Недействующий

О внесении изменений в приложение 5 к Приказу ГТК России от 12.12.92 N 610 (с изменениями на 9 августа 1995 года) (Утратил силу на основании приказа ГТК России от 23 мая 1996 года N 315)

--------------------------------------------------------------------
  Номер  ¦
 позиции ¦             Наименование
--------------------------------------------------------------------

II.10.7.2.1.9.  Технологии нанесения вольфрама и его смеси на:

II.10.7.2.1.9.1.  карбид, цементируемый вольфрамом;

II.10.7.2.1.9.2.  карбид кремния


II.10.7.2.1.10.  Технологии нанесения диэлектрических слоевых
покрытий на:


II.10.7.2.1.10.1.  керамики и стекла с малым коэффициентом
расширения;

II.10.7.2.1.10.2.  углерод-углеродные композиционные материалы;

II.10.7.2.1.10.3.  керамики и металлические матричные композиты;

II.10.7.2.1.10.4.  карбид, цементируемый вольфрамом;

II.10.7.2.1.10.5.  карбид кремния

II.10.7.2.1.10.6.  молибден и его сплавы;

II.10.7.2.1.10.7.  бериллий и его сплавы;

II.10.7.2.1.10.8.  материалы окон датчиков


II.10.7.2.1.11.  Технология нанесения боридов на титановые сплавы

            Примечание

              Титановые сплавы, указанные в пунктах II.10.7.2.1.11.,
              II.10.7.2.1.12., II.10.7.3.3.1., II.10.7.3.4.,
              II.10.7.3.5., II.10.7.4.3.2., II.10.7.4.4.2.,
              II.10.7.4.5.2., II.10.7.4.6.2., II.10.7.4.8.2.,
              II.10.7.4.9.2., II.10.7.4.10.2., II.10.7.7.2.1.,
              II.10.7.7.3.1., определяются как аэрокосмические
              сплавы с предельным значением прочности на разрыв в
              900 МПа или более, измеренным при 293 К (20 град.С)

II.10.7.2.1.12.  Технология нанесения нитридов на титановые сплавы


II.10.7.2.2.  Нанесение покрытий методом физического осаждения паров
ионизацией посредством резистивного нагрева (ионное
покрытие)

           Примечание

             Физическое осаждение с терморезистором использует
             электрическое сопротивление в качестве источника тепла,
             способного обеспечить контролируемый и равномерный
             (однородный) поток паров материала покрытия

II.10.7.2.2.1.  Технологии нанесения диэлектрических слоевых
покрытий на:


II.10.7.2.2.1.1.  керамики и стекла с малым коэффициентом
расширения;

II.10.7.2.2.1.2.  углерод-углеродные композиционные материалы;

II.10.7.2.2.1.3.  керамики и металлические матричные композиты;

II.10.7.2.2.1.4.  карбид, цементируемый вольфрамом;

II.10.7.2.2.1.5.  карбид кремния

II.10.7.2.2.1.6.  молибден и его сплавы;

II.10.7.2.2.1.7.  бериллий и его сплавы;

II.10.7.2.2.1.8.  материалы окон датчиков


II.10.7.2.3.  Нанесение покрытий методом физического осаждения
паров с применением лазерного испарения

          Примечание

           Лазерное испарение использует импульсный или непрерывный
           лазерный луч для нагрева материала, который формирует
           покрытие

II.10.7.2.3.1.  Технологии нанесения диэлектрических слоевых
покрытий на:


II.10.7.2.3.1.1.  керамики и стекла с малым коэффициентом
расширения;

II.10.7.2.3.1.2.  углерод-углеродные композиционные материалы;

II.10.7.2.3.1.3.  керамики и металлические матричные композиты;

II.10.7.2.3.1.4.  карбид, цементируемый вольфрамом;

II.10.7.2.3.1.5.  карбид кремния

II.10.7.2.3.1.6.  молибден и его сплавы;

II.10.7.2.3.1.7.  бериллий и его сплавы;

II.10.7.2.3.1.8.  материалы окон датчиков


II.10.2.3.2.  Технология нанесения алмазоподобного углерода на
материалы окон датчиков


II.10.7.2.3.3.  Технология нанесения силицидов на керамики и стекла
с малым коэффициентом расширения


II.10.7.2.4.  Технологии нанесения покрытий методом физического
осаждения паров с применением катодно-дугового
разряда

          Примечание

            Процесс покрытия с применением катодной дуги использует
            расходуемый катод как материал, который формирует
            покрытие и имеет установившийся разряд дуги на
            поверхности катода после моментального контакта  с
            заземленным пусковым устройством (триггером).
            Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода
            приводит к образованию высокоионизированной плазмы.
            Анод может быть или коническим или расположенным по
            периферии катода через изолятор, или сама камера может
            играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением
            изоляции используются изделия с регулированием их
            положения.

            Это определение не включает нанесение покрытий
            беспорядочной (произвольной) катодной дугой с
            фиксированным положением изделия

II.10.7.2.4.1.  Технология нанесения сплавов силицидов на
суперсплавы


II.10.7.2.4.2.  Технология нанесения сплавов алюминидов на
суперсплавы


II.7.10.2.4.3.  Технология нанесения MCrAlX на суперсплавы

II.10.7.2.4.4.  Технология нанесения боридов на:

II.10.7.2.4.4.1.  полимеры;

         Примечание

           Упомянутые в пунктах II.10.7.2.4.4.1., II.10.7.2.4.5.1.,
           II.10.7.2.4.6.1. полимеры включают: полиамид, полиэфир,
           полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны

II.10.7.2.4.4.2.  Органические матричные композиты

II.10.7.2.4.5.  Технологии нанесения карбидов на:

II.10.7.2.4.5.1.  полимеры;