фотокатодов, электронно-
оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона и солнечных элементов с высокими значениями коэффициента полезного действия

39,505
32

27,505
20

12
12

создание технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов и других приложений (2009 год)

92.

Разработка базовой технологии производства монокристаллов A1N для изготовления изолирующих и проводящих подложек для гетероструктур

42,013
24

24,013
12

18
12

создание технологии монокристаллов A1N
для изготовления изолирующих и проводящих подложек для создания полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год)

93.

Разработка базовой технологии производства наноструктурированных оксидов металлов (корунда и др.) для производства вакуумно-плотной нанокерамики, в том числе с заданными оптическими свойствами

44,599
29,2

29,694
19,85

14,905
9,35

создание базовой технологии вакуумно-
плотной спецстойкой керамики из нанокристаллических порошков и нитридов металлов для промышленного освоения спецстойких приборов нового поколения (2009 год), в том числе микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-
матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники

94.

Разработка базовой технологии производства полимерных и гибридных органо-неорганических наноструктурированных защитных материалов для электронных компонентов нового поколения прецизионных и сверхвысокочастотных резисторов, терминаторов, аттенюаторов и резисторно-
индукционно-емкостных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов

25,006
13

22,006
11

3
2

создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктуриро-
ванными наполнителями для создания изделий с высокой механической, термической и радиационной стойкостью при работе в условиях длительной эксплуатации и воздействии комплекса специальных внешних факторов (2011 год)

95.

Исследование и разработка
перспективных гетероструктурных и наноструктурированных материалов с экстремальными
характеристиками для перспективных электронных приборов и радиоэлектронной аппаратуры специального назначения

1365,875
910,25

225
150

269
179

309
206

306,375
204,25

256,5
171

создание базовой технологии производства гетероструктур, структур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60-90 ГГц (2012 год), создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год)

96.

Исследование и разработка экологически чистых материалов и методов их использования в производстве электронной компонентной базы и радиоаппаратуры, включая бессвинцовые композиции для сборки

1254,0188
836,0125

435
290

300
200

259,5188
173,0125

259,5
173

создание нового класса конструкционных и технологических материалов для уровней технологии 0,065-0,032 мкм и обеспечения высокого процента выхода годных изделий, экологических требований по международным стандартам (2012 год, 2015 год)

97.

Разработка перспективных технологий получения ленточных материалов (полимерные, металлические, плакированные и другие) для радиоэлектронной аппаратуры и сборочных операций электронной компонентной базы

1333,625
889,75

404
270

352,5
235

292,125
194,75

285
190

создание перспективных технологий производства компонентов для специализированных электронно-лучевых, электронно-оптических и отклоняющих систем, стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2013 год), создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров нанострукту-
рированными наполнителями (2015 год)

Всего по направлению 5

6316,1928
4131,0825

621,754
407,85

658,169
431,6

365,251
177,62

717
478

1260
840

1035
690

858,0188
572,0125

801
534

Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы

98.

Разработка технологии выпуска прецизионных температуростабильных
высокочастотных до 1,5-2 ГГц резонаторов на поверхностно акустических волнах до 1,5 ГГц с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс

30,928
20

18
12

12,928
8

разработка расширенного ряда резонаторов с повышенной кратковременной и долговременной стабильностью для создания контрольной аппаратуры и техники связи двойного назначения

99.

Разработка в лицензируемых и нелицензируемых международных частотных диапазонах 860 МГц и 2,45 ГГц ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, в том числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом

78,5
45

32
14

33
22

13,5
9

создание технологии и конструкции акустоэлектронных пассивных и активных меток-транспондеров для применения в логистических приложениях на транспорте, в торговле и промышленности (2010 год, 2011 год)

100.

Разработка базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа

30,5
19,5

17
11

13,5
8,5

создание технологии проектирования и базовых конструкций пьезоэлектрических фильтров в малогабаритных корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении техники связи массового применения (2009 год)

101.

Разработка технологии проектирования, базовой технологии производства и конструирования акустоэлектронных устройств нового поколения и фильтров промежуточной частоты с высокими характеристиками для современных систем связи, включая высокоизбирательные высокочастотные устройства частотной селекции на поверхностных и приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц

37,73
23

37,73
23

создание базовой технологии акустоэлектронных приборов для перспективных систем связи, измерительной и навигационной аппаратуры нового поколения - подвижных, спутниковых, тропосферных и радиорелейных линий связи, цифрового интерактивного телевидения, радиоизмерительной аппаратуры, радиолокационных станций, спутниковых навигационных систем (2008 год)

102.

Разработка технологии проектирования и базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов типа "система в корпусе"

97,416
60,9

35,001
22

62,415
38,9

создание технологии производства высокоин-
тегрированной электронной компонентной базы типа "система в корпусе" для вновь разрабатываемых и модернизируемых сложных радиоэлектронных систем и комплексов (2010 год)

103.

Разработка базовой конструкции и технологии изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем

63
42

21
14

21
14

21
14

создание базовой технологии (2013 год) и базовой конструкции микроминиатюрных высокодобротных фильтров для малогабаритной и носимой аппаратуры навигации и связи

104.

Разработка технологии и базовой конструкции фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений

35
23

35
23

создание нового поколения оптоэлектронных приборов для обеспечения задач предотвращения аварий и контроля

105.

Разработка базовой
технологии унифицированных
электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона

35,309
21,9

16,009
10

19,3
11,9

создание базовой технологии нового поколения приборов контроля тепловых полей для задач теплоэнергетики, медицины, поисковой и контрольной аппаратуры
на транспорте, продуктопроводах
и в охранных системах (2009 год)

106.

