О федеральной целевой программе "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы (с изменениями на 6 октября 2011 года) (фактически утратило силу в связи с истечением срока действия)

(млн.рублей, в ценах соответствующих лет)

Мероприятия

2007-2011 годы -

В том числе

Ожидаемые результаты

всего

2007 год

2008 год

2009 год

2010 год

2011 год

I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

Направление 1 "Сверхвысокочастотная электроника"

1.

Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастот-
ных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы АВ

312
208*

105
70

147
98

60
40

-

-

создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастот-
ных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы АВ для бортовой и наземной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах
единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

________________

     * В числителе - указывается общая стоимость работ, в знаменателе - объем финансирования из федерального бюджета.

2.

Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастот-
ных микросхем и объемных
приемо-передающих сверхвысокочастот-
ных субмодулей X-диапазона

265
175

-

-

60
40

120
79

85
56

создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастот-
ных микросхем и объемных
приемо-передающих сверхвысокочастот-
ных субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы АВ для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии     

3.

Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастот-
ных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетероэпитаксиаль-
ных структур

467
312

153
102

214
143

100
67

-

-

создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастот-
ного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиаль-
ных структур для техники связи, радиолокации

4.

Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастот-
ного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиаль-
ных структур

770
512

-

-

136
90

337
225

297
197

создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиаль-
ных структур мощных сверхвысокочастот-
ных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для связной техники, радиолокации, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и  производственной документации,
ввод в эксплуатацию производственной линии

5.

Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастот-
ных компонентов и сложнофункциональ-
ных блоков для сверхвысокочастот-
ных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"

357
231

120
80

166
111

71
40

-

-

создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастот-
ных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,
ввод в эксплуатацию производственной линии

6.

Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастот-
ных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"

532
352

-

-

100
64

246
164

186
124

создание базовой технологии производства сверхвысокочастот-
ных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

7.

Разработка аттестованных библиотек сложно-
функциональных блоков для проектирования сверхвысокочастот-
ных и радиочастотных интегральных схем на основе гетеростуктур "кремний - германий"

171
121

60
40

76
51

35
30

-

-

разработка
аттестованных библиотек сложнофункциональ-
ных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастот-
ных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,
ввод в эксплуатацию производственной линии

8.

Разработка базовых технологий проектирования кремний - германиевых сверхвысокочастот-
ных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональ-
ных блоков

207
142

-

-

40
30

100
67

67
45

создание базовых технологий проектирования на основе библиотеки сложнофункциональ-
ных блоков широкого спектра сверхвысокочастот-
ных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов  документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,
ввод в эксплуатацию производственной линии

9.

Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастот-
ных приборов и узлов аппаратуры

163,5
110

43,5
30

60
40

60
40

-

-

создание базовых технологий производства и конструкций элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастот-
ных приборов и узлов аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

10.

Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастот-
ных приборов и узлов аппаратуры

153
102

-

-

-

89
60

64
42

создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастот-
ных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии

11.

Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастот-
ных транзисторов X, C, S, L и P - диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью

162,5
110

38,5
25

74
52

50
33

-

-

создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастот-
ных приборов для "бессвинцовой" сборки, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

12.

Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастот-
ных приборов Х и С - диапазонов на основе новых материалов

150
97

-

-

45
30

60
40

45
27

создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х и С - диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов

13.

Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастот-
ных приборов Х и С - диапазонов на основе новых материалов

93
62

-

-

-

60
32

33
30

создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры Х и С - диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

14.

Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастот-
ных транзисторов S и L диапазонов

141,5
92

45,5
30

53
35

43
27

-

-

создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастот-
ных транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,
ввод в эксплуатацию производственной линии

15.

Разработка конструктивно- параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастот-
ных транзисторов S и L диапазонов

170
116

-

-

-

95
70

75
46

создание конструктивно- параметрического ряда сверхвысокочастот-
ных транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации и контрольной аппаратуры,
разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

16.

Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастот-
ных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастот-
ных монолитных интегральных схем X, C, S, L и P - диапазонов для их массового производства

147
97

60
40

45
27

42
30

-

-

разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастот-
ных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании

17.

Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастот-
ных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастот-
ных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками,
магнитоэлектрических
приборов сверхвысокочастот-
ного диапазона, в том числе: циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного применения

161
107

57
38

54
36

50
33

-

-

создание технологии унифицированных сверхширокополос-
ных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастот-
ных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

18.

Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастот-
ных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастот-
ных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастот-
ного диапазона, в том числе: циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного применения

141
95

-

-

-

89
60

52
35

разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополос-
ных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастот-
ных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

19.

Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастот-
ных резисторно- индуктивно- емкостных матриц много- функциональ-
ного назначения для печатного монтажа и сверхбыстродейст-
вующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми дефектами

130
87

45
30

45
30

40
27

-

-

создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастот-
ных резисторно-индуктивно- емкостных матриц многофункциональ-
ного назначения для печатного монтажа, создание базовой технологии получения сверхбыстродейст-
вующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми дефектами, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,
ввод в эксплуатацию производственной линии

20.

Разработка базовых конструкций и технологии производства
нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастот-
ных резисторно- индуктивно-емкостных матриц многофункциональ-
ного назначения для печатного монтажа

85
57

-

-

-

45
30

40
27

создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастот-
ных резисторно- индуктивно-емкостных матриц  много- функциональ-
ного назначения для печатного монтажа,
разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,
ввод в эксплуатацию производственной линии

21.

