Действующий

Об утверждении Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года

Государственная программа вооружений


Тактико-технические характеристики ВВСТ в значительной степени определяются в настоящее время их радиоэлектронной составляющей.

Объем потребления микроэлектронных компонентов для нужд создания и модернизации ВВСТ составляет не более 20% (по сравнению с рынком коммерческих изделий микроэлектроники), однако следует ожидать его увеличения с все большим проникновением микроэлектроники на уровень индивидуального обеспечения военнослужащего (связь, управление, навигационное обеспечение, электронные метки, боеприпасы и т.д.).

Ежегодный тираж таких устройств может составлять несколько сот тысяч единиц, сложность ЭКБ будет приближаться к СБИС типа "система на кристалле".

Следует ожидать расширения применения в первую очередь для высокоточных систем ВВСТ микросистем на кристаллах, интегрирующих микроэлектронику и микромеханику (MEMS).

Кроме того, ожидается значительное расширение применения полностью автоматизированных средств вооружения в микроминиатюрном исполнении, базирующихся на применении микромеханических систем, количество которых может исчисляться миллионами единиц.

Таким образом, перспективные потребности систем ВВСТ также приводят к необходимости организации массового производства специализированной ЭКБ на территории РФ в объемах до 900 млн. долларов.

Для удовлетворения текущих потребностей производителей радиоэлектронных средств ВВСТ следует развивать и совершенствовать структуру сертификации импортной ЭКБ, пригодной для использования в системах ВВСТ.

Другие сегменты рынка потребителей изделий микроэлектроники, такие как промышленная электроника, энергетическое оборудование, связь, автомобильная электроника, системы безопасности, бытовая техника, торговое оборудование и т.д., могут также существенно увеличить загрузку развиваемого микроэлектронного производства.

Таким образом, в России существует реальная, подкрепленная гарантированным рынком государственных закупок возможность и необходимость расширения современного отечественного микроэлектронного производства ЭКБ с общим объемом сбыта на уровне 3,5-4,5 млрд. долларов в год.

Дополнительные возможности увеличения объемов продаж продукции отрасли могут быть обеспечены завоеванием ниш внешнего рынка.

Поскольку проектная мощность дизайн-сети планируется на уровне нескольких сотен проектов в год, а стоимость одного проекта с современным технологическим уровнем находится в диапазоне 10-15 млн. долларов, дополнительно только на уровне экспорта дизайна можно получить от одного до полутора млрд. долларов в год.

Одновременно должна быть поставлена задача тиражирования и продажи продукции, разработанной дизайн-сетью и произведенной с помощью зарубежных производств в объеме не менее 1,5-3% соответствующих секторов мирового рынка, то есть 3-6 млрд. долларов в год.

Мировой опыт показывает, что прогресс электронной отрасли инициируется в развитых странах через организацию и выполнение целевых научно-технических программ, финансируемых на основе совместного участия в их выполнении как государства, так и частного капитала.

Ежегодно на программы развития электроники в мире развитыми странами выделяется более 20 млрд. долларов. При этом следует учесть, что сами фирмы-производители не менее 10% средств от объемов реализованной продукции направляют на выполнение перспективных программ исследований по разработке конкурентоспособных изделий. Инвестиции в ведущие зарубежные фирмы, осуществляющие разработку и производство ЭКБ, приведены в таблице 2.     

Таблица 2

     

Оценка инвестиций в 2006 году, млрд. долларов


Название фирмы

Инвестиции

Ведущие зарубежные фирмы

Инвестиции

Intel

5,5

Micron

1,45

Samsung

5,5

Infineon

1,4

Hynix

3,2

AMD

1,4

TSMC

2,7

STMicroelectronics

1,25

Toshiba

2,2

SMIC

1,2

Sony

1,7

Texas Instruments

1,1

Epida

1,5

Matsushita

1,0

UMC

1,5

IM flash

1,0


Для освоения все более дорогостоящих технологий даже крупные фирмы-производители не в состоянии использовать только собственные средства, поэтому они вынуждены создавать технологические альянсы и консолидировать свои средства с государством. В США с этой целью был создан Консорциум правительства и частных компаний SEMATECH, который успешно обеспечил ликвидацию отставания США от Японии в технологии микроэлектроники. В Японии, в свою очередь, при участии государства создана организация SELIT с целью возврата утраченного приоритета в области микроэлектроники.

Страны Европейского союза выполняют комплексные программы освоения новых технологических уровней микро- и нанотехнологии в рамках организационных структур программы "EP7", финансируемые из бюджета ЕC, реализуют комплексную программу MEDIA+, ориентированную на задачу - "Европа становится лидером по системным инновациям в полупроводниковых технологиях, ориентированных на электронную экономику".

Китай уже выполнил государственную программу развития микроэлектроники - "Программа 909" стоимостью более 10 млрд. долларов - и в настоящее время встал в ряд крупнейших производителей ЭКБ. Вновь построенные китайские микроэлектронные производства характеризуются уровнем технологии 0,18-0,13 мкм, что позволяет решать задачи массового выпуска электронной компонентной базы для развивающегося приборостроения самого современного мирового уровня.

В период осуществления текущей пятилетки в КНР, по данным министерства информационных технологий, предполагается осуществить инвестиции в микроэлектронику на сумму 37-45 млрд. долларов для создания:

- пяти крупных фирм проектирования СБИС (стоимость от 375 млн. долларов до 624,2 млн. долларов);

- десяти электронных компаний, занятых разработкой технологий, материалов и спецтехнологического оборудования (стоимость от 125 млн. долларов до 375 млн. долларов);

- пятнадцати кремниевых заводов по обработке пластин 200 мм (10 заводов) и 300 мм (5 заводов).

В КНР планируется за 11-ю пятилетку достичь полного самообеспечения всем комплексом средств для обработки 150 мм пластин (чистые среды, материалы, оборудование), освоить и коммерциализировать оборудование литографии (главный определяющий фактор освоения технологии) для пластин 200 мм и оборудование лазерной обработки для технологий уровня 65 нм. Решение этих задач позволяет КНР избавиться от технологической зависимости и наращивать объемы производства ЭКБ в соответствии с потребностями растущего внутреннего производства аппаратуры и систем.