Разработка базовой технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов и усилителей для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения, научной и метрологической аппаратуры

82
53

45
30

12
23

создание базовой технологии (2008 год) и конструкции новых типов приборов, сочетающих фотоэлектронные и твердотельные технологии, в целях получения экстремально достижимых характеристик для задач контроля и наблюдения в системах двойного назначения

107.

Разработка базовых технологий мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения), специализированных лазерных полупроводниковых диодов, фотодиодов и лазерных волоконно-оптических модулей для создания аппаратуры и систем нового поколения

96,537
64

48,136
30

48,401
34

создание базовой технологии (2008 год) и конструкций принципиально новых мощных диодных лазеров, предназначенных для широкого применения в изделиях двойного назначения, медицины, полиграфического оборудования и системах открытой оптической связи

108.

Разработка и освоение базовых технологий для лазерных навигационных приборов, включая интегральный оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта

56,5
37

16
10

30
20

10,5
7

разработка базового комплекта основных оптоэлектронных компонентов для лазерных гироскопов широкого применения (2010 год), создание комплекса технологий обработки и формирования структурных и приборных элементов, оборудования контроля и аттестации,
обеспечивающих новый уровень технико-
экономических показателей производства

109.

Разработка базовых конструкций и технологий создания квантово-
электронных приемо-
передающих модулей для малогабаритных лазерных дальномеров нового поколения на основе твердотельных чип-лазеров с полупроводниковой накачкой, технологических лазерных установок широкого спектрального диапазона

22
15

22
15

создание базовой технологии твердотельных чип-
лазеров для лазерных дальномеров, твердотельных лазеров с пикосекундными длительностями импульсов для установок по прецизионной обработке композитных материалов, для создания элементов и изделий микромашиностроения и в производстве электронной компонентной базы нового поколения, мощных лазеров для применения в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах
(2008 год, 2009 год)

110.

Разработка базовых технологий формирования конструктивных узлов и блоков для лазеров нового поколения и технологии создания полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве

66,305
43

56,27
37

10,035
6

создание технологии получения широкоапертурных элементов на основе алюмоиттриевой легированной керамики композитных составов для лазеров с диодной накачкой (2008 год), высокоэффективных преобразователей частоты лазерного излучения, организация промышленного выпуска оптических изделий и лазерных элементов широкой номенклатуры

111.

Разработка базовых технологий, базовой конструкции и организация производства интегрированных катодолюминесцентных и других дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением

35
35

17
17

18
18

разработка расширенной серии низковольтных катодолюминесцентных и других дисплеев с широким диапазоном эргономических характеристик и свойств по условиям применения для информационных и контрольных систем

112.

Разработка технологии и базовых конструкций высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения

38,354
29

23,73
16

14,624
13

создание ряда принципиально новых светоизлучающих приборов с минимальными геометрическими размерами, высокой надежностью и устойчивостью к механическим и климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения

113.

Разработка базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа

100,604
59

21,554
10

61,05
37

18
12

создание базовой технологии производства нового поколения оптоэлектронной высокоэффективной и надежной электронной компонентной базы для промышленного оборудования и систем связи (2010 год, 2011 год)

114.

Разработка схемотехнических решений и унифицированных базовых конструкций и технологий формирования твердотельных видеомодулей на полупроводниковых светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой

51,527
33,5

24
16

27,527
17,5

создание технологии новых классов носимой и стационарной аппаратуры, экранов отображения информации коллективного пользования повышенных емкости и формата (2009 год)

115.

Разработка базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по "бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения

57,304
37

31,723
20

25,581
17

создание технологии массового производства солнечных элементов для индивидуального и коллективного использования в труднодоступных районах, развития солнечной энергетики в жилищно-коммунальном хозяйстве для обеспечения задач энергосбережения (2009 год)

116.

Разработка базовой технологии и освоение производства оптоэлектронных реле с повышенными техническими характеристиками для поверхностного монтажа

32
19

18
12

14
7

создание технологии массового производства нового класса оптоэлектронных приборов для широкого применения в радиоэлектронной аппаратуре (2009 год)

117.

Комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления с катушки на катушку

136,7
71,8

50
22

63
34

23,7
15,8

создание базовой технологии массового производства экранов с предельно низкой удельной стоимостью для информационных и обучающих систем (2010 год, 2011 год)

118.

Разработка базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических и кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и создание на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии
серийного производства монолитных модулей двойного назначения

145,651
100,5

45
30

13,526
8,5

87,125
62

создание технологии и конструкции активно-
матричных органических электролюминесцент-
ных, жидкокристаллических и катодолюминесцентных дисплеев, стойких к внешним специальным и климатическим воздействиям (2010 год)

119.

Разработка базовой
конструкции и технологии крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей

85,004
46

41,004
10

20
20

24
16

создание технологии и базовых конструкций полноцветных газоразрядных видеомодулей специального и двойного назначения для наборных экранов коллективного пользования (2010 год)

120.

Разработка технологии сверхпрецизионных резисторов и гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого-
цифровых преобразователей на их основе в металлокера-
мических корпусах для аппаратуры двойного назначения

63,249
42

24,013
16

18,027
12

21,209
14

разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов, гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей с параметрами, превышающими уровень существующих отечественных и зарубежных изделий, для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники (2010 год)

121.

Разработка базовой технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона номиналов, прецизионных датчиков тока для измерительной и контрольной аппаратуры и освоение их производства

72
48

30
20

30
20

12
8

разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов с повышенной удельной мощностью рассеяния, высоковольтных высокоомных резисторов для измерительной техники, приборов ночного видения и аппаратуры контроля (2013 год)

122.