Разработка базовой технологии сверхвысокочастот-
ных p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразова-
ния

246
164

90
60

86
57

70
47

-

-

создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,
ввод в эксплуатацию производственной
линии

Всего по направлению 1

5024,5
3349

817,5
545

1020
680

1002
668

1241
827

944
629

Направление 2 "Радиационно стойкая электронная компонентная база"

22.

Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм

202
134,8

51
34

71
47,4

80
53,4

-

-

создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм,
разработка правил проектирования
базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)

23.

Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм

315,4
210,3

-

-

-

59,4
39,6

256
170,7

создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов
0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм, разработка правил проектирования
базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высоко интегрированной радиационно стойкой элементной базы

24.

Разработка технологии проектирования и конструктивно- технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональ-
ных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм

237,5
158,4

82,5
55

71
47,4

84
56

-

-

создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,25 мкм

25.

Разработка технологии проектирования и конструктивно- технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм

360,1
240

-

-

-

81,5
54,3

278,6
185,7

создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,18 мкм

26.

Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы

246
164

72
48

98
65,3

76
50,7

-

-

создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,35 мкм и базовой технологии создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы

27.

Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы

261
174,2

-

-

-

56
37,3

205
136,9

создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,18 мкм и создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы

28.

Разработка технологии "кремний на сапфире" изготовления ряда лицензионно-независимых радиационно стойких комплементарных металл-окисел полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса

218,8
145,9

78
52

83,2
55,4

57,6
38,5

-

-

разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения

29.

Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире

374
249,5

-

-

-

74,5
49,8

299,5
199,7

создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости

30.

Разработка базовой технологии и приборно-технологического базиса производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", радиационно стойкой силовой электроники для аппаратуры питания и управления

213,1
135,4

60,5
37

80,6
50,4

72
48

-

-

разработка
конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А

31.

Разработка элементной базы радиационно стойких интегральных схем на основе полевых эмиссионных микронанотриодов

109,2
79,5

28
22

33,2
25,5

48
32

-

-

создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования

32.

Создание информационной базы радиационно стойкой электронной компонентной базы, содержащей модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы

251
167,3

-

-

-

61,1
40,7

189,9
126,6

разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы в обеспечение установления технически обоснованных норм испытаний

Всего по направлению 2

2788,1
1859,3

372
248

437
291,4

417,6
278,6

332,5
221,7

1229
819,6

Направление 3 "Микросистемная техника"

33.

Разработка базовых технологий микроэлектромехани-
ческих систем

302
166

93
61

112
75

97
30

-

-

создание базовых технологий и комплектов технологической документации на изготовление микроэлектромехани-
ческих систем контроля давления, микро-
акселерометров с чувствительностью по двум и трем осям,
 микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов

34.

Разработка базовых конструкций микроэлектромехани-
ческих систем

424
277

-

-

75
60

228
141

121
76

разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов:

микросистем контроля давления;

микроакселерометров;

микромеханических датчиков угловых скоростей;

микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике

35.

Разработка базовых технологий микроакустоэлектро-
механических систем

249
161

94
61

110
70

45
30

-

-

создание базовых технологий и комплектов необходимой технологической документации на изготовление микроакустоэлектро-
механических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники

36.

Разработка базовых конструкций микроакустоэлектро-
механических систем

418
280

-

-

71
60

225
143

122
77

разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин:

микроакселерометров;

микрогироскопов на поверхностных акустических волнах;

датчиков давления и температуры;

датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений;

резонаторов

37.

Разработка базовых технологий
микроаналитических систем

106
72

51
34

55
38

-

-

-

создание базовых технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов

38.

Разработка базовых конструкций микроаналитических систем

224
164

-

-

64
30

102
86

58
48

создание базовых конструкций микроаналитических систем, предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники;
разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах

39.

Разработка базовых технологий микрооптоэлектроме-
ханических систем

151
109

57
38

59
41

35
30

-

-

создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектроме-
ханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей

40.

Разработка базовых конструкций микрооптоэлектроме-
ханических систем

208
145

-

-

35
30

112
75

61
40

разработка базовых конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектроме-
ханических систем коммутации и модуляции оптического излучения

41.

Разработка базовых технологий микросистем анализа магнитных полей

106
72

51
34

55
38

-

-

-

создание базовых технологий изготовления микросистем анализа магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного
эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур

42.

Разработка базовых конструкций микросистем анализа магнитных полей

214
137

-

-

54
30

104
69

56
38

разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на магниточувствитель-
ные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях

43.

Разработка базовых технологий радиочастотных микроэлектро-
механических систем

119
89

42
28

45
31

32
30

-

-

разработка и освоение в производстве базовых технологий изготовления радиочастотных микроэлектромехани-
ческих систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели

44.

Разработка базовых конструкций радиочастотных микроэлектромехани-
ческих систем

166
119

-

-

32
30

87
58

47
31

разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление радиочастотных микроэлектромехани-
ческих систем-компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий

45.

Разработка методов и средств обеспечения создания и производства изделий микросистемной техники

81
54

41
30

40
24

-

-

-

создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехни-
ки, разработка комплектов
стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии

Всего по направлению 3

2768
1845

429
286

476
317

540
360

858
572

465
310

Направление 4 "Микроэлектроника"

46.

