Действующий

О федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (с изменениями на 19 августа 2014 года)

III. Перечень мероприятий Программы


Перечень мероприятий Программы приведен в приложении N 2. Мероприятия структурированы по следующим важнейшим направлениям развития электронной компонентной базы и радиоэлектроники:

сверхвысокочастотная электроника;

радиационно стойкая электронная компонентная база;

микросистемная техника;

микроэлектроника;

электронные материалы и структуры;

группы пассивной электронной компонентной базы;

унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции;

типовые базовые технологические процессы;

развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов;

обеспечивающие работы.

В рамках направления "Сверхвысокочастотная электроника" предусмотрены мероприятия по разработке:

технологии производства мощных транзисторов и монолитных сверхвысокочастотных микросхем на основе гетероструктур материалов группы А3В5, приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона;

базовой технологии производства мощных полупроводниковых приборов и монолитных интегральных систем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур;

базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий";

базовой технологии изготовления сверхвысокочастотных транзисторов и интегральных схем на широкозонных материалах;

базовой технологии изготовления сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов повышенной надежности, эффективности и долговечности;

базовой технологии изготовления вакуумных сверхвысокочастотных приборов нового поколения;

технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного контроля параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и монолитных интегральных систем сверхвысокочастотных диапазонов для массового производства;

базовой технологии изготовления мощных вакуумно-твердотельных малогабаритных модулей нового поколения с улучшенными массогабаритными и спектральными характеристиками для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения;

технологии изготовления сверхбыстродействующих приборов (до 150 ГГц) на наногетероструктурах с квантовыми дефектами;

базовой технологии производства портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных, твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования.

В рамках Программы получат дальнейшее развитие работы по вакуумной сверхвысокочастотной электронике.

Вакуумная сверхвысокочастотная электроника является единственной областью электроники России, которая до настоящего времени сохранила по ряду направлений лидирующие позиции в мире.

Лидирующие позиции российских организаций в 70-90 годы ХХ века сформировались по 3 направлениям:

многолучевые клистроны;

двухрежимные лампы бегущей волны;

гироприборы миллиметрового диапазона.