--------------------------------------------------------------------
Номер ¦
позиции ¦ Наименование
--------------------------------------------------------------------
Раздел II.8. Электротехника и энергетика
II.8.1. Технология производства сверхпроводящих композитных
материалов длиной более 100 м или массой, превышающей
100 г:
II.8.1.1. Технология производства многожильных сверхпроводящих
композитных материалов, содержащих одну ниобиевую нить
или более:
II.8.1.1.1. уложенных в матрицу не из меди или не на основе
медь-содержащего материала;
II.8.1.1.2. с площадью поперечного сечения менее 0,28х10_-4 кв.мм
(6 мкм в диаметре в случае нитей круглого сечения)
II.8.1.2. Технология производства сверхпроводящих композитных
материалов не из ниобий-титана, состоящих из одной или
более сверхпроводящих нитей:
с критической температурой при нулевой магнитной
индукции, превышающей 9,85 К (-263,31 град.С), но
не ниже 24 К (-249,16 град.С);
с площадью поперечного сечения менее
0,28х10_-4 кв.мм;
которые остаются в состоянии сверхпроводимости
при температуре 4,2 К (-268,96 град.С), находясь
в магнитном поле с магнитной индукцией 12 Т
II.8.2. Информация о результатах исследований и разработок
высокотемпературных сверхпроводников с критическим
магнитным полем, с магнитной индукцией более 150 Т и
критическим током более 1000 МА/кв.м при температуре
77 К (-196 град.С) для техники магнитного ускорения
объектов
II.8.3. Информация о конструкционных и технологических решениях
в области создания импульсных источников электроэнергии
на основе формирующих линий с мощностью, превышающей
100 ТВт при энергии, превышающей 5 МДж
II.8.4. Информация о конструкционных и технологических решениях
в области создания импульсных источников электроэнергии
на основе униполярных генераторов, предназначенных для
медленного отбора мощности (более 1 с) с запасом
энергии более 100 МДж и быстрого отбора мощности (менее
1 мс) с запасом энергии 1 МДж
II.8.5. Конструкция и технология производства батарей
Примечание
Экспортный контроль не распространяется на конструкцию
и технологию производства батарей с объемом 26 куб.см
и меньше (например, стандартные угольные элементы),
указанных в пунктах II.8.5. - II.8.5.3.
II.8.5.1. Конструкция и технология производства первичных
элементов и батарей с плотностью энергии выше 350
Вт х ч/кг, пригодных по техническим условиям для
работы в диапазоне температур от 243 К (-30 град.С)
и ниже до 343 К (70 град.С) и выше
II.8.5.2 Конструкция и технология производства подзаряжаемых
элементов и батарей с плотностью энергии свыше 150
Вт х ч/кг, после 75 циклов заряда - разряда при токе
разряда, равном С/5 ч (здесь С - номинальная емкость
в А х ч), и при работе в диапазоне температур от 253 К
(-20 град.С) и ниже до 333 К (60 град.С) и выше
II.8.5.3. Конструкция и технология производства
радиационно-стойких батарей на фотоэлектрических
элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м при
рабочей температуре 301 К (28 град.С) и вольфрамовом
источнике, нагретом до 2800 К (2527 град.С) и
создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв.м,
пригодных по техническим условиям для космического
применения
II.8.5.4. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования батарей, указанных в пунктах I.7.2. -
I.7.2.3.
II.8.6. Конструкция и технология производства накопителей
энергии
II.8.6.1. Конструкция и технология производства накопителей
энергии с частотой повторения менее 10 Гц (одноразовых
накопителей), имеющих номинальное напряжение не менее
5 кВ, плотность энергии не менее 250 Дж/кг и общую
энергию не менее 25 кДж
II.8.6.2. Конструкция и технология производства накопителей
энергии с частотой повторения менее 10 Гц и больше
(многоразовых накопителей), имеющих номинальное
напряжение не менее 5 кВ, плотность энергии не менее
50 Дж/кг, общую энергию не менее 100 Дж и количество
циклов заряда - разряда не менее 10000
II.8.6.3. Конструкция и технология производства схем или систем
для накопления электромагнитной энергии, содержащих
компоненты из сверхпроводящих материалов, специально
спроектированных для работы при температурах ниже
критической температуры с хотя бы одной из
сверхпроводящих составляющих, имеющих рабочие
резонансные частоты свыше 1 МГц, плотность запасаемой
энергии не менее 1 МДж/куб.м и время разряда менее 1 мс
II.8.6.4. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования накопителей энергии, указанных в пунктах
I.7.3. - I.7.3.3.