Разработка технологии и развитие методологии проектирования изделий микроэлектроники:
разработка и освоение современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и "системы на кристалле"
на основе каталогизированных сложнофункциональных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования;

освоение и развитие технологии  проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм

443
212,6

173
87

148,9
76,6

121,1
49

-

-

разработка комплекта нормативно-технической документации по проектированию изделий микроэлектроники, создание отраслевой базы данных с каталогами библиотечных элементов и сложнофункциональ-
ных блоков с каталогизированными результатами аттестации на физическом уровне (2008 год),
разработка комплекта нормативно-технической и технологической документации по взаимодействию центров проектирования в сетевом режиме

47.

Разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,13 мкм с целью обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного)

64
42,7

30
20

22
14,7

12
8

-

-

разработка комплекта технологической документации и организационно- распорядительной документации по взаимодействию центров проектирования и центра изготовления фотошаблонов

48.

Разработка семейств и серий изделий микроэлектроники:

универсальных микропроцессоров для встроенных применений; универсальных микропроцессоров для серверов и рабочих станций;

цифровых процессоров обработки сигналов;

сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем;

сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти;

микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью;

схем интерфейса дискретного ввода/вывода;

схем аналогового интерфейса;

цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит;

схем приемопередатчиков шинных интерфейсов;

изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения;

встроенных интегральных источников питания

1050,9
617,8

284
151

336,7
180

430,2
286,8

-

-

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,
изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства

49.

Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники:

цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 14-16 бит 802.11, 802.16, WiMAX и т.д.;

микроэлектронных сенсоров различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров;

сенсоров на основе магнитоэлектрических и пьезоматериалов;

встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц;

систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов

1801,6
1200,9

-

-

-

799,8
533,1

1001,8
667,8

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и
организация
серийного производства

50.

Разработка технологии и освоение производства изделий микроэлектроники с технологическим уровнем 0,13 мкм

513,4
342,3

51
34

252,4
168,3

210
140

-

-

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и ввод в эксплуатацию производственной линии

51.

Разработка базовой технологии формирования многослойной разводки (7-8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu

894,8
596,2

-

-

-

146,3
97,3

748,5
498,9

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,
ввод в эксплуатацию производственной линии

52.

Разработка технологии и организация производства многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей

494,2
294,2

-

-

211,1
105,6

166,4
110,9

116,7
77,7

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,
ввод в эксплуатацию производственной линии

53.

Разработка новых методов технологических испытаний изделий микроэлектроники, гарантирующих их повышенную надежность в процессе долговременной (более 100000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов

258
258

85
85

68
68

105
105

-

-

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию специализированных участков

54.

Разработка современных методов анализа отказов изделий микроэлектроники с применением ультраразрешающих методов (ультразвуковая гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и др.)

342
342

115
115

132
132

95
95

-

-

разработка комплектов документации, включая утвержденные отраслевые методики, ввод в эксплуатацию модернизированных участков и лабораторий анализа отказов

Всего по направлению 4

5861,9
3906,7

738
492

960
639,6

1184,4
789,4

1112,5
741,3

1867
1244,4

Направление 5 "Электронные материалы и структуры"

55.

Разработка технологии производства новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллическо-
го алмаза

132
85

54
36

51
32

27
17

-

-

внедрение новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза с повышенной теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов

56.

Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений АВ для мощных
полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем

131
87

-

-

-

77
51

54
36

создание технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений АВ для обеспечения разработок и изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных транзисторов

57.

Разработка базовой технологии производства метаморфных структур на основе GaAs и псевдоморфных структур на подложках InP для приборов сверхвысокочастотной электроники диапазона 60-90 ГГц

129
84

52
34

50
32

27
18

-

-

создание базовой технологии производства гетероструктур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60-90 ГГц

58.

Разработка технологии производства спинэлектронных магнитных материалов, радиопоглощающих и мелкодисперсных ферритовых материалов для сверхвысокочастотных приборов

133
88

-

-

-

79
52

54
36

создание спинэлектронных магнитных материалов и микроволновых структур со спиновым управлением для создания перспективных микроволновых сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления

59.

Разработка технологии производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) в обеспечение производства
полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе

128
85

51
36

50
31

27
18

-

-

создание технологии массового производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для выпуска полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе

60.

Разработка технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для теплопроводных конструкций мощных выходных транзисторов и сверхвысокочастот-
ных приборов

134
88

-

-

-

79
52

55
36

создание технологии производства поликристаллических алмазов и его пленок для мощных сверхвысокочастотных приборов

61.

Исследование путей и разработка технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур, а также полупроводниковых нитей с наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника

98
65

41
27

36
24

21
14

-

-

создание технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектри-
ческих микро- и наноструктур для новых классов
микроструктурных приборов, магниторезисторов, осцилляторов, устройств оптоэлектроники

62.

Разработка технологии выращивания слоев пьезокерамики на кремниевых подложках для формирования комплексированных устройств микросистемной техники

106
69

-

-

25
17

44
28

37
24

создание базовой пленочной технологии пьезокерамических элементов, совместимой с комплементарной металло-оксидной полупроводниковой технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами

63.

