Об утверждении Концепции федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы

II. Обоснование целесообразности решения проблемы
программно-целевым методом

Исходя из мирового опыта развитие электронной компонентной базы в России целесообразно осуществлять программно-целевым методом.

В ведущих мировых странах государственная поддержка развития электронной промышленности рассматривается как самый эффективный способ повышения конкурентоспособности национальной экономики и вхождения в мировой рынок. Среди таких мер следует отметить не только участие государства в финансировании строительства современных производств, но и формирование плановой политики развития, введение льготных ставок налога, отмены платы за землю, введение практики ускоренной амортизации оборудования, предоставление льготных кредитов безвозмездных субсидий, создание свободных экономических зон и технопарков.

Производство электронной продукции во многих странах пользуется неоспоримым приоритетом, а основные электронные компании при финансовой поддержке государства вкладывают в развитие этого направления значительные средства.

Анализ мирового опыта развитых стран в сфере электронного производства показывает, что совершенствование электронной продукции и наращивание объемов ее выпуска главным образом осуществляются на основе комплексных целевых научно-технических программ, инициируемых правительствами государств и финансируемых наполовину за счет средств государственного бюджета.

Ежегодно на указанные программы ведущие мировые державы выделяют более 20 млрд. долларов. При этом следует учесть, что фирмы-производители не менее 10 процентов средств, полученных от реализации своей продукции, направляют на разработку перспективных изделий.

Для освоения дорогостоящих технологий даже крупные фирмы-производители не в состоянии использовать только собственные средства, поэтому они вынуждены создавать технологические альянсы и консолидировать свои средства с государством. В США с этой целью был создан консорциум правительства и частных компаний, который успешно обеспечил ликвидацию технологического отставания страны от Японии в сфере микроэлектронного производства. В Японии, в свою очередь, при участии государства создана специальная организация с целью возврата утраченного приоритета в области развития электронной промышленности.

Страны Европейского союза выполняют комплексные программы по освоению новых технологических уровней в области микро- и нанотехнологий в рамках специально организованных структур, финансируемых из бюджета Европейского союза, а также осуществляют ряд проектов, направленных на завоевание передовых позиций в области полупроводниковых технологий.

Китай уже реализовал государственную программу развития электронной промышленности стоимостью более 10 млрд. долларов и в настоящее время стоит в одном ряду с крупнейшими производителями электронной компонентной базы. Китайские микроэлектронные производства характеризуются весьма высоким уровнем технологии (топологический уровень - 0,18 - 0,13 мкм), что позволяет решать задачи, связанные с массовым выпуском современной электронной компонентной базы.

Другим примером является развитие производства микроэлектронных изделий в США и Японии. Объем их производства в США в 2005 году составил более 10 млрд. долларов, а Япония стремится к тому, чтобы годовой уровень выпуска микроэлектронной продукции составил 17 млрд. долларов.

В последнее десятилетие четко прослеживается тенденция перемещения производства электронной техники в страны Юго-Восточной Азии, что позволяет США, Японии, Европе резко усилить научные направления в области новых перспективных технологий (нанотехнологии, микротехника, молекулярная электроника). При этом правительства развитых западных государств оказывают поддержку этим ключевым направлениям науки, техники и производства.

Таким образом, практически все ведущие страны мира стимулируют развитие электронной промышленности путем комбинированных инвестиций (за счет средств государственных бюджетов и частного капитала), признавая ведущую роль этой отрасли в развитии общества.

В настоящее время уровень развития российской электронной промышленности не соответствует мировому уровню. Если в период существования СССР еще можно было говорить о паритете в области создания микросхем и полупроводниковых приборов (тогда не использовалась импортная элементная база для специальных и космических систем, разработка которых составляла 70-75 процентов объема всех разработок, осуществляемых в электронной промышленности), то за последние 15 лет произошло существенное отставание в этой сфере. Значительное сокращение объема специальных закупок без увеличения гражданских заказов привело отрасль, выпуск продукции которой рассчитан на массовое использование, в состояние кризиса. Возросла доля накладных расходов, упала конкурентоспособность, рынок стал стремительно заполняться продукцией иностранного производства, а отрасль окончательно лишилась естественных источников своего развития. Многократно снизившийся уровень спроса на отечественные изделия электронной техники сделал экономически невыгодными для российских производителей электронной продукции разработку и выпуск продукции на более высоком технологическом уровне, требующем, безусловно, значительных финансовых затрат. Доля российской электронной продукции на мировом рынке сократилась до уровня 0,23 процента. Значительно ослаблены также позиции отечественных производителей на внутреннем рынке - в настоящее время доля импортной электронной компонентной базы составляет 65 процентов объема внутреннего рынка электронных изделий.