II.8.7. Конструкция и технология производства сверхпроводящих
электромагнитов или соленоидов, специально
спроектированных на полный заряд или разряд менее чем
за минуту, имеющих максимальную энергию в разряде,
деленную на длительность разряда, свыше 500 кДж/мин,
внутренний диаметр токопроводящих обмоток свыше 250 мм
и номинальную магнитную индукцию свыше 8 Т или
суммарную плотность тока в обмотке больше 300 А/ка.мм
Примечание
Экспортный контроль не распространяется на конструкцию
и технологию производства сверхпроводящих
электромагнитов или соленоидов, специально
спроектированных для медицинской аппаратуры
магниторезонансной томографии
II.8.7.1. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования сверхпроводящих электромагнитов или
соленоидов, указанных в пункте I.7.4.
II.8.8. Конструкция и технология производства рентгеновских
систем с короткоимпульсным разрядом, имеющих пиковую
мощность, превышающую 500 МВт, выходное напряжение,
превышающее 500 кВт, и ширину импульса менее 0,2 мкс
II.8.8.1. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования рентгеновских систем с короткоимпульсным
разрядом, указанных в пункте I.7.5.
II.8.9. Информация о конструкторских решениях, технологиях,
материалах, основных узлах и системах бортовых
ядерных электроэнергоустановок, позволяющая осуществить
непосредственное воспроизведение или способствующая
ускорению реализации подобных проектов
II.8.10. Информация о конструкционных и технологических решениях,
позволяющих создать короткоимпульсные электронные и
протонные ускорители с энергией более 8 Мэв и током в
импульсе более 1 кА
Раздел II.9. Функциональное оборудование, узлы и детали
II.9.1. Конструкция и технология производства антифрикционных
подшипников или систем подшипников и их компонентов
Примечание
Экспортный контроль не распространяется на конструкцию
и технологию производства шарикоподшипников с допусками,
устанавливаемыми производителями в соответствии со
стандартом ИСО 3290 класс 5 или хуже
II.9.1.1. Конструкция и технология производства шариковых или
роликовых подшипников (кроме конических роликовых
подшипников), имеющих допуски, устанавливаемые
производителем в соответствии со стандартом ИСО,
имеющих любую из следующих характеристик:
II.9.1.1.1. кольца, шарики или ролики из медно-никелевого сплава
или бериллия;
II.9.1.1.2. изготовленные для применения при рабочих температурах
выше 573 К (300 град.С) либо с применением специальных
материалов или специальной тепловой обработки;
II.9.1.1.3. с элементами смазки или компонентом, модифицирующим
этот элемент, который в соответствии со
спецификацией изготовителя специально спроектирован
для подшипников, работающих при скоростях,
соответствующих значению КСВ более 2,3 х 10_6
II.9.1.2. Конструкция и технология производства других шариковых
или роликовых подшипников (кроме конических роликовых
подшипников), имеющих допуски, устанавливаемые
производителем в соответствии со стандартом ИСО класс 2
или лучше (или с национальными эквивалентами)
II.9.1.3. Конструкция и технология производства конических
роликовых подшипников, имеющих любую из
следующих характеристик:
II.9.1.3.1. с элементами смазки или компонентом, модифицирующим
этот элемент, который в соответствии со
спецификацией изготовителя специально спроектирован
для подшипников, работающих при скоростях,
соответствующих значению КСВ более 2,3 х 10_6
II.9.1.3.2. изготовленные для применения при рабочих температурах
ниже 219 К (-54 град.С) или выше 423 К (150 град.С)
II.9.1.4. Конструкция и технология производства тонкостенных
подшипников с газовой смазкой, изготовленных для
применения при рабочих температурах 561 К (288 град.С)
или выше, и со способностью выдерживать единичную
нагрузку, превышающую 1 МПа
II.9.1.5. Конструкция и технология производства активных
магнитных подшипниковых систем
II.9.1.6. Конструкция и технология производства серийно
изготавливаемых самоцентрирующихся или серийно
изготавливаемых и устанавливаемых на шейку вала
подшипников скольжения, изготовленных для использования
при рабочих температурах ниже 219 К (-54 град.С) или
выше 423 К (150 град.С)
II.9.1.7. Программное обеспечение, специально разработанное или
модифицированное для проектирования и производства
подшипников, указанных в пунктах I.8.1. - I.8.1.6.
