4-й разряд
Характеристика работ. Травление пластин, деталей сложной конфигурации до заданных толщины и параметров шероховатости поверхности (точное травление, химическая и химико-механическая полировка). Химическая обработка в горячих растворах кислот (уксусная, азотная, фтористо-водородная и т.д.), щелочей, смесей на установке с точным контролем ведения процесса. Химическое выявление дефектов кристаллической структуры полупроводниковых материалов. Профильное травление деталей с массирующим покрытием. Измерение глубины и ширины профиля на микроскопах. Приготовление сложных растворов для травления и химической обработки, электролитов. Выбор оптимальных режимов травления. Подбор суспензий для химической и химико-механической полировки и травителей при опробовании новой технологии. Регенерация ионнообменного слоя, золота. Очистка поверхности детален и пластин до и после травления. Очистка полированной поверхности деталей и пластин суспензией на основе двуокиси кремния, циркония, окиси хрома. Обслуживание установок и ультразвуковых полуавтоматов. Контроль шероховатости на микроскопе.
Должен знать: устройство оборудования различных моделей, кинематику, электрическую схему, правила наладки и проверки его на точность; принцип работы ванн различных конструкций; конструкцию и принцип работы пусковых и регулирующих устройств; устройство, назначение и условия применения контрольно-измерительных инструментов и приборов; виды, назначение, способы и режимы процессов травления, обезжиривания и очистки; свойства индикаторов, их применение и приготовление; режимы травления для различных материалов; методы измерения плоскостных и глубинных размеров рельефа; методы контроля параметров на отдельных стадиях ведения технологического процесса; порядок ведения технической документации и сдачи готовой продукции, удельные нормы расхода материалов.
Примеры работ
1. Блоки анодные полюсных наконечников, керны катодов магнетронов - особо качественная очистка поверхности с помощью ультразвуковых установок в щелочных и кислотных растворах, а также в воде, очищенной в ионообменной установке.
2. Детали и проволока из тугоплавких металлов и их сплавов - травление методом протяжки.
3. Детали из АРМКО - химическое полирование и травление с применением подогретых кислот (более 80 градусов).
4. Детали и узлы электронно-оптической системы - точное травление в ваннах,электротравление.
5. Детали установки полного легирования - нейтрализация в растворах солей, обработка в растворах кислот, в перекиси водорода, кипячение в органических растворителях.
6. Катоды - обработка в различных кислотах на ультразвуковой установке.
7. Колпаки, подколпачное устройство установок напыления - обработка в растворах неорганических кислот, щелочей, перекиси водорода.
8. Кристаллы и пластины германия и кремния - точное травление в заданной размерности; электролитическое вытравливание лунок с двух сторон.
9. Монокристаллы и пластины галлий-гадолинневого граната - точное травление.
10. Основание корпусов и крышек БИС - особо качественная очистка поверхности с помощью ультразвуковой установки с применением толуола; сушка и контроль.
11. Пластины из полупроводниковых материалов - обработка перед термодиффузионными операциями.
12. Пластины из полупроводниковых материалов - обработка перед напылением диэлектрического покрытия с применением соляной кислоты, фтористой кислоты, бидистиллированной воды, кистевой отмывки и сушки на центрифуге; травление разделительных канавок.
13. Пластины и кристаллы германия и кремния, пластина арсенида галлия - точное травление.
14. Пластины кварцевые плоские и плоско-выпуклые с частотой до 20 МГц - травление до заданной частоты.
15. Пластины кремния - химическое высаживание золота.
16. Пластины германия и кремния - химическое полирование в пределах установленных размеров с заданными параметрами шероховатости.
17. Пластины для приборов - промывка на ультразвуковых установках.
18. Пластины - травление с целью получения определенного вытравленного профиля по поверхности.
19. Пластины кремния - травление лунки в установке динамического травления с применением кислот: уксусной, плавиковой, азотной.
20. Пластины кремния полированные - химическая обработка поверхности для выявления нарушенного слоя; глубокое травление в заданной размерности.
21. Пластины кремния - отмывка после эпитаксиального наращивания, перед фотогравировками и диффузией на полуавтомате; определение качества поверхности путем измерения микрорельефа на поверхности с помощью микроскопа.
22. Пластины полупроводниковых приборов и микросхем - химическая обработка на полуавтоматических линиях и установках.
23. Пластины СФАГ - химическая обработка перед диффузией цинка, после диффузии цинка, перед напылением алюминия.