Недействующий

О внесении изменений и дополнений в федеральную целевую программу "Национальная технологическая база" на 2002-2006 годы (фактически утратило силу)

Приложение N 1
к федеральной целевой программе
"Национальная технологическая база"
на 2002-2006 годы

ПЕРЕЧЕНЬ
мероприятий федеральной целевой программы "Национальная технологическая база"
на 2002-2006 годы


		Стоимость (млн. рублей)						Ожидаемые результаты
		2002 год (в ценах 2002 года)	2003-2006 годы - всего (в ценах 2003 года)	в том числе
				2003 год	2004 год	2005 год	2006 год
	I. Технологии новых материалов
	Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
1.	Создание высокопрочных, хорошо свариваемых сталей, сварочных материалов и технологии сварки для перспективного оборудования топливно-энергетического комплекса (ТЭК), морской и авиакосмической техники нового поколения	10,2* --------- 5,1	47 --------- 23,5	10,2 --------- 5,1	11,8 --------- 5,9	12,4 --------- 6,2	12,6 --------- 6,3	создание, подготовка промышленного производства материалов для разработки конструкций морской и авиакосмической техники, стройиндустрии, машиностроения, оборудования для ТЭК, обеспечивающих значительное повышение потребительских качеств и конкурентоспо- собности продукции на мировом рынке; создание высоконадежных элементов конструкций активных зон атомных и термоядерных реакторов, а также ледостойких буровых платформ
________________ * В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - объем финансирования из федерального бюджета.
2.	Создание принципиально новых высокопрочных азотистых сталей аустенитно-ферритного и мартенситного классов с	7,6 --------- 3,8	34,8 --------- 17,4	7,6 --------- 3,8	8,6 --------- 4,3	9 --------- 4,5	9,6 --------- 4,8	использование для изготовления высокопрочных корпусных конструкций
	высокой коррозионной стойкостью и повышенной вязкостью для использования в авиакосмической технике, медицине, бурильных трубах, трубопроводах, судовой арматуре, насосах и в другой продукции, эксплуатируемой в экстремальных условиях							авиакосмической и морской техники нового поколения, обеспечивающих значительное снижение риска коррозионного растрескивания и увеличение междокового периода морских судов; использование в медицине для изготовления имплантатов, эндопротезов и др., обеспечива- ющее экономию дефицитного и дорогостоящего сырья и исключение эффекта "никелевой аллергии"
3.	Создание контейнеров для отработанного ядерного топлива (ОЯТ) судовых и стационарных атомных энергетических установок (АЭУ) с использованием конструкционных малоактивированных радиационно-стойких основных и сварочных материалов нового поколения	2,2 --------- 1,1	10,2 --------- 5,1	2,2 --------- 1,1	2,4 --------- 1,2	2,6 --------- 1,3	3 --------- 1,5	повышение надежности, безопасности и экономичности продукции, создание уникальных контейнеров для транспортировки и длительного (до 100 лет) хранения ОЯТ
4.	Создание комплексно легированных свариваемых титановых сплавов для авиакосмической техники, судостроения, атомной энергетики и медицины	7,2 --------- 3,6	33 --------- 16,5	7,2 --------- 3,6	8,2 --------- 4,1	8,6 --------- 4,3	9 --------- 4,5	создание с использованием сплавов авиакосмической техники, глубоководных аппаратов, атомных энергетических установок с увеличенным в 1,5-2 раза ресурсом работы, улучшение качества медицинской аппаратуры в хирургии, ортопедии, стоматологии, кардиологии и др.
5.	Создание новых высокопрочных свариваемых, термически неупрочняемых алюминиевых сплавов для морских судов, авиационной и ракетно-космической техники, скоростных поездов и автомобильной промышленности	15 --------- 7,5	70 --------- 35	15 --------- 7,5	17,8 --------- 8,9	18,2 --------- 9,1	19 --------- 9,5	создание корпусных конструкций кораблей, самолетов, вертолетов, ракет и космических аппаратов нового поколения, современных скоростных паромов типа "катамаран", обтекателей глубоководной техники с
								уникальными техническими характеристиками (на 30-50 процентов выше мировых), силовых элементов скоростных поездов и новых автомобилей (стоимость изготовления продукции со сплавами из скандия будет снижена в 1,5-2 раза)
6.	Разработка и промышленное освоение перспективных сварочных материалов и технологий сварки для изготовления энергетического оборудования безопасных АЭС с жидкометаллическим теплоносителем на основе свинца	1,4 --------- 0,7	6,6 --------- 3,3	1,4 --------- 0,7	1,6 --------- 0,8	1,8 --------- 0,9	1,8 --------- 0,9	обеспечение высокой коррозионной стойкости металла шва в потоке свинца и радиационной стойкости, увеличение срока службы конструкций в 2 раза, повышение надежности их работы при температурах до 1050 градусов в условиях коррозионного и эрозионного воздействия, использование результатов работы при создании газотурбинных установок нового поколения, высокотемпера- турных установок нефтеперера- батывающих, нефтехимичес- ких и металлургичес- ких производств
7.	Создание принципиально новых многофункциональных покрытий с высоким уровнем физических, экологических, физико-химических, эксплуатационных характеристик и эффективных технологий их нанесения при изготовлении деталей и конструкций перспективной техники, обеспечивающих эксплуатацию изделий новой техники во всех климатических условиях в течение 30-40 лет	13,4 --------- 6,7	61,8 --------- 30,9	13,4 --------- 6,7	15,4 --------- 7,7	16,2 --------- 8,1	16,8 --------- 8,4	освоение пилотных технологий получения многофункцио- нальных покрытий с высоким уровнем каталитической активности, магнитных и электрофизи- ческих параметров, высокой коррозионной, эрозионной и износостойкостью; улучшение функциональных характеристик и конкурентоспо- собности авиакосмической техники, транспортных средств, нефтегазопро- водов, буровых платформ, электронных систем, систем связи, оптоэлектроники, приборных, навигационных и вычислительных комплексов;
								адаптация производства к новым рыночным условиям
8.	Создание новых интерметаллических материалов и композиций на основе алюминидов переходных металлов, неравновесных аморфных и нанофазных структур со специфическими свойствами	9,2 --------- 4,6	41,8 --------- 20,9	9,2 --------- 4,6	10,4 --------- 5,2	10,8 --------- 5,4	11,4 --------- 5,7	повышение физико-механических характеристик высокопрочных конструкционных материалов в 1,2-1,5 раза, снижение в 1,2-3 раза габаритно-весовых показателей при одновременном уменьшении до 50 процентов стоимости композитов, снижение на 15-25 процентов веса конструкций автомобилей, энергетических установок судов и судовых агрегатов, ракет и авиакосмической техники, повышение в 2-7 раз срока службы конструктивных элементов нефте- и газодобывающей, горнорудной и химической промышленнос- ти
9.	Разработка полимерных, металлополимерных и термопластичных композиционных материалов с регулируемыми многофункциональными свойствами	17,6 --------- 8,8	81,4 --------- 40,7	17,6 --------- 8,8	20,6 --------- 10,3	21,2 --------- 10,6	22 --------- 11	снижение массы корпусных конструкций на 20-30 процентов, повышение шумопоглоще- ния и увеличение демпфирующей способности конструкций, снижение заметности судов и летательных аппаратов в широком диапазоне длин волн; увеличение удельной мощности и ресурса электросиловых преобразовате- лей в 2-3 раза; снижение стоимости и трудоемкости изготовления размероста- бильных приборных платформ; ликвидация зависимости российских производителей от зарубежных фирм в производстве материалов этого класса
10.	Создание новых жаропрочных конструкционных материалов и сплавов, разработка и промышленное освоение технологий изготовления	10,2 --------- 5,1	47,2 --------- 23,6	10,2 --------- 5,1	11,8 --------- 5,9	12,4 --------- 6,2	12,8 --------- 6,4	обеспечение надежной работы высокотемпе- ратурных установок нефтеперераба- тывающих,
	деталей и конструкций на их основе							нефтехимичес- ких и металлургичес- ких производств в условиях воздействия рабочих сред и критических температур; снижение ресурсоемкости и энергоемкости производства деталей перспективных газотурбинных и жидкостных ракетных двигателей
11.	Разработка технологии изготовления квазикристаллических материалов для уменьшения трения, электрохимической защиты и водородной энергетики	1,4 --------- 0,7	6,6 --------- 3,3	1,4 --------- 0,7	1,6 --------- 0,8	1,8 --------- 0,9	1,8 --------- 0,9	использование квазикристаллов в качестве покрытий изделий для уменьшения коэффициента трения, износа и стирания подложки, повышение прочности стали в сочетании с ростом пластичности; применение квазикристал- лических материалов в области катализа, радиационной и электрохими- ческой защиты, водородной энергетики, экологическая чистота при изготовлении квазикристал- лических материалов
12.	Разработка составов и базовых технологий изготовления лазерных стекол нового поколения, оптических стекол, ситаллов, халькогенидных стекол, радиационно-стойких стекол, светочувствительных, термохромных и электрохромных стекол, заготовок очковых стекол нового поколения	20,8 --------- 10,4	96,6 --------- 48,3	20,8 --------- 10,4	24,6 --------- 12,3	25,2 --------- 12,6	26 --------- 13	получение активных элементов лазерного качества с высокой надежностью при работе в импульсных режимах с высокой выходной мощностью излучения; снижение себестоимости активных элементов; повышение качества оптического стекла по однородности; изготовление крупногабаритных ситалловых заготовок для астрозеркал; производство имплантатов для стоматологии и ортопедии; производство оптических элементов с нелинейными свойствами для ИК-оптики