Раздел II.10. Обработка материалов
II.10.1. Производственные процессы металлообработки
II.10.1.1. Технологии проектирования станков (инструмента),
прессформ или зажимных приспособлений, специально
спроектированных для следующих процессов:
II.10.1.1.1. сверхпластичного деформирования;
II.10.1.1.2. термодиффузионного сращивания;
II.10.1.1.3. гидравлического прессования прямого действия
II.10.1.2. Технические данные, включающие параметры или методы
реализации процесса, перечисленные ниже и используемые
для управления:
II.10.1.2.1. сверхпластичным деформированием алюминиевых,
титановых сплавов или суперсплавов, включая:
подготовку поверхности;
степень деформации;
температуру;
давление;
Примечание
К суперсплавам относятся сплавы на основе никеля,
кобальта или железа, сохраняющие высокую прочность при
температурах свыше 922 К (649 град.С) в тяжелых
условиях функционирования и окружающей среды
II.10.1.2.2. термодиффузионным сращиванием суперсплавов или
титановых сплавов, включая:
подготовку поверхности;
температуру;
давление
II.10.1.2.3. гидравлическим прессованием прямого действия
алюминиевых или титановых сплавов, включая:
давление;
время цикла
II.10.1.2.4. горячей изостатической деформацией титановых,
алюминиевых сплавов и суперсплавов, включая:
температуру;
давление;
время цикла
II.10.2. Конструкция и технология производства гидравлических
вытяжных формовочных машин и матриц для изготовления
легких корпусных конструкций
II.10.3. Конструкция и технология производства универсальных
станков (без программного управления) для получения
оптически качественных поверхностей:
II.10.3.1. токарных станков, использующих единственную точку
фрезерования и обладающих всеми нижеследующими
характеристиками:
точность положения суппорта меньше (лучше) чем
0,0005 мм на 300 мм перемещения;
повторяемость двунаправленного положения суппорта
меньше (лучше) чем 0,00025 мм на 300 мм перемещения;
биение и эксцентриситет шпинделя меньше (лучше)
чем 0,0004 мм по индикатору общего считывания;
угловая девиация движения суппорта (рыскание, тангаж и
вращение вокруг продольной оси) меньше (лучше) чем
2 дуговые секунды по индикатору общего считывания
на полном перемещении;
перпендикулярность суппорта меньше (лучше) чем
0,001 мм на 300 мм перемещения;
II.10.3.2. станков с летучей фрезой, имеющих биение и
эксцентриситет меньше (лучше) чем 0,0004 мм по
индикатору общего считывания и угловую девиацию
движения суппорта (рыскание, тангаж и вращение вокруг
продольной оси) меньше (лучше) чем 2 дуговые секунды
по индикатору общего считывания на полном перемещении
II.10.4. Конструкция и технология производства станков с ЧПУ или
станков с ручным управлением, включая специально
спроектированные компоненты, элементы управления и
приспособления для них, специально спроектированных
для фрезерования, финишной обработки, полирования или
хонингования закаленных (Rc = 40 или более) конических
или цилиндрических шестерен в соответствии с пунктами
I.9.3. - I.9.3.2.
II.10.5. Программное обеспечение, специально разработанное
или модифицированное для проектирования,
производства и применения программно-управляемых
станков, указанных в пунктах I.9.3. - I.9.3.2.
II.10.6. Конструкция и технология производства оборудования,
специально спроектированного для реализации процесса и
управления процессом нанесения неорганических покрытий,
защитных слоев и поверхностного модифицирования, а
также специально спроектированных средств
автоматизированного регулирования,установок,
манипуляторов и компонентов управления
II.10.6.1. Конструкция и технология производства снабжаеных
программно-управляемым запоминающим устройством
производственных установок для нанесения твердого
покрытия из парообразных химических соединений,
указанных в пункте I.9.4.1.
II.10.6.2. Программное обеспечение, специально разработанное или
модифицированное для проектирования, производства или
применения производственных установок для нанесения
покрытия из парообразных химических соединений,
указанных в пункте I.9.4.1.
II.10.6.3. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
производственных установок для ионной имплантации,
указанных в пункте I.9.4.2.
II.10.6.4. Программное обеспечение, специально разработанное или
модифицированное для проектирования, производства или
применения производственных установок для ионной
имплантации, указанных в пункте I.9.4.2.
II.10.6.5. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
электронно-лучевых установок для нанесения покрытий
методом физического осаждения паров, указанных в
пункте I.9.4.3.
II.10.6.6. Программное обеспечение, специально разработанное или
модифицированное для проектирования, производства или
применения электронно-лучевых установок для нанесения
покрытий методом физического осаждения паров, указанных
в пункте I.9.4.3.
II.10.6.7. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
производственных установок для плазменного напыления
указанных в пунктах I.9.4.4.- I.9.4.4.2.
II.10.6.8. Программное обеспечение, специально разработанное или
модифицированное для проектирования, производства или
применения производственных установок для плазменного
напыления, указанных в пунктах I.9.4.4.- I.9.4.4.2.
II.10.6.9. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
производственных установок для металлизации напылением,
способных обеспечить плотность тока 0,1 мА/мм или более
с производительностью напыления 15 мкм в час или более
II.10.6.10. Программное обеспечение, специально созданное или
модифицированное для разработки, производства или
применения производственных установок металлизации
напылением, указанных в пункте I.9.4.5.
II.10.6.11. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
производственных установок для катодно-дугового
напыления, включающих систему электромагнитов для
управления плотностью тока дуги на катоде
II.10.6.12. Программное обеспечение, специально разработанное или
модифицированное для проектирования, производства или
применения производственных установок для катодно-
дугового напыления, указанного в пункте I.9.4.6.
II.10.6.13. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
производственных установок для ионной металлизации
указанных в пункте I.9.4.7.