В области электронных материалов и структур планируется осуществить:
- разработку базовых технологий и организацию производства:
кремниевых пластин диаметром 200 мм технологического уровня 0,18-0,13 мкм;
структур типа "кремний на изоляторе", "кремний на сапфире" диаметром 150 мм и технологического уровня 0,5-0,35 мкм;
пластин радиационно облученного кремния диаметром 150 мм для приборов силовой электроники;
гетероструктур диаметром 100-150 мм с квантовыми эффектами для СВЧ твердотельной электроники, высокоинтенсивных приборов светотехники, лазеров и специальных матричных приемников;
керамических материалов и плат, материалов для пленочных технологий, компонентов и клеев, герметиков для выпуска новых классов радиоэлектронных компонентов и приборов, корпусов и носителей;
бессвинцовых сложных композиций для экологически чистой сборки ЭКБ и монтажа в составе РЭА.
- разработку технологий нанесения покрытий и формирования:
экологически чистой технологии нанесения гальванопокрытий с замкнутым циклом нейтрализации и утилизации;
высокоэффективных процессов формирования полимерных покрытий, алмазоподобных пленок и наноструктурированных материалов, самоформирования пространственных структур;
новых классов сложных полупроводниковых материалов с большой шириной запрещенной зоны для высоковольтной и высокотемпературной электроники (карбид кремния, алмазоподобные материалы, сложные нитридные соединения и т.д.);
новых классов полимерных пленочных материалов, включая многослойные и металлизированные, для задач политроники и сборочных процессов массового производства ЭКБ широкого потребления;
новых автоэмиссионных материалов на основе углеродных нанотрубок для катодов вакуумных СВЧ-приборов.
Основная цель второго этапа (2012-2015 годы) реализации Стратегии - ликвидация технологического отставания отечественной электронной промышленности от мирового уровня, широкомасштабная работа по реконструкции и техническому перевооружению действующих электронных организаций и строительство новых электронных производств.
В этот период основные усилия должны быть направлены на решение следующих задач:
- комплексная реструктуризация и техническое перевооружение действующих электронных организаций;
- проектирование и создание новых электронных производств;
- внедрение новых перспективных электронных технологий для создания конкурентоспособной качественной электронной компонентной базы;
- сокращение импорта зарубежной ЭКБ и запрет на использование ее в специальной технике и системах;
- развитие новой инфраструктуры электронной промышленности, в том числе интеграция с отечественными организациями, работающими самостоятельно на рынках.
Ликвидация технологического отставания электронной промышленности от прогнозируемого мирового уровня должна происходить по двум направлениям:
- дизайна с использованием контрактного производства,
- технологии собственного производства продукции.
На период 2012-2015 годов перед электронной промышленностью ставятся задачи полного сокращения отставания в области дизайна с использованием контрактного производства и отставания в области технологии собственного производства.
Решение этой задачи в области дизайна должно идти по пути создания совместных дизайн-центров с ведущими зарубежными фирмами с участием поставщиков систем автоматизированного проектирования.
В области технологии отставание может быть сокращено только путем организации соответствующих альянсов отечественных организаций с зарубежными технологическими партнерами.
Накопленный опыт взаимодействия с зарубежными партнерами в этой области показывает, что решающее значение при этом имеет возможность завоевания значительной доли внутреннего рынка в массовых секторах коммерческих изделий. Поэтому успех решения этой задачи будет полностью зависеть от решения проблем, связанных с расширением позиций на внутреннем рынке в период 2007-2011 годов.