Инвестиционные проекты (капитальные вложения*)
________________ * Без изменения сметной стоимости проектов.
13.	Модернизация комплексов технологического оборудования для создания новых конструкционных и функциональных материалов на ФГУП "ЦНИИ КМ "Прометей", г.Санкт-Петербург	18,5 --------- 18,5	114,5 --------- 114,5	15 --------- 15	25 --------- 25	20 --------- 20	54,5 --------- 54,5	эксперименталь- ная отработка технологий создания новых конструкционных и функциональных материалов для судостроения и других отраслей промышленности, обеспечение испытаний облученных конструкционных материалов
14.	Организация производства микропорошков на базе ГУП "ЦНИИМ", г.Санкт-Петербург	7 --------- 7	7,84 --------- 7,84	7,84 --------- 7,84	-	-	-	обеспечение широкомасштаб- ного выпуска соединительных, уплотнительных и износостойких деталей и существенное уменьшение импортных закупок для нефтеперераба- тывающей, горно-добывающей, дорожно-строительной и металлургичес- кой промышленнос- ти
	Всего по разделу I, в том числе:	141,7 --------- 83,6	659,34 --------- 390,84	139,04 --------- 80,94	159,8 --------- 92,4	160,2 --------- 90,1	200,3 --------- 127,4
	НИОКР	116,2 --------- 58,1	537 --------- 268,5	116,2 --------- 58,1	134,8 --------- 67,4	140,2 --------- 70,1	145,8 --------- 72,9
	капитальные вложения	25,5 --------- 25,5	122,34 --------- 122,34	22,84 --------- 22,84	25 --------- 25	20 --------- 20	54,5 --------- 54,5
II. Электронная компонентная база
Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
1. Микроэлектроника
15.	Разработка базовых технологий конструирования новых поколений сверхбольших интегральных схем (СБИС) и сверхскоростных интегральных схем (ССИС) с минимальными размерами элементов 0,1-0,25 мкм для аппаратуры сверхвысокого быстродействия и сверхскоростной обработки информации, в том числе базовой технологии	139,8 --------- 69,9	524,2 --------- 262,1	127,2 --------- 63,6	127,2 --------- 63,6	132,2 --------- 66,1	137,6 --------- 68,8	создание базовых технологий СБИС и ССИС на кремнии с предельно достижимыми минимальными топологическими размерами, максимальной тактовой частотой 500 МГц и
	производства спецстойких СБИС с минимальными размерами элементов 0,5-0,8 мкм и полупроводниковых приборов, включая радиационно-стойкие							степенью интеграции транз/кр.; снижение стоимости проектирования и сборки РЭА специального и общего назначения в 2-3 раза, снижение энергопотребления в 3-4 раза; повышение функциональных возможностей аппаратуры и снижение стоимости единичной функции в 10-20 раз; возможность серийного производства для выпуска КМОП СБИС со степенью интеграции до вент/кр. при сохранении группы стойкости 2У-ЗУ, сохранение технологической независимости и обеспечение безопасности работы атомных станций
16.	Разработка технологической базы (среды) сквозного автоматизированного проектирования элементной базы и аппаратуры, включающей библиотеки элементов, библиотеки макроблоков (СФ), технологическое обеспечение приборных разработок с привлечением зарубежных партнеров, создание единой базы данных разрабатываемых российских проектов, в том числе разработка технологии проектирования микроэлектронных ядер и моделей для обработки, сжатия, передачи и распознавания информации в системах телекоммуникаций, в том числе цифрового телевидения и информационного мониторинга	82 --------- 41	304,8 --------- 152,4	74,6 --------- 37,3	73,6 --------- 36,8	76,6 --------- 38,3	80 --------- 40	создание технологической базы среды сквозного проектирования элементной базы и аппаратуры; сокращение сроков внедрения перспективной элементной базы в разработки аппаратуры; обеспечение технологической независимости при разработке конкурентоспо- собной продукции; создание центров проектирования, сертификации и аттестации пластин, разработанных по алгоритмам российских заказчиков; разработка и реализация механизма технологического взаимодействия в рамках единой среды и разработки элементной базы и аппаратуры; создание конкурентоспо- собной технологии проектирования СФ-блоков, СБИС "система на кристалле" с характеристиками, не уступающими мировым достижениям, позволяющей в
								малые сроки и с наименьшими затратами создавать унифицированные комплексы сверхвысокой производитель- ности в реальном масштабе времени для различных областей применения
17.	Создание приборно-технологического базиса производства сверхбыстродействующих БИС типа БиКМОП и на основе SiGe для телекоммуникационных систем и перспективных систем техники	30,2 --------- 15,1	65,6 --------- 32,8	20 --------- 10	14,6 --------- 7,3	15,2 --------- 7,6	15,8 --------- 7,9	в настоящее время за рубежом на основе SiGe серийно выпускаются СВЧ-транзисторы мощностью до 0,2 Вт на диапазон частот до 3,0 ГГц и освоено производство специализиро- ванных ИС для средств связи, а производство ИС широкого применения (операционных и инструментальных усилителей) отсутствует, не имеется отечественной технологии БИС на основе БиКМОП. Разработка таких БИС позволит реализовать анализаторы спектра с высокой разрешающей способностью для аппаратуры специального применения; результаты работ позволят улучшить характеристики отечественной измерительной и приемопередаю- щей техники, систем радиолокации, средств телекоммуника- ций и цифрового телевидения
18.	Разработка СФ-блоков для обработки, сжатия и передачи информации, в том числе ядер: процессоры (сигнальные и цифровые) и микроконтроллеры; цифроаналоговые, аналого-цифровые преобразователи; шины и интерфейсы (драйверы, приемо-передатчики и т.д.); специализированные блоки для телекоммуникаций, включая блоки для цифрового телевидения, радиорелейной связи и ATM-технологии (аудио-видео сжатие, цифровая фильтрация, видеоконтроллеры, модемы, узлы помехоустойчивого кодирования, ATM-коммутатора,	-	312 --------- 156	-	100 --------- 50	104 --------- 52	108 --------- 54	создание функционально полной номенклатуры СФ-блоков, различающихся по производитель- ности и назначению и ориентированных на разработку СБИС "система на кристалле" для конкурентоспо- собных электронных систем мультимедиа, телекоммуника- ций, систем радиолокации, космического мониторинга,
	приемопередающего радиотракта, преобразования Фурье и т.д.)							транспорта, средств связи, цифрового телевидения, систем безналичного расчета и идентификации
19.	Разработка базовых конструкций и технологий производства серии универсальных интегрированных силовых IGBT-модулей и модулей прижимной конструкции нового поколения на токи до 1400 А и напряжение до 4500 В	12 --------- 6	47,4 --------- 23,7	11,2 --------- 5,6	11,6 --------- 5,8	12 --------- 6	12,6 --------- 6,3	выпуск отечественных силовых модулей на токи до 1400 А и напряжение 1200, 1800, 2500, 3300, 4500 В, предназначенных для применения в преобразова- тельном оборудовании, мощностью от десятков кВА до десятков МВА в электроприводах транспортных средств
20.	Разработка базовых конструкций и технологий производства полностью управляемых силовых полупроводниковых приборов с изолированным затвором (IGBT) и быстровосстанавливаю- щихся диодов (АКB) на токи до 100 А (на кристалл) и напряжение 1200, 1800, 2500, 3300, 4500 В	10,6 --------- 5,3	43,4 --------- 21,7	10,2 --------- 5,1	10,6 --------- 5,3	11 --------- 5,5	11,6 --------- 5,8	обеспечение выпуска силовых модулей различных конструкций и назначения
21.	Разработка библиотеки базовых конструкций силовых управляемых биполярных и полевых приборов на напряжения до 6,0 кВ, а также быстровосстанавливаю- щихся диодов и силовых ИС на напряжения до 2,5 кВ	-	58 --------- 29	-	18,8 --------- 9,4	19,2 --------- 9,6	20 --------- 10	разработка и освоение производства силовой элементной базы для выпуска конкурентоспо- собных силовых приборов, в которых остро нуждаются различные отрасли экономики, в том числе
								IGBT-модулей на токи 25-1000 А и напряжение от 600 В до 3300 В и комплектных БВД с временем обратного восстановления 0,05 мкс-0,3 мкс
22.	Разработка базовой конструкции и организация серийного производства "интеллектуальных" силовых IGBT-модулей на токи до 900 А и напряжения 1200 и 1700 В, а также серии универсальных интегрированных силовых IGBT-модулей и модулей прижимной конструкции нового поколения	-	62,4 --------- 31,2	-	20 --------- 10	20,8 --------- 10,4	21,6 --------- 10,8	разработка и освоение производства типового ряда интеллектуальных и силовых модулей позволит создать ресурсоэнерго- эффективное преобразова- тельное оборудование с улучшенными техническими характеристиками, большей надежностью, меньшими массогабаритными показателями и стоимостью в интересах городского электрифициро- ванного транспорта и транспортных средств в добывающей промышленнос- ти