Разработка методологии и базовых технологий создания многослойных кремниевых структур с использованием "жертвенных" и "стопорных" диффузионных и диэлектрических слоев для производства силовых приборов и элементов микроэлектромехани-
ческих систем

98
64

41
26

36
24

21
14

-

-

создание технологии травления и изготовления кремниевых трехмерных базовых элементов микроэлектромехани-
ческих систем с использованием "жертвенных" и "стопорных" слоев для серийного производства элементов
микроэлектромехани-
ческих систем кремниевых структур с использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния

64.

Разработка базовых технологий получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий с широким диапазоном функциональных свойств

105
70

-

-

-

61
41

44
29

создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий, алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения

65.

Исследование и разработка технологии роста эпитаксиальных слоев карбида кремния, структур на основе нитридов, а также формирования изолирующих и коммутирующих слоев в приборах экстремальной электроники

191
128

50
35

57
38

84
55

-

-

создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов для создания радиационно стойких сверхвысокочастотных и силовых приборов нового поколения

66.

Разработка технологии производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой подложке для производства электронной компонентной базы специального и двойного применения

227
130

67
40

52
35

108
55

-

-

создание технологии производства структур "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и топологическими нормами до 0,18 мкм для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения

67.

Разработка технологии производства высокоомного радиационно облученного кремния, слитков и пластин кремния диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов

191
126

45
30

54
36

92
60

-

-

создание технологии производства радиационно облученного кремния и пластин кремния до 150 мм для выпуска мощных транзисторов и сильноточных
тиристоров нового поколения

68.

Разработка технологии производства кремниевых подложек и структур для силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями р- и n-типов проводимости и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией

114
83

22
20

36
24

56
39

-

-

разработка и промышленное освоение получения высококачественных подложек и структур для использования в производстве силовых полупроводниковых приборов, с глубокими высоколегированными слоями и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией

69.

Разработка технологии производства электронного кремния, кремниевых пластин диаметром до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25-0,18 мкм

326
233

110
71

72
48

144
114

-

-

создание технологии производства пластин кремния диаметром до 200 мм и эпитаксиальных структур уровня 0,25-0,18 мкм

70.

Разработка методологии, конструктивно-технических решений и перспективной базовой технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами

232
161

-

-

-

109
78

123
83

разработка технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами, обеспечивающей сокращение состава сборочных операций и формирование трехмерных структур

71.

Разработка технологии производства гетероструктур SiGe биполярной комплементарной металл-окисел полупроводниковой технологии для разработки приборов с топологическими нормами 0,25-0,18 мкм

220
143

-

-

-

85
53

135
90

создание базовой технологии производства гетероструктур SiGe для выпуска быстродействующих сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25-0,18 мкм

72.

Разработка технологии выращивания и обработки, в том числе плазмохимической, новых пьезоэлектрических материалов для акустоэлектроники и акустооптики

78
55

32
21

28
22

18
12

-

-

создание технологии выращивания и обработки пьезоэлектрических материалов акустоэлектроники и акустооптики для обеспечения производства широкой номенклатуры акустоэлектронных устройств нового поколения

73.

Разработка технологий производства
соединений АВ и тройных структур для:
производства сверхмощных лазерных диодов;

высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов;

фотоприемников среднего инфракрасного диапазона

87
58

-

-

-

32
22

55
36

создание технологии массового производства исходных материалов и структур для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники, в том числе:

производства сверхмощных лазерных диодов;

высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов;

фотоприемников среднего инфракрасного диапазона

74.

Исследование и разработка технологии получения гетероструктур с вертикальными оптическими резонаторами на основе квантовых ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения

80
55

32
22

30
22

18
11

-

-

создание технологии производства принципиально новых материалов полупроводниковой электроники на основе сложных композиций для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники

75.

Разработка технологии производства современных компонентов для специализированных фотоэлектронных приборов, в том числе:

катодов и газо-поглотителей;

электронно-оптических и
отклоняющих систем;

стеклооболочек и деталей из электро-вакуумного стекла различных марок

86
57

-

-

-

32
22

54
35

создание технологии производства компонентов для специализированных электронно-лучевых;
электроннооптических и отклоняющих систем;
стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок

76.

Разработка технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для высокоэффективных фотокатодов, электронно- оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов и др., фотоэлектронных приборов с высокими значениями коэффициента полезного действия

80
54

33
22

30
20

17
12

-

-

создание технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов электронно- оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов и других приложений

77.

Разработка базовой технологии производства монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для гетероструктур

85
58

-

-

-

32
22

53
36

создание технологии монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для создания полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового
поколения

78.

Разработка базовой технологии производства наноструктурирован-
ных оксидов металлов (корунда и т.п.) для производства вакуумно-плотной нанокерамики, в том числе с заданными оптическими свойствами

80
54

33
22

30
20

17
12

-

-

создание базовой технологии вакуумно-плотной спецстойкой керамики из нанокристаллических порошков и нитридов металлов для промышленного освоения спецстойких приборов нового поколения, в том числе микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники

79.

Разработка базовой технологии производства полимерных и гибридных органо-неорганических наноструктурированных защитных материалов для электронных компонентов нового поколения прецизионных и сверхвысокочастотных резисторов, терминаторов, аттенюаторов и резисторно-индукционно- емкостных матриц, стойких к воздействию комплекса внешних и специальных факторов

86
58

-

-

-

33
21

53
37

создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурирован-
ными наполнителями для создания изделий с высокой механической, термической и радиационной стойкостью при работе в условиях длительной эксплуатации и воздействии комплекса специальных
внешних факторов

Всего по направлению 5

3357
2238

663
442

612
408

702
468

663
442

717
478

Направление 6 "Группы пассивной электронной компонентной базы"

80.