Разработка технологии и базовых конструкций резисторов и резистивных структур нового поколения для поверхностного монтажа, в том числе резисторов с повышенными характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроенных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции

149,019
100

10,5
7

18,519
13

24,75
16,5

45
30

50,25
33,5

создание базовой технологии и конструкции резисторов с повышенными значениями стабильности, удельной мощности в чип-
исполнении на основе многослойных монолитных структур (2010 год, 2013 год)

123.

Разработка технологий формирования интегрированных резистивных структур с повышенными технико-
эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки

46,93
30,95

36,001
24

10,929
6,95

создание базовой технологии производства датчиков на резистивной основе с высокими техническими характеристиками и надежностью (2009 год)

124.

Создание групповой
технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов

59,011
39

30,006
20

29,005
19

создание технологии автоматизированного производства чип- и микрочип-резисторов
(в габаритах 0402, 0201 и менее) для применения в массовой аппаратуре (2009 год)

125.

Разработка новых базовых технологий и конструктивных решений изготовления танталовых оксидно-
полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов и чип-
конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками

126
83

24
16

27
17

75
50

создание базовой технологии производства конденсаторов с качественно улучшенными характеристиками с электродами из неблагородных металлов при сохранении высокого уровня надежности
(2010 год)

126.

Разработка комплексной базовой технологии и организация производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и ионисторов с повышенным током разряда

29,801
18

22,277
13

7,524
5

создание базовых технологий конденсаторов и ионисторов на основе полимерных материалов с повышенным удельным зарядом и энергоемких накопительных конденсаторов с повышенной удельной энергией (2009 год)

127.

Разработка технологии, базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения с предельными характеристиками для радиотехнической аппаратуры с высокими сроками службы

94,006
62

23,5
15

39,006
26

31,5
21

создание технологии и базовых конструкций нового поколения выключателей для радиоэлектронной аппаратуры с повышенными тактико-
техническими характеристиками и надежностью (2011 год)

128.

Разработка технологий
создания газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками

50,599
33,5

24,803
16,5

25,796
17

создание технологии изготовления коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей в широком диапазоне напряжений и токов для радиоэлектронных и электротехнических систем (2009 год)

129.

Разработка полного комплекта электронной компонентной базы для создания модульного устройства грозозащиты зданий и сооружений с обеспечением требований по международным стандартам

26,5
17,5

26,5
17,5

создание технологии выпуска устройств грозозащиты в индивидуальном, промышленном и гражданском строительстве, строительстве пожароопасных объектов (2008 год)

130.

Разработка базовых конструкций и технологий изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа

55
37

46
31

9
6

создание базовой технологии формирования высококачественных гальванических покрытий, технологии прецизионного формирования изделий для автоматизированных систем изготовления коммутационных устройств широкого назначения (2009 год)

131.

Комплексное исследование и разработка пленочных технологий изготовления высокоэкономичных крупноформатных гибких и особо плоских экранов

741,505
494,67

80,55
53,7

181
121

172,5
115

172,08
114,72

135,375
90,25

комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических светоизлучающих диодов (ОСИД), полимерной пленочной основы и технологий изготовления гибких ОСИД-экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати, процессов наноимпринта и рулонной технологии изготовления (2015 год)

132.

Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных и квантовых структур и приборов нового поколения

740,8875
493,925

75
50

217,5
145

156,75
104,5

171,075
114,05

120,5625
80,375

создание технологии формирования нового поколения оптоэлектронных комплексированных приборов, обеспечивающих создание "системы на кристалле" с оптическими входами-
выходами (2014 год, 2015 год)

133.

Разработка перспективных технологий промышленного изготовления солнечных высокоэффективных элементов

707,55
471,7

255
170

247,5
165

82,5
55

122,55
81,7

создание перспективной технологии изготовления солнечных элементов на основе четверных соединений нитридов металлов III группы (2015 год)

Всего по направлению 6

4375,9265
2869,345

688,198
456

611,262
365,35

510,324
336,9

352,5
235

749,5
500

660
440

425,655
283,77

378,4875
252,325

Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции

134.

Разработка базовых технологий создания рядов приемопередающих унифицированных электронных модулей для аппаратуры связи, радиолокации, телекоммуникаций, бортовых радиотехнических средств

4141,433
2715,25

130,715
90,1

167,733
113,6

127,015
87,7

630
420

1058
691

707,55
471,7

665,7
435,3

654,72
405,85

создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной элементной базы и последних достижений в разработке алгоритмов сжатия видеоизображений приемопередающих унифицированных электронных модулей аппаратуры связи, телекоммуникаций, цифрового телевидения, бортовых радиотехнических средств, активных фазированных антенных решеток с параметрами диапазона частот до 100 ГГц, скорости передачи информации до 100 Гбит/с,

создание базовых технологий и конструкции для создания унифицированных рядов приемопередающих унифицированных электронных модулей аппаратуры волоконно-
оптических линий связи когерентных, высокоскоростных каналов со спектральным уплотнением, телекоммуникаций, цифрового телевидения, обеспечивающих импортозамещение в этой области, разработка новых технологий

135.

Разработка базовых технологий создания нового класса унифицированных электронных модулей для обработки аналоговых и цифровых сигналов на основе устройств функциональной электроники, приборов обработки сигналов аналого-
цифровых и цифроаналоговых преобразователей, сенсоров и преобразователей

2961,6528
1963,5475

91,404
61,1

159,155
104,9

101,29
56,4

465
310

797
540

706,8
471,2

305,675
196,395

335,3288
223,5525

создание на основе базовых технологий и современной отечественной твердотельной компонентной электронной базы унифицированных электронных модулей нового поколения для обработки аналоговых и цифровых сигналов радиолокационных систем и других радиотехнических систем в высокочастотных и сверхвысокочастотных диапазонах, освоение производства нового класса многофункциональных радиоэлектронных устройств, разработка унифицированных электронных модулей преобразователей физических и химических величин для измерения и контроля широкой номенклатуры параметров микромеханических систем

136.