2. Наноэлектроника и микромеханика
23.	Разработка технологий производства микромеханических элементов для микросистемной техники	11,8 --------- 5,9	80 --------- 40	18,8 --------- 9,4	19,6 --------- 9,8	20,4 --------- 10,2	21,2 --------- 10,6	создание трехмерных микроизделий по технологии, обеспечивающей получение субмикронных трехмерных изделий без использования дорогостоящих литографических процессов, являющихся в настоящее время основой "кремниевой" технологии
24.	Создание интеллектуальных нанотехнологических комплексов для наноэлементов и терабитных микромеханических запоминающих устройств	6 --------- 3	80 --------- 40	18,8 --------- 9,4	19,6 --------- 9,8	20,4 --------- 10,2	21,2 --------- 10,6	развитие наукоемкого, с низкой энерго- и материалоем- костью производства электронной техники - нового поколения конкурентоспо- собных накопителей, превосходящих существующий уровень на несколько порядков по емкости и скорости передачи данных
25.	Разработка зондовых и ионных нанотехнологий формирования элементов с размерами менее 10 нм и исследование эмиссионных характеристик нанотрубных углеродных структур	11,4 --------- 5,7	80 --------- 40	18,8 --------- 9,4	19,6 --------- 9,8	20,4 --------- 10,2	21,2 --------- 10,6	создание приборов, значительно превосходящих традиционные аналоги по эффективности, надежности, ресурсу, массогабаритным параметрам и энергопотребле- нию; возможность разработок микросистемной техники на принципах искусственного интеллекта, а также разработки СБИС с уровнем интеграции до повышение конкурентоспо- собности разработанной радиоэлектронной аппаратуры
26.	Разработка библиотек и базовых элементов наноэлектроники и микроэлектроники, в том числе: нанодиодов; нанотранзисторов; нанодинисторов; нановаристоров; логических элементов; функциональных устройств	-	39,4 --------- 19,7	-	12,8 --------- 6,4	13 --------- 6,5	13,6 --------- 6,8	создание элементной базы для телекоммуника- ционной аппаратуры, в том числе для мобильной связи, радаров и средств связи ВВСТ.234
3. Акусто- и магнитоэлектроника
27.	Разработка технологии нанотехнологического производства пьезокерамических материалов и температуростабильных акустоэлектронных изделий для систем связи, гидроакустики, медицины и датчиков различного назначения	10,2 --------- 5,1	66,2 --------- 33,1	16,4 --------- 8,2	16 --------- 8	16,6 --------- 8,3	17,2 --------- 8,6	разработка базовых технологий и создание пьезокерамичес- ких материалов и акустоэлектрон- ных изделий с параметрами, не уступающими лучшим мировым образцам, организация серийного выпуска этих материалов и конкурентоспо- собных акустоэлектрон- ных изделий; экономический эффект от реализации изделий составит не менее 30 млн. рублей
28.	Разработка базовых конструкций типового ряда пьезоэлектронных устройств	-	37,2 --------- 18,6	-	12 --------- 6	12,4 --------- 6,2	12,8 --------- 6,4	создание пьезоэлектрон- ных
	нового поколения, в том числе: интегрированных датчиков; фильтров, резонаторов, генераторов; пьезогироскопов и пьезотрансформаторов							устройств нового поколения для применения в системах гидроакустики, точного оружия, адаптивной оптики, охраны морских и сухопутных границ, автомобильной электроники и медицины
29.	Разработка типового ряда перспективных ферритовых приборов, трансформаторов, устройств на магнитостатических волнах и магнитоэлектрических приборов микроволнового и радиодиапазона, в том числе: высокодобротных резонаторов; фазовращателей и циркуляторов; вентилей и ограничителей; перестраиваемых фильтров; переключателей	-	43,8 --------- 21,9	-	14 --------- 7	14,6 --------- 7,3	15,2 --------- 7,6	создание ферритовых приборов, устройств на МСВ и трансформаторов радиодиапазона для модернизации существующих электронных систем и разработок систем 5-го поколения
4. СВЧ-электроника
30.	Разработка базовых технологий изготовления мощных транзисторов и монолитных СВЧ-микросхем на основе гетероструктур материалов группы А3В5 для современных бортовых и наземных радиоэлектронных систем, унифицированных приемно-передающих модулей с высокой плотностью упаковки для АФАР дециметрового и сантиметрового диапазонов	19,8 --------- 9,9	90,8 --------- 45,4	25,2 --------- 12,6	21 --------- 10,5	21,8 --------- 10,9	22,8 --------- 11,4	технологии проектирования, изготовления и серийного выпуска мощных транзисторов и монолитных СВЧ-микросхем на основе гетероструктур материалов группы А3В5 для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации и средств связи нового поколения; создание нового класса отечественных радиоэлектронных систем на базе новейших достижений в области СВЧ-полупроводнико- вой электроники и развитие техники активных фазированных антенных решеток; обеспечение выпуска современной конкурентоспо- собной продукции с высоким экспортным
								потенциалом и техническими характеристиками, соответствую- щими лучшим мировым аналогам
31.	Реконструкция базовых унифицированных технологических процессов для разработок и выпуска мощных вакуумных СВЧ-приборов и комплексированных устройств на их основе	6,4 --------- 3,2	104,4 --------- 52,2	24 --------- 12	25,8 --------- 12,9	26,8 --------- 13,4	27,8 --------- 13,9	переход на новый технический уровень отечественной технологии изготовления мощных вакуумных СВЧ-приборов нового поколения с высокими эксплуатацион- ными характеристиками и повышенной долговечностью для дальнейшего развития высокопотенци- альных бортовых и наземных радиоэлектронных систем, а также миниатюрной аппаратуры миллиметрового диапазона
32.	Разработка технологии изготовления современных гетероструктур, широкозонных полупроводниковых соединений и новых диэлектрических материалов для приборов и МИС СВЧ-техники	9,6 --------- 4,8	45,6 --------- 22,8	12 --------- 6	10,8 --------- 5,4	11,2 --------- 5,6	11,6 --------- 5,8	технологии производства твердотельных микроэлектронных гетероструктур на основе арсенида галлия, нитрида галлия и карбида кремния на пластинах диаметром до 100 мм, обеспечивающих последующую размерную обработку менее 0,1 мкм
33.	Разработка технологии и базовых конструкций установок нового поколения для автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей СВЧ-полупроводниковых структур, мощных транзисторов и МИС СВЧ- диапазона	3,4 --------- 1,7	26,2 --------- 13,1	6,2 --------- 3,1	6,4 --------- 3,2	6,6 --------- 3,3	7 --------- 3,5	создание метрической аппаратуры нового поколения для исследований параметров полупроводниковых структур, активных элементов и МИС СВЧ в процессе изготовления и сдачи продукции с целью повышения процента выхода годных изделий, их долговечности и надежности при эксплуатации
34.	Разработка системы автоматизированного проектирования и библиотеки базовых конструкций перспективных ВЧ и СВЧ-приборов и интегральных схем, в том числе: генерации, обработки и передачи ВЧ- и СВЧ-	-	301,6 --------- 150,8	52,6 --------- 26,3	80 --------- 40	83 --------- 41,5	86 --------- 43	проведение модернизации существующих электронных систем и обеспечение разработки систем 5-го поколения
	сигналов в реальном масштабе времени; мощных монолитных СВЧ-микросхем на основе гетероструктур материалов А3В5; унифицированных приемо-передающих модулей; СВЧ-транзисторов широкого применения, в том числе малошумящих; унифицированных миниатюрных сверхширокополосных вакуумно-твердотельных мощных СВЧ-модулей
5. Методология и технологии создания ЭКБ
35.	Разработка системы автоматизированного проектирования СБИС "система на кристалле" (с использованием СФ-блоков), в том числе информационной среды автоматизированного проектирования СБИС "система на кристалле" и СФ-блоков	-	220,4 --------- 110,2	34 --------- 17	60 --------- 30	62,4 --------- 31,2	64 --------- 32	создание средств ускоренного проектирования широкой номенклатуры СБИС "система в кристалле" (с использованием российских и иностранных СФ-блоков); разработка базы данных, содержащей библиотеки моделей для всех уровней проектирования, в том числе библиотеки СФ-блоков, обеспечивающих процесс сквозного проектирования СБИС специального и коммерческого применения
36.	Разработка библиотеки элементов по классам, правил проектирования СФ-блоков и электронной компонентной базы, ориентированных на перспективные технологии, в том числе иностранные	-	82,2 --------- 41,1	14,8 --------- 7,4	21,6 --------- 10,8	22,4 --------- 11,2	23,4 --------- 11,7	библиотека элементов по классам, правила проектирования, ориентированные на технологии "кремниевых мастерских" с учетом достигнутого зарубежного уровня
37.	Разработка системы автоматизированного проектирования, библиотек и базовых элементов	-	49,4 --------- 24,7	-	16 --------- 8	16,4 --------- 8,2	17 --------- 8,5	современная электронная компонентная база для
	микроэлектромеханических систем широкого применения на основе интегральных методов обработки кремния, в том числе: прецизионных акселерометров; датчиков угловых скоростей (микро-механических гироскопов); сверхпрецизионных (виброрезонансных) сенсоров измерения давления; микропереключателей каналов оптоволоконной связи; других микроэлектромеханических систем							миниатюрных навигационных систем различного назначения: от перспективного высокоточного оружия и авиационно-космических аппаратов до систем управления автомобилями и катерами; методы проектирования микроэлектроме- ханических систем и библиотеки основных элементов
38.	Разработка комплектов специализированных СБИС "система на кристалле" сложностью до транзисторов на кристалле для: цифрового телевидения; цифрового радиовещания; цифровой технологической радиотелефонной связи; других систем	-	199 --------- 99,5	-	62,8 --------- 31,4	66,4 --------- 33,2	69,8 --------- 34,9	СБИС "система на кристалле" по функциональной сложности и схемотехничес- ким решениям будут соответствовать зарубежному уровню и обеспечат создание массовой малогабаритной аппаратуры на основе одной микросхемы, включающей блоки телекоммуника- ций, компьютеров, навигации и др.; будет отработана методология "сквозного" автоматизиро- ванного проектирования СБИС "система на кристалле" на основе СФ-блоков и библиотек микро- и макроэлементов
39.	Разработка системы автоматизированного проектирования и библиотеки базовых конструкций перспективных акустоэлектронных устройств нового поколения, в том числе: изделий на ПАВ; устройств на объемных волнах; изделий на приповерхностных ПАВ	-	62,4 --------- 31,2	-	20 --------- 10	20,8 --------- 10,4	21,6 --------- 10,8	разработка высокоэффектив- ных устройств на ПАВ, ПЛАВ, ОВ позволит создать современные системы точного оружия, связи, ПВО, радиочастотной идентификации
40.	Создание физических принципов, моделирование и разработка физико-технологических процессов, направленных на создание перспективной электронной компонентной базы	-	102 --------- 51	24 --------- 12	25 --------- 12,5	26 --------- 13	27 --------- 13,5	научно обоснованные рекомендации для дальнейшего развития электронной компонентной базы
41.	Разработка функционально полной номенклатуры электронной компонентной базы, необходимой для комплектации и модернизации серийно выпускаемых образцов ВВСТ	-	156 --------- 78	-	50 --------- 25	52 --------- 26	54 --------- 27	обеспечение комплектации, ремонта и эксплуатации серийно выпускаемых и модернизируе- мых образцов ВВСТ современной электронной компонентной базой


6. Радиационно-стойкая электронная компонентная база
42.	Разработка библиотеки элементов и СФ-блоков радиационно-стойкой электронной компонентной базы на основе технологий кремний на изоляторе и кремний на сапфире, в том числе: процессоры (сигнальные и цифровые процессоры); микроконтроллеры; цифроаналоговые, аналого-цифровые преобразователи; шины и интерфейсы (драйверы, приемопередатчики и т.д.); логические схемы; экспертиза и мониторинг технических процессов по обеспечению радиационной стойкости электронной компонентной базы	-	143 --------- 71,5	20 --------- 10	39,4 --------- 19,7	41 --------- 20,5	42,6 --------- 21,3	создание электронных систем вооружения, военной и специальной техники, функционирую- щих в условиях воздействия радиационных факторов
7. Компоненты оптоэлектронной, лазерной и инфракрасной техники
43.	Разработка базового фотоэлектронного модуля на основе инфракрасных смотрящих двухцветных многорядных матричных фотоприемных устройств (МФПУ) на базе фотодиодов из КРТ и антимонида индия с цифровой обработкой и повышенной информационной емкостью	-	32,4 --------- 16,2	3,2 --------- 1,6	9,6 --------- 4,8	9,8 --------- 4,9	9,8 --------- 4,9	создание матричных унифицирован- ных фотоэлектрон- ных модулей с повышенной информацион- ной емкостью на базе фотодиодов из КРТ и антимонида индия, работающих в двух спектральных диапазонах. Применение многоспектраль- ных фотоприемных модулей в тепловизионных и теплопеленга- ционных системах выведет последние по дальности и надежности обнаружения и захвата целей, а также помехозащи- щенности на качественно новый уровень
44.	Разработка базового фотоэлектронного модуля нового поколения для сканирующих тепловизионных систем, работающих в режиме ВЗН, с числом элементов накопления не менее 8	-	32,4 --------- 16,2	3,2 --------- 1,6	9,6 --------- 4,8	9,8 --------- 4,9	9,8 --------- 4,9	разработка базового унифицирован- ного фотоэлектрон- ного модуля формата не менее 8 х 288 элементов, предназначен- ного для комплектации тепловизионных приборов нового поколения, работающих в режиме ВЗН; увеличение числа рядов в МФПУ позволит улучшить фотоэлектричес- кие параметры МФПУ, увеличить надежность за счет резервирования ФЧЭ, улучшить качество тепловизионных изображений
45.	Разработка ряда базовых фотоэлектронных модулей на основе охлаждаемых фотодиодных матриц из антимонида индия и микроболометров для диапазонов спектра 3 ... 5 и 8 ... 12 мкм формата 320 x 240, 384 x 288 элементов	1,4 --------- 0,7	36,8 --------- 18,4	4,2 --------- 2,1	10,8 --------- 5,4	11,2 --------- 5,6	10,6 --------- 5,3	создание типоразмерного ряда охлаждаемых матричных ИК-приемников на основе фотодиодов и микроболометри- ческих элементов, чувствительных в диапазоне 3 ... 5 и 8 ... 12 мкм
								формата 320 х 240, 384 х 288 элементов и более. Возможность выпуска тепловизионных систем гражданского и двойного применения
46.	Разработка МФПУ смотрящего типа на спектральный диапазон 3 ... 5 мкм с покадровым накоплением фотосигналов и цифровым выводом информации	-	14 --------- 7	-	4,6 --------- 2,3	4,6 --------- 2,3	4,8 --------- 2,4	создание смотрящего МФПУ на основе КРТ формата 128 х 128 спектрального диапазона 3 ... 5 мкм с совмещенным покадровым накоплением и цифровым выводом информации, предназначен- ного для комплектации тепловизионных приборов нового поколения; существенное уменьшение темновых и фоновых токов по сравнению с фотодиодами спектрального диапазона 8-12 мкм, переход к более длительному времени накопления по сравнению с построчным накоплением фотосигналов в диапазоне 8-12 мкм и повышение технических характеристик МФПУ
47.	Разработка унифицированных модулей аналоговой и цифровой обработки сигналов многорядных матричных фотоприемных устройств для тепловизионных каналов широкого применения	-	26,8 --------- 13,4	2,6 --------- 1,3	7,8 --------- 3,9	8,2 --------- 4,1	8,2 --------- 4,1	создание унифицирован- ных модулей для обработки сигналов МФПУ формата 2 х 256, 4 х 288, 8 х 288 и др., обеспечивающих функции аналого-цифрового преобразования сигналов МФПУ, суммирование сигналов с задержкой для реализации режима ВЗН, цифровую обработку сигналов с проведением коррекции неоднородности чувствитель- ности, формирование сигналов управления МФПУ и синхронизацию с системой сканирования, оптимизацию режима работы МФПУ при изменении условий эксплуатации, формирование видеосигнала для отображения на мониторе
48.	Разработка МОП - мультиплексора с интегрированием фототока в ячейке для двухцветных матричных ФПУ, чувствительных в диапазонах длин волн 3...5 и 8... 14 мкм	-	14 --------- 7	-	4,6 --------- 2,3	4,6 --------- 2,3	4,8 --------- 2,4	создание МОП - мультиплексора формата 128 х 128 с интегрированием фототока в ячейке для матриц фотодиодов на основе материалов кадмий-ртуть-теллур и антимонида индия в обеспечение выпуска матричных двухцветных ФПУ нового поколения
49.	Разработка микросхем малошумящих операционных усилителей (ОУ) для обработки сигналов фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов	-	16 --------- 8	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5	4,8 --------- 2,4	создание унифицирован- ного ряда малошумящих операционных усилителей, предназначен- ных для обработки сигналов фотоприемников (ФП) с различным внутренним сопротивлением. Унифицирован- ный ряд включает в себя двухканальный ОУ двух типов для обработки сигналов фотоприемников с низким и высоким внутренним сопротивлением
50.	Разработка спецалгоритмов и создание модулей цифровой обработки сигналов и изображений, получаемых в различных областях спектра с применением технологий нейросетей и методов локально-анизотропных признаков для решения задач обнаружения, распознавания и автосопровождения целей в реальном времени	-	26,8 --------- 13,4	2,6 --------- 1,3	7,8 --------- 3,9	8 --------- 4	8,4 --------- 4,2	разработка алгоритмов и модулей автоматического обнаружения, распознавания и сопровождения целей на основе информации, получаемой радио- и оптико-электронными каналами различного спектрального диапазона комплексиро- ванных систем; создание комплекта эксперимен- тальных образцов модулей автоматического обнаружения, распознавания и сопровождения целей и проведение их испытаний
51.	Разработка жидкофазных и МОС-гидридных эпитаксиальных структур материала "кадмий-ртуть-теллур" для крупноформатных матричных фотоприемников на спектральные диапазоны 3 ... 5 и 8. . .12 мкм	3 --------- 1,5	40,4 --------- 20,2	6,6 --------- 3,3	13,6 --------- 6,8	10 --------- 5	10,2 --------- 5,1	разработка жидкофазных эпитаксиальных структур материала "кадмий-ртуть-теллур" с высоким уровнем параметров,
								пригодных для промышленного производства матричных ФПУ на спектральные диапазоны 3 ... 5 и 8 ... 12 мкм
52.	Разработка типоразмерного ряда микрокриогенных систем с повышенным ресурсом работы для охлаждения матричных фотоприемных устройств нового поколения	-	26,8 --------- 13,4	2,6 --------- 1,3	7,8 --------- 3,9	8,2 --------- 4,1	8,2 --------- 4,1	создание типоразмерного ряда микрокриоген- ных систем (МКС), обеспечивающих температурный режим работы нового поколения матричных фотоприемных устройств различных форматов для спектральных диапазонов 3. . .5 и 8. . .12 мкм. Основные характеристики: холодопроизводи- тельность 0,4... 1,2 Вт; тип МКС интегральный, Сплит-Стирлинг; ресурс работы - не менее 20000 час
53.	Разработка базовых модулей охлаждения на основе термоэлектрических охладителей, в том числе на основе явлений в квантовых ямах, для фотоприемников и фотоприемных устройств ИК-диапазона	-	6,2 --------- 3,1	0,6 --------- 0,3	1,8 --------- 0,9	1,8 --------- 0,9	2 --------- 1	создание базовых модулей охлаждения на основе термоэлектри- ческих охладителей (ТЭО) для фотоприемников и фотоприемных устройств (МОФ) с улучшенными ТТХ, в том числе по энергопотреб- лению, весу и габаритам, конкурентоспо- собных на внешнем рынке (МОФ на основе термоэлектри- ческих охладителей на базе Bi2 ТеЗ, Sb2 ТеЗ и твердых растворов Bi - Те- Se - Sb, в том числе с использованием новых квантоворазмер- ных явлений)
54.	Разработка ультрафиолетового ЭОП на основе фотокатодов с отрицательным электронным сродством	-	9,6 --------- 4,8	0,8 --------- 0,4	2,4 --------- 1,2	2,8 --------- 1,4	3,6 --------- 1,8	создание ЭОП на спектральный диапазон от 0,2 мкм до 0,4 мкм на основе принципиально нового фотокатода с отрицательным электронным сродством