Разработка технологии выпуска прецизионных температуростабильных высокочастотных до 1,5-2 ГГц резонаторов на поверхностно акустических волнах до 1,5 ГГц с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс

57
38

24
16

18
12

15
10

-

-

разработка расширенного ряда резонаторов с повышенной кратковременной и долговременной стабильностью для создания контрольной и связной аппаратуры двойного назначения

81.

Разработка в лицензируемых и нелицензируемых международных частотных диапазонах 860 МГц и 2,45 ГТц ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, в том числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом

120
80

-

-

21
14

48
32

51
34

создание технологии и конструкции акустоэлектронных пассивных и активных меток-транспондеров для применения в логистических приложениях на транспорте, в торговле и промышленности

82.

Разработка базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа

56
37

24
16

17
11

15
10

-

-

создание технологии проектирования и базовых конструкций пьезоэлектрических фильтров в малогабаритных корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении связной аппаратуры массового применения

83.

Разработка технологии проектирования, базовой технологии производства и конструирования акустоэлектронных устройств нового поколения и фильтров промежуточной частоты с высокими характеристиками для современных систем связи, включая высокоизбирательные высоко-частотные устройства частотной селекции на поверхностных и приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц

125
83

86
57

39
26

-

-

-

создание базовой технологии акустоэлектронных приборов для перспективных систем связи, измерительной и навигационной аппаратуры нового поколения - подвижных, спутниковых, тропосферных и радиорелейных линий связи, цифрового интерактивного телевидения, радиоизмерительной аппаратуры, радиолокационных станций, спутниковых навигационных систем

84.

Разработка технологии проектирования и базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации,
селекции частоты и обработки сигналов типа "система в корпусе"

96
64

-

-

33
22

63
42

-

создание технологии производства высокоинтегрированной электронной компонентной базы типа "система в корпусе" для вновь разрабатываемых и модернизируемых сложных радиоэлектронных систем и комплексов

85.

Разработка базовой конструкции и технологии изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникацион-
ных и навигационных систем

69
46

-

-

-

48
32

21
14

создание базовой технологии (2010 год) и базовой конструкции микроминиатюрных высокодобротных фильтров для малогабаритной и носимой аппаратуры навигации и связи

86.

Разработка технологии и базовой конструкции фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений

80
53

50
33

30
20

-

-

-

создание нового поколения оптоэлектронных приборов для обеспечения задач предотвращения аварий и контроля

87.

Разработка базовой технологии унифицированных электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона

50
33

13
9

16
10

21
14

-

-

создание базовой технологии нового поколения приборов контроля тепловых полей для задач теплоэнергетики, медицины, поисковой и контрольной аппаратуры на транспорте, продуктопроводах и в охранных системах

88.

Разработка базовой технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов и усилителей для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения, научной и метрологической аппаратуры

129
85

45
30

45
30

39
25

-

-

создание базовой технологии (2008 год) и конструкции новых типов приборов, сочетающих фотоэлектронные и твердотельные технологии, с целью получения экстремально достижимых характеристик для задач контроля и наблюдения в системах двойного назначения

89.

Разработка базовых технологий мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения) специализированных лазерных полупроводниковых диодов, фотодиодов и лазерных волоконно-оптических модулей для создания аппаратуры и систем нового поколения

159
106

63
42

45
30

51
34

-

-

создание базовой технологии (2008 год) и конструкций принципиально новых мощных диодных лазеров, предназначенных для широкого применения в изделиях двойного назначения, медицины, полиграфического оборудования и системах открытой оптической связи

90.

Разработка и освоение базовых технологий для лазерных навигационных приборов, включая интегральный оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта

98
65

-

-

15
10

60
40

23
15

разработка базового комплекта основных оптоэлектронных компонентов для лазерных гироскопов широкого применения (2010 год),
создание комплекса технологий обработки и формирования структурных и приборных элементов, оборудования контроля и аттестации, обеспечивающих новый уровень технико-экономических показателей производства

91.

Разработка базовых конструкций и технологий создания квантово-электронных приемо-передающих модулей для малогабаритных лазерных дальномеров нового поколения на основе твердотельных чип-лазеров с полупроводниковой накачкой, технологических лазерных установок широкого спектрального диапазона

74
50

27
18

22
15

25
17

-

-

создание базовой технологии твердотельных чип-лазеров
для лазерных дальномеров, твердотельных лазеров с пикосекундными длительностями импульсов для установок по прецизионной обработке композитных материалов, для создания элементов и изделий микромашиностроения и в производстве электронной компонентной базы нового поколения, мощных лазеров для применения в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах

92.

Разработка базовых технологий формирования конструктивных узлов и блоков для лазеров нового поколения и технологии создания полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве

127
85

60
40

55
37

12
8

-

-

создание технологии получения широкоапертурных элементов на основе алюмоиттриевой легированной керамики композитных составов для лазеров с диодной накачкой (2008 год), высокоэффективных преобразователей частоты лазерного излучения, организация промышленного выпуска оптических изделий и лазерных элементов широкой номенклатуры

93.