Разработка базовых технологий создания рядов
унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления, навигации (угловых и линейных перемещений, ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения, радиопеленгации, единого времени)

1599,0388
1068,6425

47,185
32,5

77,477
42,2

63,783
45,55

285
190

453
313

247,5
162

199,3275
132,885

225,7613
150,5075

создание рядов унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления, радиолокационных,
робототехнических, телекоммуникационных систем и навигации (ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения, радиопеленгации, единого времени), позволяющих резко снизить стоимость и организовать крупносерийное производство радиоэлектронных средств широкого применения

137.

Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных модулей процессоров, скоростного и сверхскоростного ввода-
вывода данных, шифрования и дешифрования данных, интерфейсов обмена, систем сбора и хранения информации, периферийных устройств, систем идентификации и управления доступом, конверторов, информационно-
вычислительных систем

3010,4329
1992,1499

60,024
40

89,053
53,5

63,082
42,04

540
360

977
658

447
296

433,4324
279,9824

400,8415
262,6275

создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы унифицированных электронных модулей широкой номенклатуры для применения в различных информационных системах, в том числе унифицированных электронных модулей
шифрования и дешифрования данных, разработка базовых технологий и конструкций унифицированных электронных модулей систем радиочастотной идентификации, систем идентификации личности, транспортных средств, контроля доступа на объекты повышенной безопасности, объектов атомной энергетики.
В создаваемых унифицированных электронных модулях будет обеспечена скорость обмена и передачи информации до 30 Гб/с

138.

Разработка базовых технологий создания рядов
унифицированных электронных цифровых модулей для перспективных магистрально-модульных архитектур

1969,3185
1312,529

49,076
32,7

64,824
43,2

81,236
46,5

270
180

437
303

500,9
329,6

258,499
172,34

307,7835
205,189

разработка на основе перспективных отечественных сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" базового ряда электронных модулей для создания перспективных магистрально-модульных архитектур, обеспечивающих создание защищенных средств вычислительной техники нового поколения (автоматизированные рабочие места, серверы, средства высокоскоростных линий волоконной связи), функционирующих с использованием современных высокоскоростных последовательных и параллельных системных интерфейсов

139.

Разработка базовых технологий создания ряда унифицированных электронных модулей для контрольно-измерительной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля, диагностики блоков радиоэлектронной аппаратуры, для стандартных и встроенных систем контроля и измерений

2029,9439
1347,3459

72,091
35,5

92,753
61,9

61,381
40,8

330
220

536
364

312,9
208,6

318,8432
212,5621

305,9757
203,9838

создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы рядов унифицированных электронных модулей, обеспечивающих возможность создания по модульному принципу контрольно-измеритель-
ной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля и диагностики на основе базовых несущих конструкций, создание комплекта сложнофункциональных блоков, определяющих ядро измерительных приборов, систем и комплексов, разработка законченных функциональных модулей, предназначенных для выполнения процессорных и интерфейсных функций поверки и диагностики сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" для систем управления, а также систем проектирования и изготовления модулей систем управления и бортовых электронно-
вычислительных машин, систем обработки информации и вычислений

140.

Разработка базовых технологий создания нового поколения унифицированных рядов средств электропитания и преобразователей электроэнергии для радиоэлектронных систем и аппаратуры гражданского и двойного назначения

2921,0238
1934,6725

58,5
41

95,178
62

91,262
55

480
320

860
574

421,05
280,7

519,3
338,15

395,7388
263,8225

разработка базовых технологий создания системообразующих унифицированных рядов средств (систем, источников, сервисных устройств) и преобразователей электроэнергии нового поколения межвидового и межведомственного применения, в том числе средств электропитания с высокой плотностью упаковки элементов с применением бескорпусных изделий, плоских моточных изделий пленочной технологии, новых методов экранирования, отвода и рассеяния

тепла, основанных на применении наноразмерных материалов с высокой анизотропной теплопроводностью. Будут разработаны базовые технологии создания унифицированных рядов источников электропитания, преобразователей электрической энергии, источников и систем бесперебойного электропитания, фильтров сетевых модулей автоматического переключения каналов, модулей защиты от сетевых помех, адаптеров

141.

Разработка оптимизированной системы базовых несущих конструкций первого, второго и третьего уровней для наземной, морской, авиационной и космической радиоэлектронной аппаратуры специального и двойного назначения, предназначенной для жестких условий эксплуатации, в том числе работающей в негерметизированном отсеке с использованием прогрессивных технологий

2731,3303
1809,5588

43
28

84,225
54,5

90
57

525
350

920
612

424
295

289,9995
193,333

355,1058
219,7258

разработка системы базовых несущих конструкций, изготавливаемых на основе прогрессивных технологий и обеспечивающих техническую совместимость со всеми видами современных объектов с использованием композиционных материалов. Применение оптимизированных базовых несущих конструкций позволит сократить сроки разработки радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 раза, снизить трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в 1,5 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2-1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение

142.

Разработка базовых технологий комплексно интегрированных базовых несущих конструкций с функциями контроля, диагностики, индикации функционирования

2191,264
1463,93

46,16
33

66,651
45,3

60,078
41,38

285
190

482
320

403,8
269,2

421,575
281,05

426
284

разработка системы базовых несущих конструкций, изготавливаемых на основе прогрессивных технологий и обеспечивающих техническую совместимость со всеми видами современных объектов с использованием композиционных материалов. Применение оптимизированных базовых несущих конструкций позволит сократить сроки разработки радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 раза, снизить трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в 1,5-2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2-1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение

143.