55.	Разработка высокочувствительного фотоэлектрического инфракрасного модуля для лазерных систем круглосуточного видения	-	17,2 --------- 8,6	1,4 --------- 0,7	5,2 --------- 2,6	5,2 --------- 2,6	5,4 --------- 2,7	создание инфракрасного фотоэлектри- ческого модуля на основе ЭОП с фотокатодом на структурах А3В5 с барьером
								Шоттки, чувствительного в спектральном диапазоне от 0,9 мкм до 2,0 мкм и работающего в активно-импульсном режиме совмест- но с импульсным лазером для электронных систем повышенной дальности действия, в том числе для обнаружения и распознавания воздушных объектов на дальностях свыше 30 км, а также для медицинской техники, дифференци- альной диагностики в онкологии, маммографии, оптической томографии и др.
56.	Разработка высокоэффективных ЭОП на основе фотокатодов, чувствительных в спектральном диапазоне от 0,9 мкм до 1,65 мкм	-	70,4 --------- 35,2	-	23,4 --------- 11,7	23,4 --------- 11,7	23,6 --------- 11,8	создание высокоэффек- тивного инфракрасного ЭОП с квантовой эффективностью более 5% на длине волны лямбда = 1,54 мкм для оптико-электронных систем с повышенной помехозащи- щенностью и обнаружитель- ной способностью, дальность действия которых в ночных условиях на 60% больше, чем у аналогичных систем на основе ЭОП третьего поколения для создания принципиально нового класса приборных комплексов и систем двойного назначения
57.	Создание межотраслевой интегрированной базы данных по исследованиям и разработкам ИК-систем и приборов двойного назначения	-	18,4 --------- 9,2	1,8 --------- 0,9	5,2 --------- 2,6	5,6 --------- 2,8	5,8 --------- 2,9	разработка методологии оценки перспективности исследований и разработок, проводимых в рамках межведомствен- ной целевой программы "Развитие инфракрасной техники на 2002-2006 годы", создание информационно-аналитической базы данных, имеющихся в данной области разработок
58.	Разработка и освоение технологии мелкоструктурных МКП с повышенной	0,8 --------- 0,4	5,6 --------- 2,8	1 --------- 0,5	1,4 --------- 0,7	1,4 --------- 0,7	1,8 --------- 0,9	разработка МКП с повышенной информатив- ностью свыше 80
	информативностью для ЭОПов четвертого поколения, предназначенных для перспективной техники ночного видения							штр/мм, улучшенными пороговыми характеристиками (фактор шума - не более 1,5), долговечностью более 5 тыс. ч, термостой- костью более 550° С
59.	Разработка базовой технологии производства полупроводниковых индикаторов нового поколения в широкой видимой области спектра на основе антистоксовых люминофоров	1 --------- 0,5	6,6 --------- 3,3	1 --------- 0,5	1,8 --------- 0,9	1 --------- 0,9	2 --------- 1	создание нового поколения высокоэффектив- ных индикаторов мирового уровня расширенного диапазона свечения для широкого применения в народнохозяйст- венной и специальной аппаратуре
60.	Разработка новых технологий фотоники и оптоэлектроники на полупроводниковых гетероструктурах	9 --------- 4,5	88,6 --------- 44,3	9 --------- 4,5	25,4 --------- 12,7	26,6 --------- 13,3	27,6 --------- 13,8	разработка принципиально новых систем фотонной обработки информации с производитель- ностью, многократно превышающей предельную производитель- ность электронных информационно-обрабатываю- щих систем (в том числе разработка технологии выращивания функциональных полупроводни- ковых гетероструктур, диагностика и сертификация функциональных параметров, создание образцов систем); создание на основе полупроводни- ковых гетероструктур новых типов оптоэлектронных компонентов
61.	Разработка охлаждаемых полупроводниковых структур и устройств на их основе, технологий производства крупноформатных матричных фотоприемных комплексов на основе фотодиодов из теллурида кадмия-ртути, двухцветных матричных фотоприемников на гетероструктурах с квантовыми ямами ИК-диапазона спектра (3...5 и 8... 12 мкм). Разработка базовой системы автоматизированного проектирования охлаждаемых матричных фотоприемных устройств	10,8 --------- 5,4	105,8 --------- 52,9	12,8 --------- 6,4	27,4 --------- 13,7	32 --------- 16	33,6 --------- 16,8	создание светочувствительных многоэлемент- ных структур, охлаждаемых фотоприемных устройств, в том числе двухцветных субматричных фотоприемников; создание базовой системы автоматизиро- ванного проектирования охлаждаемых матричных фотоприемных устройств
62.	Разработка гетероэпитаксиальных структур фоточувствительных слоев полноформатной ИК-матрицы и производственно-технологического базиса создания фотоприемных устройств с использованием современных кремниевых мультиплексоров	1 --------- 0,5	6,6 --------- 3,3	1 --------- 0,5	1,8 --------- 0,9	1,8 --------- 0,9	2 --------- 1	организация серийного производства типового ряда тепловизионной техники двойного назначения в спектральной области 3 ... 5 мкм с чувствитель- ностью на уровне лучших зарубежных аналогов (не более 5 х Вт/)
63.	Разработка МОС-гидридных эпитаксиальных полупроводниковых гетероструктур	-	14,8 --------- 7,4	1,4 --------- 0,7	4,2 --------- 2,1	4,4 --------- 2,2	4,8 --------- 2,4	развитие МОС-гидридной эпитаксии позволит наладить выпуск высококачест- венных гетероструктур на соединениях InGaAlAs(P) с толщинами квантовых ям до 10 А и планарной однородностью электро-физических и оптических характеристик на уровне 1% для производства на их основе квантово-каскадных лазеров среднего ИК-диапазона, фотокатодов для электронно-оптических преобразовате- лей
64.	Разработка протяженных активных элементов длиной до 120 мм из кристаллов KYW:Tm	-	6,6 --------- 3,3	0,6 --------- 0,3	1,8 --------- 0,9	2,2 --------- 1,1	2 --------- 1	создание активных элементов длиной 120 мм, генерирующих в диапазоне 1,85-1,95 мкм из кристаллов KYW:Tm в безопасном для глаз диапазоне
65.	Разработка нелинейно-оптического материала на основе монокристаллов (Cd-Hg)Ga2 (S-Se) 4	-	7 --------- 3,5	0,6 --------- 0,3	1,8 --------- 0,9	2,2 --------- 1,1	2,4 --------- 1,2	разработка нелинейно-оптического материала на
								основе монокристаллов (Cd-Hg) Ga2 (S-Se) 4 заданной концентрации с оптимизирован- ными свойствами для конкретных заданных типов взаимодействия с целью разработки генераторов суммарной частоты и параметрических преобразовате- лей частоты
66.	Разработка мощных одиночных полупроводниковых лазеров (до 10 Вт), лазерных линеек (50-150 Вт) и матриц (свыше 1 кВт), работающих в непрерывном режиме	-	37,4 --------- 18,7	3,8 --------- 1,9	11 --------- 5,5	11,2 --------- 5,6	11,4 --------- 5,7	создание мощных источников накачки лазерных кристаллов на диапазон длин волн 0,78-1,06 мкм с КПД ~50% м для систем специального назначения, а также для использования в промышленных технологических установках
67.	Создание мощного широкодиапазонного фемтосекундного лазерного излучателя на твердотельных активных средах с диодной накачкой	-	46,2 --------- 23,1	4,6 --------- 2,3	13,4 --------- 6,7	14 --------- 7	14,2 --------- 7,1	создание фемтосекундно- го лазерного излучателя с диодной накачкой, энергией в импульсе до 100 мДж при длительности 20-30 фс
68.	Создание твердотельных лазерных модулей с полупроводниковой накачкой непрерывного излучения мощностью до 10 Вт с длинами волн 0,4-0,7 мкм	-	16,4 --------- 8,2	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5	5,2 --------- 2,6	разработка высокоэффектив- ных высокоресурс- ных многоцветных (видимого диапазона) лазерных модулей с полупроводни- ковой накачкой для информацион- ных, технологических и медицинских целей, а также в интересах комплексов специального назначения
69.	Разработка и создание типового ряда непрерывных твердотельных лазеров с накачкой линейками лазерных диодов средней мощностью до 100 Вт	-	16,4 --------- 8,2	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5	5,2 --------- 2,6	создание модульной конструкции излучателя, позволяющей наращивать мощность от 10 до 100 Вт выходного излучения на осевом типе колебаний с дифракционной расходимостью КПД излучателя - более 50% от мощности накачки
70.	Разработка и создание базовой модели технологического лазерного излучателя средней мощностью 1 кВт на основе кристаллических активных сред с накачкой полупроводниковыми лазерами	-	27 --------- 13,5	2,6 --------- 1,3	7,8 --------- 3,9	8,2 --------- 4,1	8,4 --------- 4,2	создание экономичных мощных кристаллических источников лазерного излучения мощностью до 1 кВт с полупроводнико- вой накачкой для применения в различных технологиях
71.	Разработка микролазеров на основе активированных монокристаллических оптических волокон и пленочных структур	-	6,8 --------- 3,4	0,6 --------- 0,3	1,8 --------- 0,9	2 --------- 1	2,4 --------- 1,2	разработка микролазеров для диапазонов 1,3-1,5 мкм и 3,0 мкм с диодной накачкой с целью применения в медицине, технике и телекоммуника- циях


