--------------------------------------------------------------------
Номер ¦
позиции ¦ Наименование
--------------------------------------------------------------------
II.17.2.6. Конструкция и технология производства генераторов
сигналов синтезированных частот, формирующих выходные
частоты с управлением по параметрам точности,
кратковременной и долговременной стабильностью,
на основе или с помощью внутренней эталонной частоты,
имеющих хотя бы один из следующих признаков:
II.17.2.6.1. максимальная синтезируемая частота, превышающая
31 ГГц;
II.17.2.6.2. время переключения частоты с одной заданной частоты
на другую менее 1 мс;
II.17.2.6.3. фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) лучше, чем
-(126 + 20 lg(F) - 20 lg(f) в единицах дБ/Гц, где F
- смещение рабочей частоты в Гц, а f - рабочая
частота в МГц
Примечание
Экспортный контроль по пунктам II.17.2.6.- II.17.2.6.3.
не распространяется на конструкцию и технологию
производства аппаратуры, в которой выходная частота
либо создается путем сложения или вычитания частот с двух
и более кварцевых генераторов, либо путем сложения или
вычитания с последующим умножением результирующей частоты
II.17.2.7. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства генераторов сигналов
синтезированных частот, указанных в пунктах I.16.2.4.-
I.16.2.4.3.
II.17.2.8. Конструкция и технология производства сетевых
анализаторов с максимальной рабочей частотой,
превышающей 31 ГГц
Примечание
Экспортный контроль по пункту II.17.2.8. не
распространяется на конструкцию и технологию
производства сетевых анализаторов с качающейся частотой,
рабочая частота которых не превосходит 40 ГГц, и которые
не имеют шины данных для интерфейса дистанционного
управления
II.17.2.9. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства сетевых анализаторов,
указанных в пункте I.16.2.5.
II.17.2.10. Конструкция и технология производства приемников-
тестеров микроволнового диапазона, имеющих
максимальную рабочую частоту более 31 ГГц и способных
одновременно измерять амплитуду и фазу
II.17.2.11. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства приемников-тестеров
микроволнового диапазона, указанных в пункте I.16.2.6.
II.17.2.12. Конструкция и технология производства атомных эталонов
частоты, имеющих хотя бы один из следующих признаков:
II.17.2.12.1. долговременная стабильность (старение) менее (лучше)
10_-11/мес;
II.17.2.12.2. по техническим условиям пригодны для космического
применения
Примечание
Экспортный контроль по пункту II.17.12.1. не
распространяется на конструкцию и технологию
производства рубидиевых эталонов, не предназначенных
для космического применения
II.17.2.13. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства атомных эталонов
частоты, указанных в пунктах I.16.2.7. - I.16.2.7.2.
II.17.2.14. Конструкция и технология производства эмуляторов
микросхем, указанных в пунктах I.16.1.1.1. или
I.16.1.1.6.
Примечание
Экспортный контроль по пункту II.17.2.14. не
распространяется на конструкцию и технологию
производства эмуляторов, спроектированных под семейство,
содержащее хотя бы один прибор, на который не
распространяется экспортный контроль по пунктам I.16.1.1.1.
или I.16.1.1.6.
II.17.2.15. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства эмуляторов
микросхем, указанных в пункте I.16.2.8.
II.17.3. Конструкция и технология производства оборудования для
производства и испытания полупроводниковых приборов
II.17.3.1. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
установок для эпитаксиального выращивания
II.17.3.1.1. Конструкция и технология производства установок для
эпитаксиального выращивания, способных выдерживать
толщину эпитаксиального слоя с отклонением не более
+,- 2,5 % на протяжении не менее 75 мм вдоль пластины
II.17.3.1.2. Конструкция и технология производства установок
химического осаждения металлорганических паров,
специально предназначенных для выращивания кристаллов
сложных полупроводников с помощью химических реакций
материалов, указанных в пунктах I.6.11. - I.6.11.4.
или I.6.12.
II.17.3.1.3. Конструкция и технология производства установок
молекулярно-лучевой эпитаксии, использующих газовые
источники
II.17.3.2. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования, производства или применения установок
для эпитаксиального выращивания, указанных в пунктах
I.16.3.1. - I.16.3.1.3.
II.17.3.3. Конструкция и технология производства
многофункциональных фокусируемых ионно-лучевых систем,
снабженных программно-управляемым запоминающим
устройством, специально спроектированных для
производства, ремонта, анализа физической топологии и
тестирования масок или полупроводниковых приборов,
имеющих хотя бы один из следующих признаков:
II.17.3.3.1. точность управления положением пучка на мишени
0,25 мкм или лучше;
II.17.3.3.2. разрешающая способность цифро-аналогового
преобразования свыше 12 бит
II.17.3.4. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования, производства или применения
многофункциональных фокусируемых ионно-лучевых систем,
указанных в пунктах I.16.3.2. - I.16.3.2.2.
II.17.3.5. Конструкция и технология производства многокамерного
центра обработки полупроводниковых пластин с
автоматической загрузкой и программно-управляющим
запоминающим устройством, имеющего устройства для
загрузки и выгрузки пластин, к которому должны быть
присоединены более двух установок технологической
обработки полупроводников, образующих комплексную
вакуумированную систему для последовательной
многопозиционной обработки пластин
Примечание
Экспортный контроль по пункту II.17.3.5. не
распространяется на конструкцию и технологию
производства автоматических робототехнических систем
обработки пластин, не предназначенных для работы в
вакууме
II.17.3.6. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования, производства или применения
многокамерного центра обработки полупроводниковых
пластин, указанного в пункте I.16.3.3.
II.17.3.7. Конструкция и технология производства установок
литографии, снабженных программно-управляющим
запоминающим устройством
II.17.3.7.1. Конструкция и технология производства установок
многократного совмещения и экспонирования для
обработки пластин методами фотооптической или
рентгеновской литографии, имеющие хотя бы один из
следующих признаков:
II.17.3.7.1.1. наличие источника освещения с длиной волны короче
400 нм;
II.17.3.7.1.2. цифровая апертура свыше 0,40;
II.17.3.7.1.3. точность совмещения +,- 0,20 мкм (3 сигма) или
лучше
Примечание
Экспортный контроль по пункту II.17.3.7.1. не
распространяется на конструкцию и технологию
производства установок многократного совмещения
и экспонирования, имеющих длину волны источника
освещения 436 нм или больше, цифровую апертуру 0,38
или меньше, диаметр изображения 22 мм и меньше
II.17.3.7.2. Конструкция и технология производства установок,
специально спроектированных для производства масок
или обработки полупроводниковых приборов с
использованием отклоняемого фокусируемого
электронного пучка, ионного пучка или лазерного
пучка, имеющих хотя бы один из следующих признаков:
II.17.3.7.2.1. размер пятна меньше чем 0,2 мкм;
II.17.3.7.2.2. способность производить структуру с минимальными
размерами менее 1 мкм;
II.17.3.7.2.3. точность совмещения лучше +,- 0,20 мкм (3 сигма)