Разработка базовых технологий создания облегченных паяных базовых несущих конструкций для радиоэлектронной аппаратуры авиационного и космического базирования на основе существующих и перспективных алюминиевых сплавов повышенной прочности, обеспечивающих отвод тепла по элементам конструкции

1123,518
746

30,618
20

34,2
22,2

38
24

210
140

362
240

185
124

119,7
79,8

144
96

обеспечение улучшения массогабаритных характеристик бортовой аппаратуры на 10 процентов и повышение прочности при внешних воздействиях в 1,2 раза

144.

Разработка контейнерных базовых несущих конструкций с унифицированными интерфейсными средствами для комплексирования бортовых и наземных систем и комплексов различного назначения

965,425
637,75

21
14

32,4
20,4

38
24

180
120

275
180

144
96

139,65
93,1

135,375
90,25

повышение уровня системной интеграции и комплексирования средств и систем, повышение конкурентоспособности не менее чем в 2 раза, обеспечение функционирования аппаратуры в условиях внешних жестких воздействий

Всего по направлению 7

25644,3758
16991,3761

649,773
427,9

963,649
623,7

815,127
520,37

4200
2800

7157
4795

4500,5
3004

3671,7016
2114,8975

3686,6253
2405,5086

Направление 8. Типовые базовые технологические процессы

145.

Разработка технологии изготовления высокоплотных теплонагруженных и сильноточных печатных плат

2826,375
1893,5

45
30

75,057
50

66,568
44

555
370

848
575

407,4
271,6

434,625
289,75

394,725
263,15

обеспечение разработки технологий производства печатных плат 5-го и выше классов точности, включая платы со встроенными пассивными элементами, создания межслойных соединений с переходными сопротивлениями до 1 мОм для силовых цепей электропитания, формирования слоев меди (в том числе с толщиной до 200-400 мкм), серебра, никеля с высокими показателями проводимости, формирования финишных покрытий для бессвинцовой технологии производства изделий, производства многослойных печатных плат под высокие температуры пайки, лазерных процессов изготовления печатных плат, прямой металлизации сквозных и глухих отверстий

146.

Разработка технологии изготовления прецизионных коммутационных плат на основе керамики (в том числе
низкотемпературной), металла, углепластика и других функциональных материалов

1829,852
1221,5

35,733
25

52,195
35

49,124
33,3

360
240

545
363

271,95
181,3

260,775
173,85

255,075
170,05

обеспечение разработки технологий изготовления коммутационных плат для жестких условий эксплуатации и широкого диапазона частот, получения коммутационных плат с температурным коэффициентом расширения, соответствующим тепловым характеристикам многовыводных корпусов

(в том числе керамических) современных приборов, обеспечения предельно минимального газовыделения в замкнутом пространстве герметичных модулей, снижения энергоемкости технологических процессов за счет применения прогрессивных материалов и методов обработки, в том числе низкотемпературной керамики, интеграции в коммутационную плату теплостоков и низкоом-
ных проводников, пассивных элементов, прогрессивных методов формообразования элементов коммутационных плат, обеспечения совмещенного монтажа компонентов методами пайки и сварки на одной плате

147.

Разработка технологий сборки, монтажа электронных модулей, многокристальных модулей и микросборок на основе новой компонентной базы, перспективных технологических и конструкционных материалов

3385,67
2247,95

65,121
43

107,805
63

67,219
44,6

615
410

1033
689

547,05
364,7

503,025
335,35

447,45
298,3

обеспечение разработки технологий новых методов присоединения, сварки, пайки, в том числе с применением бессвинцовых припоев, высокоточного дозирования материалов, применяемых при сборке (флюсы, припои и припойные пасты, клеи, лаки, компаунды и др.), новых методов сборки и пайки корпусов типа

BGA, CSP, Flip-chip и других на различные коммутационные платы, монтажа новой электронной компонентной базы, в том числе бескорпусных кристаллов силовых ключей на токовые шины, сборки и монтажа низкопрофильных магнитных компонентов, настройки и ремонта сложных модулей, в том числе демонтажа и повторного монтажа многовыводных компонентов с восстановлением влагозащиты

148.

Разработка технологии создания межблочных соединений для коммутации сигналов в широком диапазоне частот и мощностей

1282,8213
854,5475

29
19

36,5
24

36,5
24

225
150

382
255

206,07
137,38

192,9713
128,6475

174,78
116,52

обеспечение разработки технологий изготовления антенно-фидерных устройств, в том числе гибких волноводов, вращающихся сочленений с различными видами охлаждения, оптоволоконной коммутации, устойчивой к воздействию жестких условий эксплуатации для различных условий применения, в том числе для систем дистанционного управления и мониторинга, изготовления устройств коммутации (разъемов, переключателей и др.) различного назначения, в том числе многовыводных, герметичных, врубных, сильноточных и др.

149.

Разработка методов, средств и технологии автоматизированного контроля коммутационных плат, узлов, электронных модулей и приборов специального и общего применения на этапах разработки и производства

2016,3248
1344,1885

35,154
23

61,38
41

47,258
31,5

225
150

382
255

379,05
252,7

451,6613
301,1075

434,8215
289,881

повышение процента выхода годных изделий, снижение потерь
на 15-30 процентов, обеспечение разработки неразрушающих методов контроля качества монтажных соединений и многослойных структур за счет использования различного излучения и цифровой обработки информации, методов выявления напряженных состояний элементов конструкции и потенциальных неисправностей изделий

150.