72.	Создание ряда высокоэффективных непрерывных и импульсно-периодических газовых лазеров УФ-, видимого и ИК-диапазонов для использования в лазерных технологиях различного назначения. Разработка нормативной базы	-	33,2 --------- 16,6	-	11 --------- 5,5	11 --------- 5,5	11,2 --------- 5,6	создание: эксимерных лазеров ультрафиолето- вого диапазона спектра на длинах волн 157 нм, 193 нм, 248 нм и 308 нм с энергией в импульсе до 200 МДж для отжига и кристаллизации поверхностей полупроводни- ковых материалов; микроструктур, а также реализации новых методов лечения заболеваний в области кардиохирургии, дерматологии, офтальмологии и др.; опытных образцов цельнометал- лических компактных отпаянных -лазеров с ресурсом не менее 10000 часов, в том числе волноводных лазеров с планарной геометрией с ВЧ разрядом с мощностью до 1 кВт для технологии и медицины и перестраивае- мых лазеров с ВЧ разрядом с компьютерным управлением для спектроскопи- ческих применений, включая лидары (аналоги отсутствуют); ряда щелевых отпаянных -лазеров с уровнем выходной
								мощности от 0,1 до 1,5 кВт, ряда образцов лазеров на парах меди с уровнем выходной мощности от 10 до 100 Вт и технологии их изготовления, создание образцов лазерных технологических комплексов на основе щелевых -лазеров и лазеров на парах меди; типового ряда -лазеров с ВЧ-накачкой активной среды с мощностью 1,5; 2,5 и 5 кВт, ресурсом работы более 5000 часов, стабильностью излучения не менее 2% и расходимостью дифракционного качества
73.	Разработка перспективной элементной базы для лазерных локаторов дальнего действия	-	56,2 --------- 28,1	5,8 --------- 2,9	16,6 --------- 8,3	16,8 --------- 8,4	17 --------- 8,5	разработка базовых модулей, определяющих основные характеристики лазерных локаторов и информационных лазерных комплексов, в том числе: 3-координатных приемных модулей с чувствитель- ностью до 3 х 10-17 Дж; гибридных телевизионных приемных модулей с чувствитель- ностью до 3 х 10-18 Дж на элемент; быстродейству- ющих сканирующих устройств с полосой пропускания не менее 1 кГц и апертурой 20-200 млм; модулей усиления лазерного сигнала с энергией в импульсе 10-14 - 10-12 до значения 1 Дж на основе явления вынужденного рассеивания в нелинейных средах. Внедрение создаваемых ключевых элементов в новые комплексы позволит в 5... 10 раз
								уменьшить ошибки слежения комплексов за динамическими объектами, сократить время обзора контролируемого пространства, увеличить дальность наблюдения
74.	Разработка лазерных стереодатчиков для робототехнических комплексов, лазерных дальномеров	-	21,8 --------- 10,9	2,2 --------- 1,1	6,4 --------- 3,2	6,6 --------- 3,3	6,6 --------- 3,3	создание лазерных стереодатчиков с точностью измерения дальности 0,1-0,3% позволит на порядок сократить время измерительных операций в машинострое- нии, на транспортных магистралях, в медицине (например, при изготовлении ортопедических изделий), обеспечить автоматизацию управления полетов летательных аппаратов на сверхмалых высотах и при посадке
75.	Разработка новых высокоэффективных оптических сред на основе кристаллов германия, двойных вольфраматов и боратов, алюминиевой шпинели, нелинейного кристалла КРТ, халькогенидных стекол и стекол на основе сульфидов цинка и свинца	-	16,4 --------- 8,2	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5	5,2 --------- 2,6	создание нового класса кристаллов для крупногабарит- ных оптических окон, проходной оптики, работающей в экстремальных условиях, для видимого и ИК-диапазонов и микролазеров с диодной накачкой
76.	Совершенствование технологии производства оптического волокна и оптоволоконных датчиков, в том числе активного волокна, волноводных планарных и канальных структур на различных материалах	8,4 --------- 4,2	55 --------- 27,5	8,4 --------- 4,2	14,8 --------- 7,4	15,8 --------- 7,9	16 --------- 8	создание промышленных образцов оптического волокна для линий связи со сверхнизкими потерями и оптических линий передачи информации; создание образцов датчиков физических величин для контроля производствен- ных процессов в машиностроении, атомной энергетике, химической промышлен- ности; разработка базовой технологии получения активного волокна, позволяющего усиливать
								оптические сигналы в магистральных линиях связи, что позволит увеличить расстояния между ретрансляторами до 200 км
77.	Разработка гаммы оптических волокон с повышенными оптическими и механическими характеристиками	-	14,8 --------- 7,4	-	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5	5,2 --------- 2,6	создание двулучепрелом- ляющего одномодового волокна с повышенной устойчивостью к изгибам и высокопрозрач- ного в УФ-области низкодисперси- онного волокна для диагностики плазмы
78.	Разработка радиационностойких стекол с особыми оптическими и термооптическими свойствами для высокоразрешающих аэрокосмических фотографических объективов	-	14,8 --------- 7,4	-	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5	5,2 --------- 2,6	разработка номенклатуры стекол, необходимой для создания космической оптики; расширение номенклатуры атермальных стекол для упрощения конструкции изделия, уменьшения требований по термостабили- зации космического комплекса в целом
79.	Разработка особо чистых веществ для новых марок оптических стекол	-	22,4 --------- 11,2	2,2 --------- 1,1	6,4 --------- 3,2	6,8 --------- 3,4	7 --------- 3,5	создание новых химических продуктов для получения оптических стекол с повышенными характеристи- ками
80.	Разработка образцов сравнения и лазерных отражателей с высокими эксплуатационными свойствами в УФ-, видимой и ИК-областях спектра на базе высокоотражающих диффузионных материалов	-	12 --------- 6	1,2 --------- 0,6	3,6 --------- 1,8	3,6 --------- 1,8	3,6 --------- 1,8	разработка и опытное производство образцов высокоэффек- тивных отражателей для твердотельных лазеров видимого и ближнего ИК-диапазонов и элементной базы оптико-электронных приборов (интегрирующие сферы, ламбертовские ослабители, стандартные образцы сравнения и т.д.); повышение эффективности твердотельных лазеров, увеличение ресурса их работы, снижение себестоимости и возможность создания фотометричес- ких и спектрофото- метрических приборов нового поколения
81.	Разработка одномодового волокна на основе фотоннокристаллических структур	-	15,4 --------- 7,7	1,2 --------- 0,6	3,6 --------- 1,8	3,6 --------- 1,8	7 --------- 3,5	создание фотоннокрис- таллических структур и разработка на их основе оптического волокна, позволяющего реализовать одномодовый режим распределения в широком спектральном диапазоне
82.	Создание фотолитографического объектива для тиражирования сверхбольших интегральных схем с элементами разрешения 0,15-0,18 мкм и стенда для его сборки, юстировки и испытаний	-	33,2 --------- 16,6	3,2 --------- 1,6	9,6 --------- 4,8	9,8 --------- 4,9	10,6 --------- 5,3	разработка объективов на основе отечественного флюорита для формирования изображения на длине волны 193 нм (эксимерный лазер)
83.	Разработка управляемых интерференционных тонкопленочных элементов на основе явления фазового перехода полупроводник-металл в тонких слоях оксида ванадия и их модификациях, полученных за счет интегрирования с другими родственными материалами	-	12,6 --------- 6,3	1,2 --------- 0,6	3,6 --------- 1,8	3,6 --------- 1,8	4,2 --------- 2,1	создание управляемых интерференци- онных покрытий и элементов на их основе, обеспечивающих исключение возможной взаимной диффузии и химических реакций между слоями и подложкой в условиях высоких температур и с глубоким подавлением мешающего излучения в видимой и ближней ИК- областях спектра
84.	Разработка новых оптических клеев для склеивания оптических элементов между собой и с элементами конструкций приборов назначения	-	16,4 --------- 8,2	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5	5,2 --------- 2,6	восстановление производства оптических клеев, не уступающих зарубежным аналогам


