Об утверждении Концепции федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы

XI. Предложения по основным направлениям финансирования,
срокам и этапам реализации подпрограммы

Предусматривается проведение работ по следующим разделам мероприятий подпрограммы:

сверхвысокочастотная электроника;

радиационно стойкая электронная компонентная база;

микросистемная техника;

микроэлектроника;

электронные материалы и структуры;

группа пассивной электронной компонентной базы, включая оптоэлектронику и квантовую электронику;

обеспечивающие работы.

В разделе, касающемся сверхвысокочастотной техники (2006 год 352,2 млн. рублей, 2007 год - 545 млн. рублей), предусматриваются работы, выполнение которых обеспечит выпуск к 2012 году образцов фазированных антенных решеток для радиолокаторов наземного, корабельного, воздушного и космического базирования в интересах перспективных специальных средств и комплексов, а также создание производственных мощностей для серийного производства изделий специальной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы и приемо-передающих модулей.

Указанные работы необходимы для разработки сотовых (спутниковых, воздушных и наземных) интерактивных телекоммуникационных систем сантиметрового и миллиметрового диапазона в интересах органов государственного управления, блокирование или несанкционированный доступ к функционированию которых должны быть исключены. Поэтому такая аппаратура должна создаваться только на российской электронной компонентной базе.

Сверхвысокочастотная электронная компонентная база будет применяться в цифровом телевидении, домашних и учрежденческих беспроводных информационно-управляющих сетях, автомобильных радарах для автоматической парковки, предупреждения столкновений и автопилотирования.

В указанном разделе предусматривается разработка технологий производства мощных транзисторов и монолитных сверхвысокочастотных микросхем на основе гетероструктур материалов группы АB, объемных приемопередающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона, технологий производства мощных полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона длин волн на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур, интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий", а также технологий производства корпусов мощных транзисторов X-, C-, S-, L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью.

Будут также разработаны базовые технологии производства суперлинейных кремниевых транзисторов S- и L-диапазонов и технологии измерений параметров сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов, а также базовые технологии создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных малогабаритных модулей с улучшенными массогабаритными и спектральными характеристиками для перспективных радиоэлектронных систем двойного применения.

Дальнейшее расширение сверхвысокочастотного диапазона связано с созданием в стране гетероструктурной электронной компонентной базы с рабочими частотами 40 ГГц и более. Перспективными материалами для такой базы являются широкозонные полупроводники нитрид галлия и карбид кремния - для мощных полупроводниковых приборов и кремний - германий - для монолитных интегральных схем. Работы с этими материалами за рубежом активно развиваются последние 3-5 лет. В России их использование в электронной компонентной базе сдерживается по причине недостаточного объема работ в области создания и совершенствования технологии производства необходимых материалов.

В разделе, касающемся радиационно стойкой электронной компонентной базы (2006 год - 255 млн. рублей, 2007 год - 248 млн. рублей), предусматриваются работы по разработке радиационно стойкой электронной компонентной базы для аппаратуры и систем двойного назначения (специальной и космической техники, аппаратуры, используемой в интересах Федерального агентства по атомной энергии и для других специализированных применений). Проблема является межотраслевой, предусматривается проведение комплекса совместных работ с Федеральным агентством по атомной энергии и Федеральным космическим агентством.

В 2007 году предстоит разработать принципиально новую технологию для элементов памяти на основе фазовых структурных переходов веществ, нечувствительных к воздействию практически любых видов радиации и обеспечивающих создание одного универсального типа памяти для всех микроконтроллеров и микропроцессоров. При этом резко сократится номенклатура применяемых элементов.

Кроме того, будет разработана новая электронная компонентная база на структурах ультратонкого кремния (32-разрядные микропроцессоры, микроконтроллеры, умножители, базовые матричные кристаллы до 200 тыс. вентилей, функционально ориентированные процессоры, аналоговые, аналого-цифровые и цифроаналоговые сверхбольшие интегральные схемы). Такая база будет обладать экстремально высокой устойчивостью к воздействию постоянных потоков радиации, в том числе на наземных ядерных энергетических установках гражданского назначения.

Необходимость выполнения указанных работ обусловлена также сохранением паритета в области стратегических ядерных сил с другими ядерными державами. Аналогичные работы были выполнены в США в 2001-2005 годах в рамках программы ускоренного развития субмикронной радиационно стойкой электронной компонентной базы для нового поколения стратегических ядерных сил.

Необходимо учитывать, что закупки лицензий на эти технологии за рубежом невозможны из-за ограничений, накладываемых международными соглашениями о нераспространении ядерных технологий.

В разделе, касающемся микросистемной техники (2006 год - 42 млн. рублей, 2007 год - 286 млн. рублей), предусмотрено значительное увеличение объемов работ по удовлетворению спроса на микроэлектромеханические системы на внутреннем рынке (объем производства на мировом рынке в 2005 году составил 7,1 млрд. долларов). Так, простейшие микроэлектромеханические системы цифровые микрофоны, разработку и производство которых могут осуществлять российские организации электронной промышленности, в 2005 году выпускались в объеме 100 млн. штук (157 млн. долларов), а прогнозируемая потребность на 2010 год составляет около 850 млн. штук (более 1 млрд. долларов) в год.

Аналогичные темпы роста потребностей прогнозируются и в отношении более сложных микроэлектромеханических систем (для дисплеев, топливных элементов, адаптивной оптики, сверхвысокочастотных устройств, гироскопов, интегральных сенсоров).

В отличие от других высокотехнологичных направлений отставание России в этой области от передовых стран не так значительно, и требуемый технологический уровень производства таких систем значительно меньше, чем, например, для производства цифровой электроники.

В результате будут разработаны пассивные датчики давления, температуры, деформации, крутящего момента, микроперемещений, освоены технологии изготовления микросистем на основе процессов формирования специальных слоистых структур, способных обнаруживать опасные токсичные горючие и взрывчатые вещества и чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды.

Учитывая мультипликативный эффект развития микросистемной техники для других отраслей промышленности, реализация работ по этому разделу позволит повысить экспортный потенциал России в области автомобильного, авиационного и ракетно-космического машиностроения, а также в области навигации, здравоохранения, информационных, телекоммуникационных и военных технологий.

В разделе, касающемся микроэлектроники (2006 год - 420 млн. рублей, 2007 год - 492 млн. рублей), предусматривается проведение работ по освоению в производстве новых технологий с топологическими нормами 0,18 - 0,13 мкм, а также работ по проектированию электронной компонентной базы с помощью создаваемой сети дизайн-центров, обеспечивающих сквозное проектирование радиоэлектронной аппаратуры, включая сверхбольшие интегральные схемы типа "система на кристалле".

В 2007 году будет осуществлен комплекс работ по разработке и освоению современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, цифровых процессоров обработки сигналов, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 Мгц, микроконтроллеров и интегральных схем типа "система на кристалле" на основе каталогизированных сложно функциональных блоков и библиотечных элементов.

Будут разработаны универсальные микропроцессоры для радиоэлектронной аппаратуры, процессоры цифровой обработки сигналов, микросхемы приемопередатчиков для шинных интерфейсов, а также микроконтроллеры со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью и изделия интеллектуальной силовой микроэлектроники.

Таким образом, будет расширена номенклатура отечественной электронной компонентой базы, применяемой в паспортно-визовых документах, автоэлектронике, промышленной электронике и бытовой аппаратуре.