Разработка базовых технологий, базовой конструкции и организация производства интегрированных катодолюминесцентных и других дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением

82
55

30
20

25
17

27
18

-

-

разработка расширенной серии низковольтных катодолюминесцентных и других дисплеев с широким диапазоном эргономических характеристик и свойств по условиям применения для информационных и контрольных систем

94.

Разработка технологии и базовых конструкций высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения

72
48

27
18

24
16

21
14

-

-

создание ряда принципиально новых светоизлучающих приборов с минимальными геометрическими размерами, высокой надежностью и устойчивостью к механическим и климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения

95.

Разработка базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа

90
60

-

-

15
10

57
38

18
12

создание базовой технологии производства нового поколения оптоэлектронной высокоэффективной и надежной электронной компонентной базы для промышленного оборудования и систем связи

96.

Разработка схемотехнических решений и унифицированных базовых конструкций и технологий формирования твердотельных видеомодулей на полупроводниковых светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и

81
54

30
20

24
16

27
18

-

-

создание технологии новых классов носимой и стационарной аппаратуры, экранов отображения информации коллективного пользования повышенных емкости и формата

коллективного пользования с бесшовной стыковкой

97.

Разработка базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по "бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения

93
62

33
22

30
20

30
20

-

-

создание технологии массового производства солнечных элементов для индивидуального и коллективного использования в труднодоступных районах, развития солнечной энергетики в жилищно-коммунальном хозяйстве в обеспечение задач энергосбережения

98.

Разработка базовой технологии и освоение производства оптоэлектронных реле с повышенными техническими характеристиками для поверхностного монтажа

59
39

21
14

18
12

20
13

-

-

создание технологии массового производства нового класса оптоэлектронных приборов для широкого применения в радиоэлектронной аппаратуре

99.

Комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку"

162
108

-

-

33
22

99
66

30
20

создание базовой технологии массового производства экранов с предельно низкой удельной стоимостью для информационных и обучающих систем

100.

Разработка базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических и кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и создание на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения

183
122

-

45
30

33
22

105
70

-

создание технологии и конструкции активно-матричных органических электролюминесцентных, жидкокристаллических и катодолюминесцентных дисплеев, стойких к внешним специальным и климатическим воздействиям

101.

Разработка базовой конструкции и технологии крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей

162
108

-

-

33
22

99
66

30
20

создание технологии и базовых конструкций полноцветных газоразрядных видеомодулей специального и двойного назначения для наборных экранов коллективного пользования

102.

Разработка технологии сверхпрецизионных резисторов и гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на их основе в металлокерамических корпусах для аппаратуры двойного назначения

72
48

-

24
16

18
12

30
20

-

разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов, гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей с параметрами, превышающими уровень существующих отечественных и зарубежных изделий для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники

103.

Разработка базовой технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона сопротивления, прецизионных датчиков тока для измерительной и контрольной аппаратуры и освоение их производства

105
70

-

-

-

45
30

60
40

разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов с повышенной удельной мощностью рассеяния, высоковольтных высокоомных резисторов для измерительной техники, приборов ночного видения и аппаратуры контроля

104.

Разработка технологии и базовых конструкций резисторов и резистивных структур нового поколения для поверхностного монтажа, в том числе: резисторов с повышенными характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых
резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции

192
128

-

-

24
16

78
52

90
60

создание базовой технологии и конструкции резисторов с повышенными значениями стабильности, удельной мощности в чип-исполнении на основе многослойных монолитных структур

105.

Разработка технологий формирования интегрированных резистивных структур с повышенными технико- эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки

90
60

42
28

36
24

12
8

-

-

создание базовой технологии производства датчиков на резистивной основе с высокими техническими характеристиками и надежностью

106.

Создание групповой технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов

105
70

45
30

30
20

30
20

-

-

создание технологии автоматизированного производства чип- и микрочип-резисторов (в габаритах 0402, 0201 и менее) для применения в массовой аппаратуре

107.

Разработка новых базовых технологий и конструктивных решений изготовления танталовых оксидно- полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов и чип- конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками

129
86

-

24
16

30
20

75
50

-

создание базовой технологии производства конденсаторов с качественно улучшенными характеристиками с электродами из неблагородных металлов при сохранении высокого уровня надежности

108.

Разработка комплексной базовой технологии и организация производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и ионисторов с повышенным током разряда

65
43

24
16

20
13

21
14

-

-

создание базовых технологий конденсаторов и ионисторов на основе полимерных материалов с повышенным удельным зарядом и энергоемких накопительных конденсаторов с повышенной удельной энергией

109.

Разработка технологии, базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения с предельными характеристиками для радиотехнической аппаратуры с высокими сроками службы

115
77

-

-

25
17

60
40

30
20

создание технологии и базовых конструкций нового поколения выключателей для радиоэлектронной аппаратуры с повышенными тактико-техническими характеристиками и надежностью

110.

Разработка технологий создания газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками

74
50

25
17

24
16

25
17

-

-

создание технологии изготовления коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей в широком диапазоне напряжений и токов для радиоэлектронных и электротехнических систем

111.

Разработка полного комплекта электронной компонентной базы для создания модульного устройства грозозащиты зданий и сооружений с обеспечением требований по международным стандартам

57
38

30
20

27
18

-

-

-

создание технологии выпуска устройств грозозащиты в индивидуальном, промышленном и гражданском строительстве, строительстве пожароопасных объектов

112.