85.	Разработка оптоэлектронных модулей с использованием методов Фурье-спектрометрии, в том числе многоканальных	-	16,4 --------- 8,2	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5	5,2 --------- 2,6	разработка средств контроля и мониторинга атмосферы земной и водной поверхности по выявлению выбросов опасных, в том числе отравляющих, газов в чрезвычайных ситуациях, утечек газопроводов, аномалий распределения природных газов и др.
86.	Разработка стенда метрологии функциональных характеристик элементов терагерцовой фотоники, спинтроники и ИК-оптоэлектроники на полупроводниковых гетероструктурах	-	16,4 --------- 8,2	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5	5,2 --------- 2,6	разработка методов и создание аппаратуры для измерения функциональных характеристик полупроводниковых гетероструктур и системного моделирования функций: (i) -параллельной оптической логики, (ii) - квантовой (фотонной) логики, (iii) - оперативной оптической памяти, основанной на оптической ориентации спинов, (iv) - чтения битовых и аналоговых (в т.ч. тепловых) изображений и (v) - квантовой голографической телепортации
87.	Разработка акустически управляемых оптоволоконных устройств, электро- и светоуправляемых жидкокристаллических устройств для недисплейных применений, а также голографических технологий создания нейроподобных систем	-	16,8 --------- 8,4	2 --------- 1	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5	5,2 --------- 2,6	создание оптоволоконных устройств (модуляторов, перестраиваемых фильтров) с акустическим управлением параметрами пропускаемого через волокно света на основе пьезоэлектрических пленок ZnO со значительно уменьшенными оптическими потерями и увеличенными функциональными возможностями; применение устройств в оборудовании связи, волоконных интерферометрах, гироскопах, для дальнометрии, нелинейной оптики и др.; создание технологии и изготовление пространственно-временных модуляторов света на основе новых материалов, а также быстродейству- ющих ЖК-модуляторов для использования в системах оптической обработки информации, в т.ч. для записи динамических голограмм
88.	Разработка многослойных оптических покрытий на оптические элементы из материалов, работающих в ИК-области спектра для нового поколения тепловизионных приборов и приборов ночного видения	-	16,4 --------- 8,2	1,6 --------- 0,8	4,6 --------- 2,3	5 --------- 2,5	5,2 --------- 2,6	создание многослойных оптических покрытий деталей из германия, кремния, лейкосапфира, оптической керамики и др., работающих в ИК-области спектра
8. Радиокомпоненты и ЭВП
89.	Разработка типового ряда электровакуумных приборов, коммутационных и пассивных радиоэлектронных компонентов, необходимых для комплектации и модернизации серийно выпускаемых образцов ВВСТ, в том числе: импульсные, модуляторные, генераторные и приемоусилительные лампы; тиратроны; разрядники; фотоэлектронные умножители; электронно-лучевые трубки; магнитоуправляемые контакты	-	68,4 --------- 34,2	6 --------- 3	20 --------- 10	20,8 --------- 10,4	21,6 --------- 10,8	создание перспективных электровакуум- ных приборов, коммутационных и пассивных радиоэлектрон- ных компонентов, позволяющих провести модернизацию существующих образцов ВВСТ с применением современной электронной компонентной базы и возможность разработки электронных систем пятого поколения
90.	Разработка типового ряда перспективных приборов, трансформаторов, устройств на магнитостатических волнах и магнитоэлектрических приборов микроволнового и радиодиапазона, в том числе: высокодобротных резонаторов; фазовращателей и циркуляторов; вентилей и ограничителей; перестраиваемых фильтров; переключателей	-	47,2 --------- 23,6	6 --------- 3	13,2 --------- 6,6	13,8 --------- 6,9	14,2 --------- 7,1	создание ферритовых приборов, устройств на МСВ и трансформато- ров радиодиапазона, позволяющих проводить модернизацию существующих электронных систем и возможность разработки систем пятого поколения
9. Обеспечивающие работы
91.	Разработка информационной среды автоматизированного проектирования СБИС	-	62,8 --------- 31,4	13 --------- 6,5	16 --------- 8	16,6 --------- 8,3	17,2 --------- 8,6	создание баз данных, содержащих библиотеки
	"система на кристалле" и СФ-блоков							моделей для всех уровней проектирования, в том числе и библиотеки СФ-блоков, обеспечивающих процесс сквозного проектирования СБИС специального и коммерческого применения
92.	Разработка межведомственной информационно- аналитической и справочной системы по: вопросам разработки, производства и развития ЭКБ; технологическим маршрутам отечественных и иностранных производителей ЭКБ, библиотек элементов и СФ-блоков; продукции, производимой на иностранных предприятиях на основе отечественных разработок (фотошаблонов); контролю и определению потребностей в закупках иностранной ЭКБ и обеспечению централизованных закупок	-	39,2 --------- 19,6	8 --------- 4	10 --------- 5	10,4 --------- 5,2	10,8 --------- 5,4	обеспечение межведомст- венной координации по вопросам разработки, производства и развития перспективной ЭКБ, в том числе унифицирован- ной базы данных по технологическим маршрутам отечественных и иностранных производителей ЭКБ, библиотек элементов и СФ-блоков, порядку учета и использованию библиотек, разработанных Центрами проектирования, в том числе для продукции, производимой на иностранных предприятиях на основе отечественных разработок (фотошаблонов)
93.	Создание комплекса основополагающих стандартов по обеспечению качества, надежности и конкурентоспособности перспективных ЭРИ на основе сопоставительного анализа требований российских и международных стандартов (MIL STD, НАТО, МЭК, ИСО и др.) на электронные компоненты	-	32,2 --------- 16,1	7 --------- 3,5	8 --------- 4	8,4 --------- 4,2	8,8 --------- 4,4	прямое внедрение международных стандартов и актуализации действующего фонда нормативных документов. Комплекс основополагаю- щих стандартов, обеспечивающих создание нового поколения документов на поставку ЭРИ
94.	Разработка комплекса средств измерений и эталонов, реализующих требования российских и международных стандартов на ЭРИ, в том числе стандартов MIL STD, НАТО, МЭК и ИСО	-	25,2 --------- 12,6	-	8 --------- 4	8,4 --------- 4,2	8,8 --------- 4,4	создание средств измерений и эталонов на базе перспективных технологий, обеспечивающих требуемую точность, сходимость и воспроизводи- мость результатов измерений и испытаний
95.	Разработка новых и совершенствование существующих методов испытаний на ВВФ и контроля качества ЭРИ нового поколения, в том числе субмикронной и нанотехнологии, акустоэлектроники, оптоэлектроники, твердотельных СВЧ-изделий. Разработка критериев оценки годности изделий с применением современных методов и средств физико-технического анализа и неразрушающего контроля	-	25,2 --------- 12,6	-	8 --------- 4	8,4 --------- 4,2	8,8 --------- 4,4	комплекс нормативных документов, регламентирую- щих методы испытаний и контроля ЭРИ нового поколения и критерии оценки их годности по результатам испытаний
96.	Создание и внедрение нового поколения основополагающих стандартов, в том числе по: проектированию СБИС "система на кристалле" на основе СФ-блоков, в том числе и на основе международной кооперации; надежности и качеству; экологической безопасности; экономической рентабельности производства/ CALS- технологии	-	30,2 --------- 15,1	5 --------- 2,5	8 --------- 4	8,4 --------- 4,2	8,8 --------- 4,4	нормативно-техническое обеспечение электронной компонентной базы и систем на ее основе, в том числе: описание характеристик и форматов передачи; тестирование СФ-блоков в составе СБИС "система на кристалле"; защита интеллектуаль- ной собственности; порядок включения в состав СБИС "система на кристалле"
Инвестиционные проекты (капитальные вложения*)
________________ * Без изменения сметной стоимости проектов.
97.	Организация серийного производства световозвращающих пленок в ГУП "НПО "Астрофизика", г.Москва	-	46,8 --------- 46,8	-	15 --------- 15	15,6 --------- 15,6	16,2 --------- 16,2	освоение выпуска световозраста- ющих пленок двойного применения, не уступающих по техническому уровню лучшим мировым аналогам. Планируемый годовой объем выпуска - 1,5 млн. кв. м
98.	Техническое перевооружение производства оптоэлектронных систем и элементов, работающих в спектральном диапазоне от ультрафиолетового до инфракрасного в ГУП "ВНЦ "ГОИ им.С.И.Вавилова", г.Санкт-Петербург	-	46,9 --------- 46,9	-	15 --------- 15	15,6 --------- 15,6	16,3 --------- 16,3	выпуск оптоэлектронных систем наблюдения высокого пространствен- ного и спектрального разрешения аэрокосмичес- кого базирования с ресурсом эксплуатации до 10 лет
99.	Создание производственных мощностей под выпуск сверхбыстродействующих интегральных схем в ОАО "Ангстрем-2М", г.Москва	140 --------- 140	10,1 --------- 10,1	10,1 --------- 10,1	-	-	-	создание сверхчистого производства для обеспечения потребности отечественного рынка в сверхбольших интегральных схемах с топологическими нормами 0,35-0,5 микрона для использования в специальных видах электронной техники и в различных отраслях промышленнос- ти и народного хозяйства
100.	Создание межотраслевого центра проектирования СБИС "система на кристалле" с последующей организацией распределенной структуры сети отраслевых центров проектирования системного уровня в ФГУП "НИИМА "Прогресс", г.Москва	-	58 --------- 58	-	20 --------- 20	19 --------- 19	19 --------- 19	ускоренная разработка основной номенклатуры СБИС "система на кристалле"
101.	Создание центра изготовления фотошаблонов для субмикронного производства СБИС на отечественных и зарубежных "кремниевых мастерских" в ОАО "Российская электроника"	-	166,9 --------- 166,9	-	50 --------- 50	56,6 --------- 56,6	60,3 --------- 60,3	обеспечение национальной безопасности страны при разработке и модернизации стратегически значимых систем ВВСТ
102.	Создание центра проектирования перспективной электронной компонентной базы в ГП "НИИ ЭТ", г.Воронеж	-	28 --------- 28	-	10 --------- 10	9 --------- 9	9 --------- 9	ускоренная разработка основной номенклатуры СФ-блоков
103.	Создание центра проектирования перспективной электронной компонентной базы в ГУП "НПЦ "Элвис", г.Москва	-	28 --------- 28	-	10 --------- 10	9 --------- 9	9 --------- 9	создание государственно- го центра по регулированию и контролю для определения потребности в закупках иностранной ЭКБ, осуществлению закупок и применению ЭКБ в ГУП "НПЦ "Элвис"
	Всего по разделу II, в том числе:	528,6 --------- 334,3	5312,7 --------- 2848,7	692,7 --------- 351,4	1480 --------- 800	1539,2 --------- 832	1600,8 --------- 865,3
	НИОКР	388,6 --------- 194,3	4928 --------- 2464	682,6 --------- 341,3	1360 --------- 680	1414,4 --------- 707,2	1471 --------- 735,5
	капитальные вложения	140 --------- 140	384,7 --------- 384,7	10,1 --------- 10,1	120 --------- 120	124,8 --------- 124,8	129,8 --------- 129,8