Разработка технологии производства специальных технологических и конструкционных материалов и базовой технологии защиты электронных модулей от воздействия в жестких условиях эксплуатации

3339,1998
2181,3625

57,178
36

81,504
53,15

73,524
48,97

600
400

1037
658

535,35
356,9

506,95
329,88

447,6938
298,4625

импортозамещение специальных конструкционных и технологических материалов, обеспечивающих процессы бессвинцовой и комбинированной пайки, изготовления коммутационных плат, разработка влагозащитных электроизоляционных покрытий с минимальным газовыделением со сроком эксплуатации 25 и более лет, разработка
быстроотверждающихся, эластичных, с низким газовыделением в вакууме клеев, компаундов, разработка материалов и технологии их примене-
ния для формирования теплостоков в высокоплотной аппаратуре, разработка высокоэффективных ферритов для планарных трансформаторов повышенной мощности, обеспечение разработки технологий локальной защиты чувствительных компонентов, общей защиты модулей органическими материалами, в том числе

наноструктурирован-
ными, изготовление вакуумно-плотных корпусов многокристальных модулей и микросборок под поверхностный монтаж на платы, формирование покрытий, обеспечивающих длительную защиту от дестабилизирующих факторов внешней среды, включая ионизирующие излучения, нанесение локальных покрытий с заданными свойствами на элементы конструкции модулей

Всего по направлению 8

14680,2428
9743,0485

267,186
176

414,441
266,15

340,193
226,37

2580
1720

4227
2795

2346,87
1564,58

2350,0075
1558,585

2154,5453
1436,3635

Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов

151.

Разработка технологий
создания систем и оборудования автоматизации
проектирования радиоэлектронных систем и комплексов

2560,6529
1703,0919

60,032
40

89,083
59

81,4
52

435
290

887
590

348,9
232,6

338,325
225,55

320,9129
213,9419

создание технологий отечественного программно-аппаратного обеспечения и средств разработки для автоматизированного проектирования радиоэлектронного оборудования с использованием различных технологических процессов,
повышение качества и сокращение сроков разработки радиоэлектронной продукции, создание технологий обеспечения информационной безопасности

функционирования информационно-управляющих систем, существенное повышение уровней защиты информации в информационно-
управляющих системах, создание базовых универсальных функциональных модулей защиты информации от несанкционированного доступа, вирусных атак, средств разведки и считывания информации, криптозащиты каналов систем, реализация полного технологического цикла проектирования, испытаний и производства унифицированной высокоэффективной, импортозамещающей, конкурентоспособной аппаратуры

152.

Разработка технологий моделирования сложных информационно-
управляющих систем, в том числе систем реального времени

3056,819
2026,45

75,3
49,8

138,5
80

80,194
53,1

525
350

1055
705

429
286

384,75
256,5

369,075
246,05

создание новых способов моделирования, в том числе комбинированного способа моделирования, позволяющего существенным образом повысить быстродействие вычислений при сохранении точности расчета выходных показателей
эффективности, способа операционно-динами-
ческого моделирования, снижение сроков разработки и испытаний радиоэлектронной продукции, повышение достоверности математического и имитационного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний и экспериментов

153.

Разработка технологий полунатурных и стендовых испытаний сложных информационно-
управляющих систем

2372,36
1580,068

45,054
30

70,65
45,65

75,029
50

405
270

975
650

285
190

259,4145
172,943

257,2125
171,475

создание метрологически аттестованной унифицированной стендовой испытательной базы для проведения научно-
исследовательских и опытно-конструкторских работ, снижение сроков разработки и стоимости испытаний радиоэлектронной продукции, существенное повышение достоверности полунатурного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний

154.

Разработка технологии конструирования и производства, а также аппаратно-программного обеспечения метрологических систем различного назначения для создания нового поколения отечественного парка измерительной аппаратуры

2212,6825
1472,625

45,05
30

73,65
48,65

68,96
43,96

375
250

907
605

269
179

249,3
166,2

224,7225
149,815

разработка базовых технологий, элементов и конструкций для создания парка измерительных систем и приборов, необходимых для разработки и испытаний радиотехнических информационно-
управляющих систем, систем связи и телекоммуникаций

Всего по направлению 9

10202,5144
6782,2349

225,436
149,8

371,883
233,3

305,583
199,06

1740
1160

3824
2550

1331,9
887,6

1231,7895
821,193

1171,9229
781,2819

Направление 10. Обеспечивающие работы

155.

Разработка организационных принципов и научно-
технической базы обеспечения проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации

89,27
86,27

9
6

6
6

7
7

10
10

18
18

14
14

12,635
12,635

12,635
12,635

разработка комплекта методической и научно-
технической документации для обеспечения функционирования систем проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации

156.

Создание и обеспечение функционирования системы испытаний электронной компонентной базы, обеспечивающей поставку изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального и двойного назначения

123,9
120,6

16,3
13

20
20

13
13

19
19

18
18

11
11

13,3
13,3

13,3
13,3

разработка новых и совершенствование существующих методов испытаний электронной компонентной базы, разработка методов отбраковочных испытаний перспективной электронной компонентной базы, обеспечение поставки изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального назначения (атомная энергетика, космические программы, транспорт, системы двойного назначения)

157.

Разработка и совершенствование методов, обеспечивающих качество и надежность сложнофункцио-
нальной электронной компонентной базы на этапах опытно-конструкторских работ, освоения и производства

94,55
93,05

8,5
7

12
12

9
9

11
11

18
18

10,4
10,4

13,3
13,3

12,35
12,35

разработка и систематизация методов расчетно-эксперимен-
тальной оценки показателей надежности электронной компонентной базы, разрешенной для применения в аппаратуре, функционирующей в специальных условиях и с длительными сроками активного существования

158.

Создание и внедрение основополагающих документов по обеспечению жизненного цикла изделия на этапах проектирования, производства, применения и утилизации электронной компонентной базы

92,2175
83,7175

10
7

14,5
9

10
10

18
18

15
15

12,985
12,985

11,7325
11,7325

разработка системы технологий обеспечения жизненного цикла изделия при создании широкой номенклатуры электронной компонентной базы

159.