Усугубляет ситуацию также и значительное сокращение производства отечественного технологического оборудования, необходимого для разработки и выпуска современной электронной продукции, а также деградация обеспечивающих производств, включая производство перспективных полупроводниковых материалов, химикатов и особо чистых веществ. В настоящее время ведутся работы по налаживанию производства высокотехнологичного оборудования автоматизированной сборки, сверхбольших интегральных схем, полупроводниковых приборов генерации и переносу изображения с помощью российско-белорусских программ, но они являются только частичным решением проблемы обеспечения отечественных производств необходимым специальным технологическим оборудованием.

С 2002 по 2006 год основное развитие отечественной электронной техники осуществлялось в процессе реализации раздела "Электронная компонентная база" федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2002-2006 годы. Всего по этому разделу выполнялось около 90 научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, обеспечивающих реализацию программных мероприятий по наиболее перспективным направлениям развития электронной техники. Из них 58 работ завершено к началу 2006 года.

В процессе выполнения указанных работ получены следующие результаты.

В области микроэлектронных технологий реализованы проекты по созданию отдельных технологических процессов для производства новых поколений сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем с минимальным топологическим уровнем 0,1 - 0,25 мкм, в том числе радиационно стойких больших интегральных схем с уровнем 0,5 - 0,8 мкм, а также по разработке технологической среды, ориентированной на сквозное проектирование аппаратуры, и перспективной электронной компонентной базы с использованием библиотек стандартных элементов и сложнофункциональных блоков. Такие блоки необходимы для создания конкурентоспособных мультимедийных систем, аппаратуры космического мониторинга и телекоммуникаций, радиолокационных комплексов, средств связи и цифрового телевидения, а также для развития транспорта и торговли.

Впервые в стране проработаны основные положения для создания трехуровневой системы автоматизированного проектирования перспективной аппаратуры на основе сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле".

В области сверхвысокочастотной электроники значительное внимание уделено работам по созданию современных широкозонных полупроводниковых соединений и технологического базиса для производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе гетероструктур материалов группы АB, а также по разработке широкой номенклатуры мощных полупроводниковых приборов. Впервые в стране на материале группы АB получены образцы транзисторов с Т-образным затвором длиной 0,1 мкм и разработана технология получения транзисторов с малым коэффициентом шума. Заложены основы технологии производства схем с топологическим уровнем 0,1 мкм.

В рамках федеральной целевой программы "Реформирование и развитие оборонно-промышленного комплекса (2002-2006 годы)" проводились в основном работы институционального характера, направленные на реформирование структуры электронного комплекса.

Для изменения сложившейся ситуации подпрограммой предусматривается сокращение до минимума технологического разрыва между развитыми странами и Россией с последующим упрочением ее позиции как за счет создания собственной технологической базы, так и за счет международной кооперации в области разработки и производства перспективных изделий электронной техники.

В рамках подпрограммы предусматривается создание инфраструктуры для проектирования и производства сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для разработки на их основе радиоэлектронной аппаратуры.

Для этого необходимо создать:

базовые отраслевые и межотраслевые центры по сквозному системному проектированию электронной компонентной базы;

унифицированные библиотеки элементов и макроблоков;

правила проектирования электронной компонентной базы;

межотраслевой центр проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов.

Предусматривается также реконструкция и технологическое перевооружение основных электронных производств.

Новая инфраструктура проектирования и производства электронной компонентной базы позволит ведущим организациям приступить к разработке микросхем широкой номенклатуры, включая сверхбольшие интегральные схемы типа "система на кристалле", а также создаст предпосылки для осуществления проектирования радиоэлектронных систем на уровне микросхем, что потребует новых форм кооперации разработчиков электронной компонентной базы и аппаратуры.

Ориентация только на потребности свободного рынка в области электронной техники не позволит получить ощутимый результат, в том числе даже по таким важнейшим направлениям, как технологии создания и производства радиационно стойкой электронной компонентной базы, твердотельной сверхвысокочастотной электроники, сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле", так как эта продукция не обладает высокой серийностью и поэтому финансово непривлекательна. В то же время созданные небольшие мелкосерийные производства не позволят производить электронную компонентную базу по конкурентной цене.