III. Технологии вычислительных систем
Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
104.	Разработка технологий производства и монтажа электронных модулей на частоте 800-1200 МГц	12,8 --------- 6,4	51,2 --------- 25,6	9,6 --------- 4,8	13 --------- 6,5	13,6 --------- 6,8	15 --------- 7,5	создание производствен- ных участков для выпуска электронных модулей на частоте 800-1200 МГц, необходимых для производства современных конкурентоспо- собных электронных устройств вычислительной техники и средств автоматизации; повышение качества годных МПП и модулей, позволяющих снизить их себестоимость; экономический эффект - сотни миллионов рублей, в том числе за счет отказа от импорта готовых электронных устройств; повышение технологической независимости страны
105.	Развитие технологий разработки системного и прикладного программного обеспечения	11,4 --------- 5,7	67,4 --------- 33,7	4,6 --------- 2,3	20 --------- 10	21 --------- 10,5	21,8 --------- 10,9	создание задела по направлениям: 1) технологии
								представления спецификаций параллельных и распределенных компьютерных комплексов, операционных систем и предметных областей для основных классов компьютерных приложений; 2) технологии баз знаний; 3) технологии параллельного программирова- ния; 4) технологии взаимодействия "человек - компьютер", включая технологии виртуальной реальности. Создание интегрирован- ных открытых компьютерных сред для проектирования системных и прикладных программных продуктов, обеспечивающих поддержку концептуального проектирования программ, методологии RAD, коллективного проектирования, а также реализации в программных продуктах технологий баз знаний и новейших моделей взаимодействия "человек - компьютер"; создание комплексной технологической оснастки российской индустрии программного обеспечения, позволяющего создавать программные продукты мирового уровня; экономический эффект - сотни миллионов рублей.
106.	Исследование архитектур, разработка и подготовка производства микропроцессоров и микропроцессорных СБИС для высокопроизводительных компьютеров и вычислительных комплексов	11,4 --------- 5,7	51 --------- 25,5	6,2 --------- 3,1	14 --------- 7	15 --------- 7,5	15,8 --------- 7,9	в результате выполнения работ будет актуализирована технология проектирования СБИС и получена технологическая документация для производства комплектов СБИС и микропроцессоров для компьютеров, в том числе:
								комплекта СБИС для обработки сигналов и изображений, процессоров сигналов, СБИС для нейрокомпью- теров, микропроцес- соров реального времени, СБИС для межпроцессор- ных коммутаторов
107.	Разработка технологий создания компьютеров и вычислительных комплексов высокой и сверхвысокой производительности, нейрокомпьютеров и адаптивных вычислительных систем	46 --------- 23	208,2 --------- 104,1	59 --------- 29,5	48,4 --------- 24,2	50 --------- 25	50,8 --------- 25,4	разработка кластерных компьютерных систем на основе электронных и оптоэлектронных коммутаторов, бинарных компьютеров на базе эмуляционных комплектов СБИС; суперкомпьютеров и рабочих станций на основе сигнальных микропроцессоров с быстродействием до 100 Тфлопс на универсальных микропроцессорах и 10 млрд. oп/сек на сигнальных; нейрокомпьютеры на основе аналого-цифровых и цифровых нейрочипов; ряда управляющих микросупер-ЭВМ для адаптивных ИВС с элементами искусственного интеллекта, высокопроиз- водительных вычислительных комплексов с самоорганизую- щимися ОС на основе использования виртуальной сенсорики; реализация технологии LONWORKS, разработка программно-технического комплекса (ПТК), позволяющего сократить затраты на промышленную разведку и освоение нефтегазовых залежей за счет реализации трехмерных моделей; создание ПТК для сетевой структуры систем управления воздушными и морскими судами по технологии автоматического наблюдения с системой
								"ГЛОНАСС/GPS"; разработка многоканального регистратора с использованием активной защиты и твердотельного накопителя, позволяющего в малых габаритах осуществить сохранность информации при воздействии высоких температур (t = 11000° С) и больших ударных нагрузок; создание базовых модульных вычислительных средств для построения сверхпроизво- дительных вычислительных комплексов гидроакустичес- ких систем подводных и надводных кораблей
108.	Создание и развитие перспективных операционных систем и СУБД	7,8 --------- 3,9	46,8 --------- 23,4	10 --------- 5	12 --------- 6	12 --------- 6	12,8 --------- 6,4	создание операционных систем для перспективных аппаратных платформ, обеспечивающих высокую степень защиты информации и обладающие следующими свойствами: мобильность, поддержка Интернет-технологий и режима реального времени, реализация многопроцес- сорного и многопотокового режимов работы, в том числе унифицирован- ная гибконастраива- емая операционная система для адаптивных вычислительных систем с элементами искусственного интеллекта; обеспечение лицензионной чистоты программных продуктов и воспроизведе- ния международных стандартов на программные интерфейсы и интерфейсы представления данных
	Всего по разделу III	89,4 --------- 44,7	424,6 --------- 212,3	89,4 --------- 44,7	107,4 --------- 53,7	111,6 --------- 55,8	116,2 --------- 58,1
	в том числе НИОКР	89,4 --------- 44,7	424,6 --------- 212,3	89,4 --------- 44,7	107,4 --------- 53,7	111,6 --------- 55,8	116,2 --------- 58,1
IV. Технологии телекоммуникаций
Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
109.	Разработка технологий создания перспективных интегрированных систем и комплексов связи (спутниковой, радиорелейной радиосвязи) и передачи данных для стационарных и подвижных объектов (авиационных, морских и сухопутных)	64,0 --------- 32,0	284 --------- 142	58 --------- 29	68 --------- 34	78 --------- 39	80 --------- 40	обеспечение взаимодействия систем и комплексов спутниковой (с цифровой обработкой информации и многолучевыми антеннами на борту космических аппаратов), цифровой и аналого-цифровой радиорелейной и радиосвязи, в том числе на транспортных средствах сухопутного, воздушного, морского базирования; разработка локальных бортовых информацион- ных сетей на базе ВОЛС (в международном стандарте ARING636); создание конкурентоспо- собного отечественного оборудования, повышение безопасности полетов; уменьшение номенклатуры программно-аппаратных средств в 1,5 раза; снижение массогабарит- ных характеристик и энергопотреб- ления в 1,5-2 раза; внедрение низкоэнергети- ческих станций спутниковой связи, обеспечение информацион- ной совместимости стационарных и подвижных средств связи, в том числе на транспортных средствах сухопутного, воздушного и морского базирования;
								снижение эксплуатационных расходов на обслуживание оборудования; сохранение существующих и создание новых (2,5-3 тыс.) рабочих мест
110.	Разработка технологий создания цифровых высокоскоростных систем и комплексов передачи информации по волоконно-оптическим линиям связи, систем связи на основе ATM- технологий, аппаратно-программных средств адаптивных звукотехнических комплексов с использованием средств мультимедиа	60,0 --------- 30,0	270 --------- 135	60,0 --------- 30,0	66,0 --------- 33,0	70,0 --------- 35,0	74,0 --------- 37,0	разработка (в соответствии с утвержденной Правительством Российской Федерации Концепцией развития рынка телекоммуника- ционных услуг Российской Федерации на 2001-2010 годы) оборудования для применения на взаимоувязанной сети связи России и ведомственных сетях с учетом поэтапного перевода существующих сетей на новые технологии, в том числе технических средств подвижной транкинговой радиосвязи для обеспечения связи муниципальных служб, скорой помощи, аварийных служб и т.п.; создание комплекса оборудования для широкополосных цифровых сетей интегрального обслуживания на базе ATM-технологий как одного из стратегических направлений развития сетей связи общего пользования, корпоративных и ведомственных сетей, средств абонентского доступа, обеспечение требований их информационной безопасности; обеспечение импортозамеще- ния; создание новых рабочих мест: 0,5 тыс. человек - в науке, 2,5 тыс. человек - в промышленности
111.	Разработка технологий создания систем и комплексов цифрового телевизионного и радиовещания	68,0 --------- 34,0	132 --------- 66	48 --------- 24	42 --------- 21	22 --------- 11	20 --------- 10	разработка профессиональ- ной студийной передающей аппаратуры и
								абонентского оборудования для работы в перспективных сетях телевизионного и радиовещания, соответствующих общеевропейским стандартам. В 2002-2004 годах - создание опытных зон (гг.Нижний Новгород, Санкт-Петербург, Москва), в 2005-2006 годах -интеграция опытных зон в общероссийскую сеть и в международные сети цифрового телевизионного вещания; обеспечение интерактивного режима в целях предоставления нового вида услуг населению (многопрограм- мность, повышение качества изображения и звука, Интернет, заказ программ, электронные платежи и др.); адаптация международных стандартов к условиям России; передача сигналов по линиям связи в едином цифровом стандарте независимо от функционального назначения (телефония, передача данных, телевидение, звуковое вещание, мультимедиа и др.) и за счет этого повышение эффективности использования любых линий связи; экономия частотного ресурса в 3-4 раза; организация производства нового сектора массового телевизионного оборудования
112.	Разработка базовых технологий создания массовых абонентских терминалов на основе серийных телевизоров для интерактивного цифрового телевидения с возможностью работы в сети Интернет	-	50 --------- 25	2 --------- 1	10 --------- 5	22 --------- 11	16 --------- 8	разработка массовых мультимедийных абонентских терминалов на базе российских унифицированных телевизоров -мультимедийных абонентских терминалов для представления населению широкого спектра
								услуг в интерактивном режиме, в том числе: - прием аналоговых и цифровых программ вещательного телевидения; - получение мультимедийной информации, передаваемой по каналам цифрового телевидения и сети Интернет; - электронная почта, заказ билетов, товаров и услуг, видео по заказу и другие виды информационного сервиса; - дистанционный мониторинг жилища, интеграция охранных систем и системы безопасности жилища
113.	Разработка технологии создания цифровых передвижных телевизионных комплексов для оперативного сбора, обработки, формирования вещательных программ с мест событий и передачи по интегрированным цифровым каналам связи (спутниковым, радиорелейным, кабельным)	-	44 --------- 22	6 --------- 3	8 --------- 4	12 --------- 6	18 --------- 9	разработка цифровых передвижных телевизионных комплексов для работы в перспективных сетях телевизионного вещания по европейским стандартам с применением современных отечественных технических средств обработки аудио-, видеоинформа- ции, каналообразую- щих средств, систем электропитания, технологий термоизоляции, звукоизоляции и т.д. Соответствие создаваемых комплексов международным стандартам, в том числе: - цифровая обработка видеосигналов в соответствии с рекомендациями SMPTE 259-С (SDI); - возможность передачи сформированных программ как по аналоговым, так и по цифровым каналам связи (DVB, MPEG-2); количество одновременно работающих телевизионных видеокамер до двадцати;
								- широкий набор изобразительных средств (видеоэффектов, титров и др.) - применение дисковой видеозаписи; - цифровая обработка звука
114.	Разработка базовых технологий создания цифровых систем технологического телевидения для различных отраслей экономики	-	16 --------- 8	2 --------- 1	4 --------- 2	4 --------- 2	6 --------- 3	создание нового поколения конкурентоспо- собного российского оборудования цифровых систем технологического телевидения, в том числе для управления производствен- ными процессами в различных отраслях экономики; импортозамеще- ние, сохранение научно-технического потенциала российских разработчиков и производителей
115.	Разработка технологий создания метрологического радиоизмерительного оборудования, в том числе универсальных автоматизированных комплексов на основе магистрально-модульной архитектуры и аппаратуры для контроля параметров и оценки качества каналов связи	5,0 --------- 2,5	105 --------- 52,5	11,0 --------- 5,5	27,6 --------- 13,8	32,4 --------- 16,2	34,0 --------- 17,0	разработка и производство автоматизиро- ванного радиоизмери- тельного метрологического оборудования общего применения для использования как в процессе создания радиоэлектронной аппаратуры (научные и промышленные предприятия), так и в процессе эксплуатации радиоэлектронных систем и комплексов; сохранение отечественного сектора производства современного конкурентоспо- собного радиоизмери- тельного оборудования с ориентацией на создание нового поколения автоматизирован- ных измерительных и диагностических систем на основе модульного принципа построения и приборов для контроля параметров и оценки качества каналов связи; снижение объема закупок
								импортной измерительной техники (импортозаме- щение); сокращение в 1,5-2 раза трудоемкости контрольно-поверочных и регулировочных работ при производстве радиоэлектрон- ного оборудования; повышение качества выпускаемой продукции; экономия электроэнергии в 1,5-2 раза; сохранение квалифицирован- ных кадров
Инвестиционные проекты (капитальные вложения*)
________________ * Без изменения сметной стоимости проектов.
116.	Модернизации стендовой базы для обеспечения испытаний волоконно-оптических линий связи в ГУП "СПО "Арктика", г.Северодвинск	0,3 --------- 0,3	6,2 --------- 6,2	3 --------- 3	1,4 --------- 1,4	1,8 --------- 1,8	-	значительное расширение использования волоконно-оптических линий связи с одновременным улучшением их технических, экономических и эксплуатационных характеристик
	Всего по разделу IV	197,3 --------- 98,8	918,8 --------- 462,5	200 --------- 101,5	230,6 --------- 116	240,2 --------- 121	248 --------- 124
	в том числе:
	НИОКР	197 --------- 98,5	912,6 --------- 456,3	197 --------- 98,5	229,2 --------- 114,6	238,4 --------- 119,2	248 --------- 124
	капитальные вложения	0,3 --------- 0,3	6,2 --------- 6,2	3 --------- 3	1,4 --------- 1,4	1,8 --------- 1,8	-