Научное сопровождение Программы, в том числе определение технологического и технического уровней развития отечественной и импортной электронной компонентной базы на основе их рубежных технико-
экономических показателей, разработка "маршрутных карт" развития групп электронной компонентной базы

131,1825
120,1825

19
13

25
20

15
15

19
19

18
18

10
10

13,3
13,3

11,8825
11,8825

оптимизация состава выполняемых комплексов научно-
исследовательских и опытно-конструкторских работ по развитию электронной компонентной базы в рамках Программы и определение перспективных направлений создания новых классов электронной компонентной базы с установлением системы технико-экономических и рубежных технологических показателей, разработка "маршрутных карт" развития по направлениям электронной компонентной базы

160.

Создание интегрированной информационно-
аналитической автоматизированной системы по развитию электронной компонентной базы, охватывающей деятельность заказчика-координатора, заказчика и организаций, участвующих в выполнении комплекса программных мероприятий, в целях оптимизации состава участников, финансовых средств, перечисляемой государству прибыли и достижения заданных технико-экономических показателей разрабатываемой электронной компонентной базы

101,0325
94,5325

11
7

14,5
12

9
9

10
10

18
18

13
13

13,3
13,3

12,2325
12,2325

проведение технико-
экономической оптимизации выполнения комплексных годовых мероприятий подпрограммы, создание системы действенного финансового и технического контроля выполнения Программы

161.

Определение перспектив развития российской электронной компонентной базы на основе анализа динамики сегментов мирового и отечественного рынков радиоэлектронной продукции и действующей производственно-
технологической базы

96,1825
89,1825

11
7

13
10

8
8

8
8

18
18

13
13

13,3
13,3

11,8825
11,8825

формирование системно-
ориентированных материалов по экономике, технологиям проектирования и производству электронной компонентной базы, обобщение и анализ мирового опыта для выработки технически и экономически обоснованных решений развития электронной компонентной базы

162.

Системный анализ результатов выполнения комплекса мероприятий Программы на основе создания отраслевой системы планирования и учета развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы по основным технико-
экономическим показателям

73
68

11
8

13
11

8
8

7
7

14
14

6,7
6,7

6,65
6,65

6,65
6,65

создание отраслевой системы учета и планирования развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы

Всего
по направлению 10

801,335
755,535

95,8
68

118
100

69
69

94
94

140
140

93,1
93,1

98,77
98,77

92,665
92,665

Всего по разделу I

93717,7693
61861,2257

6035,127
3980

6598,632
4241,3

6044,117
3637

14895
9930

22517,65
15024,12

14446,17
9630,78

12070,1494
8037,4007

11110,9239
7380,625

2008-

В том числе

Сроки

Площадь

Ожидаемые

2015 годы - всего

2008 год

2009 год

2010 год

2011 год

2012 год

2013 год

2014 год

2015 год

реали-
зации (годы)

объекта
(кв. метров)

результаты

1. Минпромторг России

163.

Реконструкция и техническое перевооружение производства сверхвысокочастотной техники федерального государственного унитарного предприятия "Научно-
производственное предприятие "Исток", г.Фрязино, Московская область

744,5
696,5

357
315

191,5
191,5

196
190

2008-2010

5293

создание производственно-
технологического комплекса по выпуску твердотельных сверхвысокочас-
тотных субмодулей мощностью 100 тыс. штук в год

164.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-
производственное предприятие "Пульсар", г.Москва

815,5
580,5

124,5
110

170,5
170,5

100,5
90

420
210

2008-2011

3424,4

создание производствен-
ной технологической линии по выпуску сверхвысокочас-
тотных приборов и модулей на широкозонных полупроводниках мощностью 360 тыс. штук в год

165.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-
производственное предприятие "Салют", г.Нижний Новгород

233
140

53
50

180
90

2010-2011

3380

расширение мощностей по производству активных элементов и сверхвысоко-
частотных монолитных интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью с 15 до 35 тыс. штук в год

166.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-
производственное предприятие "Алмаз", г.Саратов

193,6
140

93,6
90

100
50

2010-2011

3058,73

ввод новых мощностей по производству новейших образцов ламп бегущей волны и других сверхвысоко-
частотных приборов, в том числе в
миллиметровом диапазоне

167.

Реконструкция и
техническое
перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-
производственное предприятие "Торий", г.Москва

348,8
200

78,8
65

270
135

2010-2011

1438

реконструкция производствен-
ной линии по выпуску новых сверхмощных сверхвысокочас-
тотных приборов с повышенным уровнем технических параметров, надежности и долговечности мощностью 88 штук в год

168.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г.Новосибирск

100
60

40
30

60
30

2010-2011

1380

реконструкция производствен-
ной линии для выпуска новых изделий радиационно стойкой электронной компонентной базы, необходимой для организаций Госкорпорации "Росатом" и Роскосмоса

169.

Техническое
перевооружение
федерального
государственного
унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток", г.Новосибирск

133
90

53
50

80
40

2010-2011

1973

создание
производствен-
ных мощностей по выпуску радиационно стойкой электронной компонентной базы в количестве
80-100 тыс. штук в год для комплектования важнейших специальных систем

170.

Техническое перевооружение
открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г.Москва,
г.Зеленоград

1478,06
739,03*

500
250

700
350

278,06
139,03

2012-2014

5240

техническое перевооружение завода для выпуска сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,18 мкм

________________
     * Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

171.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-
исследовательский институт "Полюс" им.М.Ф.Стельмаха", г.Москва

240
120

49,2
24,6

190,8
95,4

2010-2011

2411

организация участка прецизионной оптической и механической обработки деталей для лазерных излучателей, твердотельных лазеров и бескарданных лазерных гироскопов нового поколения мощностью 442 штуки год

172.