Разработка базовых конструкций и технологий изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа

151
101

54
36

46
31

51
34

-

-

создание базовой технологии формирования высококачественных гальванических покрытий, технологии прецизионного формирования изделий для автоматизированных систем изготовления коммутационных устройств широкого назначения

Всего по направлению 6

3379
2252

753
502

684
456

722
481

867
578

353
235

Направление 7 "Обеспечивающие работы"

113.

Разработка организационных принципов и научно-технической базы обеспечения проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации

62
41

12
8

9
6

15
10

11
7

15
10

разработка комплекта методической и научно-технической документации в обеспечение функционирования систем проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации

114.

Создание и обеспечение функционирования системы испытаний электронной компонентной базы, обеспечивающей поставку изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального и двойного назначения

124
84

24
16

20
13

30
20

22
15

28
19

разработка новых и совершенствование существующих методов испытаний электронной компонентной базы, разработка методов отбраковочных испытаний перспективной электронной компонентной базы, обеспечение поставки изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального назначения (атомная энергетика, космические программы, транспорт, системы двойного назначения)

115.

Разработка и совершенствование методов, обеспечивающих качество и надежность сложнофункциональ-
ной электронной компонентной базы на этапах опытно-конструкторских работ, освоения и производства

71,5
48

13,5
9

10
7

18
12

13
9

17
11

разработка и систематизация методов расчетно- экспериментальной оценки показателей надежности
электронной компонентной базы, разрешенной для применения в аппаратуре, функционирующей в специальных условиях и с длительными сроками активного существования

116.

Создание и внедрение нового поколения основополагающих документов по обеспечению жизненного цикла изделия на этапах проектирования, производства, применения и утилизации электронной компонентной базы

63
42

12
8

10
7

15,5
10

10,5
7

15
10

разработка системы технологий обеспечения жизненного цикла изделия при создании широкой номенклатуры электронной компонентной базы

117.

Научное сопровождение подпрограммы, в том числе: определение технологического и технического уровней развития отечественной и импортной электронной компонентной базы на основе их рубежных технико-экономических показателей, разработка "маршрутных карт" развития групп электронной компонентной базы

125,5
84

25,5
17

19
13

30
20

23
15

28
19

оптимизация состава выполняемых комплексов научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по развитию электронной компонентной базы в рамках подпрограммы и определение перспективных направлений создания новых классов электронной компонентной базы с установлением системы технико-экономических и рубежных технологических показателей,
разработка "маршрутных карт" развития по направлениям электронной компонентной базы

118.

Создание интегрированной информационно- аналитической автоматизированной системы по развитию электронной компонентной базы, охватывающей деятельность заказчика-координатора, заказчика и предприятий, участвующих в выполнении комплекса программных мероприятий, с целью оптимизации состава участников, финансовых средств, перечисляемой государству прибыли и достижения заданных технико-экономических показателей разрабатываемой электронной компонентной базы

71
48

15
10

11
7

17,5
12

12,5
9

15
10

проведение технико-экономической оптимизации выполнения комплексных годовых мероприятий подпрограммы, создание  системы действенного финансового и технического контроля выполнения подпрограммы в целом

119.

Определение перспектив развития российской электронной компонентной базы на основе анализа динамики сегментов мирового и отечественного рынков радиоэлектронной продукции и действующей производственно- технологической базы

64,5
42

13,5
9

11
7

16
10

12
8

12
8

формирование системно- ориентированных материалов по экономике, технологиям проектирования и производству электронной компонентной базы, обобщение и анализ мирового опыта для выработки технически и экономически обоснованных решений развития электронной компонентной базы

120.

Системный анализ результатов выполнения комплекса мероприятий подпрограммы на основе создания отраслевой системы планирования и учета развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы по основным технико-экономическим показателям

60
41

12
8

11
8

15
11

12
8

10
7

создание отраслевой системы учета и планирования развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы

Всего по направлению 7

641,5
430

127,5
85

101
68

157
105

116
78

140
94

ИТОГО по разделу I

23820
15880

3900
2600

4290
2860

4725
3150

5190
3460

5715
3810

II. Капитальные вложения

Федеральное агентство по промышленности

Техническое перевооружение производств сверхвысокочастотной техники

121.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Исток", г.Фрязино

2050
1025**

690
345

300
150

-

430
215

630
315

создание производственно- технологического комплекса по выпуску твердотельных сверхвысокочастот-
ных субмодулей мощностью 100 тыс.штук в год ***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

122.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Пульсар", г.Москва

1730
865**

620
310

220
110

-

370
185

520
260

создание производственной технологической линии по выпуску сверхвысокочастотных приборов и модулей на широкозонных полупроводниках***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

123.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Салют", г.Нижний Новгород

280
140**

-

-

-

100
50

180
90

расширение мощностей по производству активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью с 15 до 35 тыс.штук в год***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

124.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Алмаз", г.Саратов

280
140**

-

-

-

100
50

180
90

ввод новых мощностей по производству новейших образцов ламп бегущей волны и других сверхвысокочастотных приборов, в том числе в миллиметровом диапазоне ***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

125.

Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Торий", г.Москва

440
220**

-

-

-

160
80

280
140

реконструкция производственной линии по выпуску новых сверхмощных сверхвысокочастотных приборов с повышенным уровнем технических параметров, надежности и долговечности***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

Техническое перевооружение производств радиационно стойкой
электронной компонентной базы

126.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г.Новосибирск

120
60**

-

-

-

60
30

60
30

реконструкция производственной линии для выпуска новых изделий радиационно стойкой электронной компонентной базы, необходимой для предприятий Росатома и Роскосмоса***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

127.