V. Технологии радиотехнических систем
Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
117.	Разработка и совершенствование цифровых методов и систем обработки сверхширокополосных СВЧ-сигналов в реальном масштабе времени для РТР, РЭП на основе перспективных цифровых, нейрокомпьютерных и нанотехнологий	-	24,2 --------- 12,1	4,6 --------- 2,3	5,8 --------- 2,9	6,8 --------- 3,4	7 --------- 3,5	создание элементов системы, эксперименталь- ных образцов, программного алгоритмического обеспечения САПР, совместимых с CALS-технологиями
118.	Разработка технологии создания радиолокационных и радиотехнических адаптивных систем, функционирующих в сверхширокополосном диапазоне частот и обеспечивающих обработку, запоминание и формирование сигналов по пеленгу и несущей частоте	6 --------- 3	29,2 --------- 14,6	5,6 --------- 2,8	6,8 --------- 3,4	8,4 --------- 4,2	8,4 --------- 4,2	создание технологий разработки радиотехнических систем с улучшенными характеристиками углового и спектрального разрешения для аппаратуры и приборов измерительной техники, систем ближней навигации, для комплексной системы воздействия на каналы распространения электромагнит- ного излучения сверхширокопо- лосного диапазона, защиты объектов от террористов путем радиоэлектронно- го подавления радиоканалов дистанционного подрыва, для информационной защиты объектов; технологии защиты ЛА на основе использования пространственно-помехового комплекса
119.	Разработка и совершенствование базовых технологий (аппаратурно-технических и технологических решений), создание эффективных систем и комплексов радиоэлектронной разведки и подавления радиоэлектронных средств (РЭРП) в целях обеспечения защиты наземных, морских, воздушных и космических объектов	-	26,2 --------- 13,1	5 --------- 2,5	6,2 --------- 3,1	7,4 --------- 3,7	7,6 --------- 3,8	разработка новых принципов синтеза систем РЭРП на базе новейших технологий обработки сигналов, конформных антенных решеток, микро- и СВЧ-технологий, цифровой техники, разработка эксперименталь- ных образцов по наиболее важным направлениям техники (разрабатывае- мые средства не имеют аналогов в мире)
120.	Создание технологии поиска неоднородности в верхнем слое Земли до глубины 100 м на основе комплексирования информации радио- и акустических каналов поверхностно-распределенных датчиков	4 --------- 2	9,2 --------- 4,6	2 --------- 1	2 --------- 1	2,6 --------- 1,3	2,6 --------- 1,3	создание технологий разработки комплексной радиоакустичес- кой системы повышенной мощности панорамного просмотра грунта
								для обнаружения и визуализации неоднородностей в грунте, обнаружения с высоким разрешением малоразмерных неоднородностей (< 0,5 м) с поверхности Земли без предварительного бурения каротажных скважин
121.	Исследование свойств технологии сверхкороткоимпульсной радиолокации с зондирующими сигналами длительностью 5-10 нс, разработка, изготовление и испытание образцов аппаратуры	-	29,2 --------- 14,6	5,6 --------- 2,8	6,8 --------- 3,4	8,4 --------- 4,2	8,4 --------- 4,2	обеспечение решения проблемы обнаружения объектов с малой ЭПР на фоне интенсивных отражений от местности при однозначном измерении координат
122.	Исследование путей создания видеоимпульсных сканирующих антенных решеток применительно к бортовым радиолокационным системам	9,2 --------- 4,6	37,6 --------- 18,8	7,4 --------- 3,7	9,2 --------- 4,6	10 --------- 5	11 --------- 5,5	создание научно-технического задела для нового направления в радиолокации, основанного на современных достижениях полупроводнико- вых генераторов мощных сверхкоротких импульсов и сверхбыстрой обработки сигналов
123.	Разработка и совершенствование базовых технологий (аппаратурно-технических, технологических решений и программно- алгоритмического обеспечения) для создания нового поколения высокоточных помехозащищенных радиоэлектронных средств высокочастотных диапазонов волн	2 --------- 1	23,6 --------- 11,8	4,6 --------- 2,3	5,6 --------- 2,8	6,6 --------- 3,3	6,8 --------- 3,4	создание ряда радиолокацион- ных средств ММДВ; создание конкурентоспо- собной продукции
124.	Разработка конструкторских решений, программно-алгоритмического обеспечения ЦАФАР	0,8 --------- 0,4	8,4 --------- 4,2	1,6 --------- 0,8	2 --------- 1	2,4 --------- 1,2	2,4 --------- 1,2	повышение эффективности РЛС с твердотельной активной ФАР при обнаружении перспективных скоростных, высотных, малоразмерных целей;
								существенное снижение стоимости разработки и производства наземных и бортовых РЛС
125.	Разработка технологии создания единой интегрированной сети сбора, объединения и предоставления радиолокационной информации от обзорных РЛС различного назначения и диапазона волн	8 --------- 4	31,2 --------- 15,6	9,6 --------- 4,8	9,6 --------- 4,8	5,8 --------- 2,9	6,2 --------- 3,1	создание единой информационной сети для обеспечения круглосуточной информацией о воздушной, метеорологичес- кой и надводной обстановке заинтересованные организации
126.	Исследование и разработка технологии создания радиоэлектронного комплекса высокомобильных и стационарных систем обнаружения транспортных средств и пресечения незаконного перемещения наркотиков в интересах различных потребителей	21,8 --------- 10,9	56,8 --------- 28,4	14,6 --------- 7,3	16 --------- 8	13 --------- 6,5	13,2 --------- 6,6	создание принципиально новой системы, использующей радиолокацион- ные, лазерные, магнитно-ядерные, резонансные и другие средства, развертывание которой на одном из направлений нелегальной транспортировки наркотиков может привести к выводу из начального оборота наркотиков на сумму около 1 млрд. долларов США
127.	Исследования и разработка базовой технологии создания и обеспечения функционирования единой унифицированной системы мониторинга окружающей среды на базе комплексов, в том числе с беспилотными летательными аппаратами	15,2 --------- 7,6	32 --------- 16	6,4 --------- 3,2	7,4 --------- 3,7	9 --------- 4,5	9,2 --------- 4,6	разработка комплекса государственных стандартов, определяющих порядок выполнения НИОКР по созданию унифицированной системы мониторинга окружающей среды на базе комплексов с беспилотными летательными аппаратами; разработка базовой технологии создания и совершенство- вания программного обеспечения для создания системы мониторинга
128.	Разработка технологий создания новых высокоэффективных систем подводного наблюдения, в том числе с использованием гидроакустических антенн нового поколения и подводного телевидения	6 --------- 3	29,6 --------- 14,8	6 --------- 3	7,2 --------- 3,6	7,6 --------- 3,8	8,8 --------- 4,4	разработка фрагмента гидроакустической системы для национальной и международной системы мониторинга; внедрение национального фрагмента в международную систему в рамках Договора о всеобъемлющем запрещении ядерных испытаний; создание опытных образцов базовых морских и береговых элементов системы и основных отечественных компонентов: туннельных датчиков давления, комбинированных высокочастотных морских кабелей, приборов предварительной обработки сигналов на базе МКМ-технологии; обеспечение информационной безопасности; поддержание технологического паритета с ведущими иностранными государствами в области создания систем подводного наблюдения
Инвестиционные проекты (капитальные вложения*)
________________ * Без изменения сметной стоимости проектов.
129.	Создание мощностей по выпуску газоразрядных индикаторных панелей для телевизоров с плоским экраном на базе ОАО "Плазма", г.Рязань	10 --------- 10	118,5 --------- 118,5	10,5 --------- 10,5	22 --------- 22	20 --------- 20	66 --------- 66	производство отечественных больших плазменных панелей на базе новых технологий для телевизоров с большим экраном и других средств отображения информации коллективного пользования с равномерным цветным изображением и высокой разрешающей способностью
	Всего по разделу V в том числе:	83 --------- 46,5	455,7 --------- 287,1	83,5 --------- 47	106,6 --------- 64,3	108 --------- 64	157,6 --------- 111,8
	НИОКР	73 --------- 36,5	337,2 --------- 168,6	73 --------- 36,5	84,6 --------- 42,3	88 --------- 44	91,6 --------- 45,8
	капитальные вложения	10 --------- 10	118,5 --------- 118,5	10,5 --------- 10,5	22 --------- 22	20 --------- 20	66 --------- 66
VI. Технологии оптоэлектронных, лазерных и инфракрасных систем
Научно-исследовательские и опытно- конструкторские работы
130.	Исследования и разработка технологий производства твердотельных лазеров с диодной накачкой	12,6 --------- 6,3	59,4 --------- 29,7	12,6 --------- 6,3	21,4 --------- 10,7	12,6 --------- 6,3	12,8 --------- 6,4	создание технологий производства приборов и систем на основе высокоэффектив- ных твердотельных лазеров нового поколения с КПД не ниже 10 процентов, уровнем мощности до 1 кВт для использования в промышленности, медицине, связи и в различных информационных системах
131.	Отработка базовых технологий производства новых марок оптического стекла с заранее заданными свойствами, лазерных стекол, оптических кристаллов, получения оптических керамики и полимерных материалов, отработка технологий оптических покрытий	13,8 --------- 6,9	61,4 --------- 30,7	13,8 --------- 6,9	14 --------- 7	16,6 --------- 8,3	17 --------- 8,5	создание базовых технологий производства новых оптических сред, внедрение в производство новых типов оптических покрытий в обеспечение разработок и производства оптических, оптоэлектронных, лазерных и инфракрасных приборов и систем
132.	Разработка на основе прогрессивных технологий аналитических оптических приборов для решения широкого спектра задач общепромышленного и научного характера в базовых отраслях: металлургии, нефтехимии, машиностроении, лесопромышленном и аграрном комплексах, а также для обеспечения контроля за окружающей средой	11,8 --------- 5,9	66 --------- 33	11,8 --------- 5,9	13,6 --------- 6,8	20,2 --------- 10,1	20,4 --------- 10,2	создание нового поколения спектрофотомет- ров, спектрометров с повышенным разрешением, световых микроскопов, рефрактометров, поляриметров, автоматизирован- ных оптических приборов и систем и др.
133.	Создание прогрессивных технологий и оборудования для обработки кристаллов и асферической оптики	10,6 --------- 5,3	25 --------- 22,5	10,6 --------- 5,3	11,2 --------- 5,6	11,2 --------- 5,6	12 --------- 6	разработка ряда специального оборудования, включающего специальное механизирован- ное и автоматизирован- ное заготовительное оборудование; создание оборудования для обработки и контроля
								параметров заготовок оптических деталей, полирования и доводки, обработки кристаллов, асферической оптики, прецизионной обработки оптических деталей из нетрадиционных материалов; создание новых видов шлифовальных и полировочных материалов и инструментов
134.	Разработка технологии создания сложных полупроводниковых композиций с низкими оптическими потерями, многоэлементных интегральных управляемых излучателей матриц и диэлектрических отражающих и просветляющих покрытий	4 --------- 2	17,2 --------- 8,6	4 --------- 2	4,4 --------- 2,2	4,2 --------- 2,1	4,6 --------- 2,3	создание нового поколения высокоэффектив- ных, компактных, высоконадежных твердотельных и полупроводниковых лазеров, а также высокоточных лазерных гироскопов с круговой и линейной поляризацией
135.	Разработка технологии улучшения угловой расходимости излучения мощных лазеров на основе методов линейной и нелинейной адаптивной оптики	0,8 --------- 0,4	8,2 --------- 4,1	0,8 --------- 0,4	0,8 --------- 0,4	2,8 --------- 1,4	3,8 --------- 1,9	разработка методов и аппаратуры линейной и нелинейной адаптации излучения мощных ИК- лазеров, позволяющих обеспечить расходимость луча более рад; повышение возможности лазерных систем различного назначения и существенное расширение области применения передовых лазерных технологий
136.	Проведение аналитических и прогнозных исследований по обоснованию перспективных направлений развития оптоэлектронных, лазерных и инфракрасных технологий	6,8 --------- 3,4	29,2 --------- 14,6	6,8 --------- 3,4	7 --------- 3,5	7,6 --------- 3,8	7,8 --------- 3,9	анализ и прогнозирование тенденций развития оптоэлектронных, лазерных и ИК-технологий на основе изучения состояния и уровня развития отечественной технологической базы и мировых тенденций развития указанных технологий; разработка предложений по приоритетным направлениям развития критических технологий

О внесении изменений и дополнений в федеральную целевую программу "Национальная технологическая база" на 2002-2006 годы (фактически утратило силу)

Приложение N 1к федеральной целевой программе"Национальная технологическая база"на 2002-2006 годы

Приложение N 1
к федеральной целевой программе
"Национальная технологическая база"
на 2002-2006 годы