Реконструкция и техническое перевооружение централизованного производства базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Производственное объединение "Квант", г.Великий Новгород

166,2
150

166,2
150

2009

7630,4

обеспечение потребности в базовых несущих конструкциях, в том числе импортозаме-
щающих, предприятий приборостроения, машиностроения, судостроения и других отраслей промышленности

173.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-
исследовательский институт электронно-механических приборов", г.Пенза

62
60

62
60

2009

2404,6

техническое перевооружение действующего производства электронной компонентной базы и микросистемо-
техники для создания новых рядов конкурентоспо-
собных изделий электронной техники

174.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-
исследовательский институт электронной техники", г.Воронеж

60,1
30

60,1
30

2008

120

техническое перевооружение действующих производствен-
ных мощностей по выпуску сверхбольших
интегральных схем и мощных сверхвысокочас-
тотных транзисторов с объемом выпуска сверхбольших интегральных схем 50 тыс. штук в год, мощных сверхвысокочас-
тотных транзисторов 10 тыс. штук в год

175.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-
исследовательский институт физических проблем
им.Ф.В.Лукина", г.Москва

160
80

160
80

2012

700

организация серийного производства параметрических рядов мембранных датчиков мощностью 10 млн. штук в год и чувствительных элементов для сканирующей зондовой микроскопии мощностью 0,3 млн. штук в год

176.

Реконструкция и техническое перевооружение производства перспективных тонкостенных антенно-
фидерных устройств и волноводных трактов сверхвысокочастотного диапазона в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г.Рыбинск, Ярославская область

793,22
396,61

64
32

180
90

490
245

59,22
29,61

2010-2013

12900

расширение производства перспективных тонкостенных антенно-
фидерных устройств и волноводных трактов сверхвысокочас-
тотного диапазона, увеличение выпуска в 1,5 раза мощностью 44,76 тыс. штук в год

177.

Техническое перевооружение в целях создания отраслевого информационно-
аналитического центра в открытом акционерном обществе "Центральный научно-исследовательский институт экономики, систем управления и информации "Электроника", г.Москва

120
60*

40
20

80
40

2013-2014

900

информационно-
аналитическое обеспечение деятельности организаций радиоэлектрон-
ной промышленности

________________
     * Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

178.

Техническое перевооружение и реконструкция производства и лабораторной базы для разработки и производства перспективных радиоэлектронных модулей, изделий в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г.Москва

1663,86
831,93

1460
730

203,86
101,93

2012-2013

2226

повышение эффективности, надежности и конкуренто-
способности отечественных радиоэлектрон-
ных модулей, изделий, комплексов и систем открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега

179.

Техническое перевооружение в целях создания отраслевого информационно-
аналитического центра по проектированию радиоэлектронных производств в открытом акционерном обществе "Мосэлектрон-проект", г.Москва

540
270

200
100

340
170

2013-2014

3000

разработка и внедрение современных технологий проектирования радиоэлектрон-
ных производств на базе прогрессивных аппаратно-
программных средств автоматизиро-
ванного проектирования, в основе которых лежит информационное моделирование зданий**

________________
     ** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

180.

Техническое перевооружение для создания производства нового поколения радиоэлектронных модулей в открытом акционерном обществе "Научно-
производственное предприятие "Рубин", г.Пенза

297,66
148,66

47,66
23,66

110
55

140
70

2009-2011

2456,4

создание комплексного испытательного стенда для исследования образцов техники мощностью 800 штук в год

181.

Техническое перевооружение производственно-
технологической, контрольно-
испытательной базы в открытом акционерном обществе "Инженерно-
маркетинговый центр Концерна "Вега", г.Москва

379,9
200*

25,9
23

70
35

80
40

60
30

72
36

72
36

2010-2015

996,3

производство систем
радиочастотной идентификации**

________________
     * Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

     ** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

182.

Строительство лабораторно-
производственного комплекса по выпуску перспективных многофункциональных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г.Москва

3200
1600*

1080
540

1202
672

918
388

2013-2015

15000

создание нового высокотехноло-
гичного лабораторно-
производствен-
ного комплекса для выпуска многофункцио-
нальных радиоэлектрон-
ных узлов, блоков и приборов на основе СнК, МИС, встраиваемых пассивных компонентов и технологий высокоплотного монтажа. Обеспечение разработки и выпуска конкурентоспо-
собных изделий, комплексов и систем следующего поколения на основе перспективных производствен-
ных технологий, в том числе модулей для

обработки и передачи сигналов радиолокацион-
ных навигационных и посадочных систем, антенных систем дистанционного зондирования Земли, микропроцессор-
ных систем управления и контроля гибридных двигательных установок**

________________
     * Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

     ** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

183.

Реконструкция и техническое перевооружение в целях создания специализированного производства гироскопов в открытом акционерном обществе "Ижевский электромеханический завод "Купол", г.Ижевск, Удмуртская Республика

1720
860

500
250

480
240

370
185

370
185

2012-2015

10735

изготовление гироскопов для перспективных летательных аппаратов**

________________
     ** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

184.

Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных низкочастотных типовых элементов замены и модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Марийский машиностроительный завод", г.Йошкар-Ола, Республика Марий Эл

1220
610*

380
190

360
180

240
120

240
120

2012-2015

4287

изготовление унифицирован-
ных твердотельных низкочастотных типовых элементов замены для информационных средств и модулей активных фазированных антенных решеток для локационных систем различного применения, перспективных средств связи и управления воздушным движением**

________________
     * Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

     ** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

185.

Реконструкция и техническое перевооружение производства унифицированных электронных модулей межвидового применения на открытом акционерном обществе "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники", г.Нижний Новгород

699,82
349,91

140
70

380
190

179,82
89,91

2011-2013

9582

организация производства и внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизво-
дительным оборудованием, увеличение объема ежегодного производства продукции с 2370 млн. рублей в 2007 году
до 5028 млн. рублей в 2015 году