Техническое перевооружение
федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток",
г.Новосибирск

180
90**

-

-

-

100
50

80
40

создание производственных мощностей по выпуску радиационно стойкой электронной компонентной базы в количестве 80-100 тыс.штук в год для комплектования важнейших специальных систем***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

128.

Техническое перевооружение
открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г.Москва

1520
760**

-

900
450

620
310

-

-

техническое перевооружение завода для выпуска сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,18 мкм (2008 год), 0,13 мкм (2009 год)***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

Техническое перевооружение производств изделий микросистемной и электронной техники

129.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт "Полюс" им.М.Ф.Стельмаха", г.Москва

240
120**

-

-

120
60

120
60

-

организация участка прецизионной оптической и механической обработки деталей для лазерных излучателей, твердотельных лазеров и бескарданных лазерных гироскопов нового поколения***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

130.

Техническое перевооружение
открытого акционерного общества "Светлана",
г.Санкт-Петербург

620
310**

-

-

580
290

40
20

-

создание новых производственных мощностей для выпуска микроэлектронных датчиков физических величин и электронных датчиков для экспресс-контроля параметров крови и жизнедеятельности человека***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

131.

Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Резистор - НН", г.Нижний Новгород

120
60**

-

-

120
60

-

-

 создание производственной линии для выпуска тонко- и толстопленочных микрочипов прецизионных и сверхвысокочастот-
ных резисторов, интегральных сборок***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

132.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов",
г.Пенза

120
60**

-

-

120
60

-

-

техническое перевооружение действующего производства электронной компонентной базы и микросистемотехники для создания новых рядов конкурентоспособных изделий электронной техники***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

133.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронной техники", г.Воронеж

120
60**

-

-

-

120
60

-

техническое перевооружение действующих производственных мощностей по выпуску сверхбольших интегральных схем и мощных сверхвысокочастот-
ных транзисторов с объемом выпуска сверхбольших интегральных схем 50 тыс.штук в год, мощных сверхвысокочастотных транзисторов 10 тыс.штук в год***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

134.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронных материалов", г.Владикавказ

100
50**

-

-

-

100
50

-

техническое перевооружение производства новых электронных материалов, используемых в микросистемотехнике, микроэлектронике и квантовой электронике***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

135.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Производственное объединение "Октябрь",
г.Каменск-Уральский

200
100**

-

-

-

60
30

140
70

создание новых производственных мощностей по выпуску оптоволоконных соединителей изделий микромеханики***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

136.

Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Авангард",
г.Санкт-Петербург

200
  100**

-

-

100
50

100
50

-

создание спецтехнологической линии, включающей чистые производственные помещения и технологическое оборудование для выпуска современных микроэлектромехани-
ческих и микроакустоэлектро-
механических систем мирового класса***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

137.

Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В.Лукина", г.Москва

160
   80**

-

120
60

40
20

-

-

организация серийного производства параметрических рядов мембранных датчиков
(10 млн.штук в год к 2008 году) и чувствительных элементов для сканирующей зондовой микроскопии
(0,3 млн.шт. в год)***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования,
не входящего в смету стройки)
для создания базовых центров системного проектирования

138.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры "Прогресс", г.Москва, для создания межотраслевого центра проектирования

160
   80**

-

-

-

60
30

100
50

создание межотраслевого базового центра системного проектирования площадью
800 кв.м***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

139.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Научно-производственное объединение "Алмаз" имени академика А.А.Расплетина", г.Москва, для создания базового центра проектирования

120
   60**

-

120
60

-

-

-

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

140.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Московский научно-исследовательский институт "Агат", г.Жуковский, для создания базового центра проектирования

120
   60**

-

-

-

120
60

-

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

141.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Всероссийский научно-исследовательский институт радиотехники", г.Москва, для создания базового центра проектирования

80
   40**

-

-

30
15

-

50
25

создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв.м***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

142.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) государственного унитарного предприятия "Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-
информационные системы", г.Москва, для создания базового центра проектирования

120
   60**

120
60

-

-

-

-

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

143.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г.Москва, для создания базового центра проектирования

460
  230**

-

-

60
30

140
70

260
130

создание базового центра системного проектирования площадью 1000 кв.м***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

144.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Научно-исследовательский центр электронной вычислительной техники", г.Москва, для создания базового центра проектирования

140
   70**

-

-

-

140
70

-

создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв.м***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

145.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток", г.Новосибирск, для создания базового центра проектирования

140
   70**

-

-

-

-

140
70

создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв.м***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

146.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Концерн "Созвездие",
г.Воронеж, для создания базового центра проектирования

200
  100**

-

-

-

80
40

120
60

создание базового центра системного проектирования площадью 700 кв.м***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

147.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега", г.Москва, для создания базового центра проектирования

200
  100**

-

-

-

80
40

120
60

создание базового центра системного проектирования площадью 700 кв.м***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

148.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи",
г.Ростов-на-Дону, для создания базового центра проектирования

120
   60**

-

-

-

120
60

-

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

149.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г.Омск,
для создания базового центра проектирования

120
   60**

90
45

-

-

-

30
15

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

150.

Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Российский институт радионавигации и времени",
г.Санкт-Петербург,
для создания базового центра проектирования

120
   60**

-

-

-

-

120
60

создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв.м***

________________

** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.