--------------------------------------------------------------------
¦ ¦ Код
Номер ¦ ¦товарной номен-
позиции ¦ Наименование ¦клатуры внешне-
¦ ¦экономической
¦ ¦деятельности
--------------------------------------------------------------------
I.16.2.4. Генераторы сигналов синтезированных частот,
формирующие выходные частоты с управлением
по параметрам точности, кратковременной и
долговременной стабильности, на основе или
с помощью внутренней эталонной частоты,
имеющие хотя бы один из следующих
признаков:
I.16.2.4.1. максимальная синтезируемая частота 854320000
превышает 31 ГГц;
I.16.2.4.2. время переключения частоты с одной 854320000
заданной частоты на другую менее 1 мс;
I.16.2.4.3. фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) 854320000
лучше, чем -(126 + 20 lg(F) - 20 lg(f)
в единицах дБ/Гц, где F - смещение
рабочей частоты в Гц, а f - рабочая
частота в МГц
Примечание
Экспортный контроль по пункту I.16.2.4.
не распространяется на аппаратуру, в
которой выходная частота либо создается
путем сложения или вычитания частот с двух
и более кварцевых генераторов, либо путем
сложения или вычитания с последующим
умножением результирующей частоты
I.16.2.5. Сетевые анализаторы с максимальной рабочей 854380900
частотой, превышающей 31 ГГц
Примечание
Экспортный контроль по пункту I.16.2.5. не
распространяется на сетевые анализаторы с
качающейся частотой, рабочая частота которых
не превосходит 40 ГГц, и которые имеют шины
данных для интерфейса дистанционного
управления
I.16.2.6. Приемники-тестеры микроволнового диапазона 852790990
имеющие максимальную рабочую частоту более
31 ГГц и способные одновременно измерять
амплитуду и фазу
I.16.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие хотя бы
один из следующих признаков:
I.16.2.7.1. долговременная стабильность (старение) 854320000
менее (лучше) 1х10_-11/мес;
I.16.2.7.2. по техническим условиям пригодны для 854320000
космического применения
Примечание
Экспортный контроль по пункту I.16.2.7.1.
не распространяется на рубидиевые эталоны,
не предназначенные для космического
применения
I.16.2.8. Эмуляторы микросхем, указанных в пунктах 854380900
I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6.
Примечание
Экспортный контроль по пункту I.16.2.8.
не распространяется на эмуляторы,
спроектированные под семейство, содержащее
хотя бы один прибор, не подлежащий
экспортному контролю по пунктам I.16.1.1.1.
или I.16.1.1.6.
I.16.3. Оборудование для производства и
испытания полупроводниковых приборов
I.16.3.1. Снабженные программно-управляемым
запоминающим устройством установки для
эпитаксиального выращивания
I.16.3.1.1. Установки для эпитаксиального 841989900
выращивания, способные выдерживать
толщину эпитаксиального слоя с
отклонением не более +,- 2,5 % на
протяжении не менее 75 мм вдоль
пластины
I.16.3.1.2. Установки химического осаждения металл- 841989900
органических паров, специально
предназначенные для выращивания кристаллов
сложных полупроводников с помощью
химических реакций материалов, указанных
в пунктах I.16.11. - I.16.11.4. или
I.16.12.
I.16.3.1.3. Установки молекулярно-лучевой эпитаксии, 841780100
использующие газовые источники
I.16.3.2. Многофункциональные фокусируемые ионно-
лучевые системы, снабженные программно-
управляющим запоминающим устройством,
специально спроектированные для
производства, ремонта, анализа физической
топологии и тестирования масок или
полупроводниковых приборов, имеющие хотя
бы один из следующих признаков:
I.16.3.2.1. точность управления положением пучка 845610000
на мишени 0,25 мкм или лучше;
I.16.3.2.2. разрешающая способность цифро- 845610000
аналогового преобразования свыше 12 бит
I.16.3.3. Многокамерный центр обработки 845610000;
полупроводниковых пластин с 845690000
автоматической загрузкой и программно-
управляющим запоминающим устройством,
имеющий устройства для загрузки и
выгрузки пластин, к которому должны быть
присоединены более двух установок
технологической обработки полупроводников,
образующих комплексную вакуумированную
систему для последовательной
многопозиционной обработки пластин
Примечание
Экспортный контроль по пункту I.16.3.3.
не распространяется на автоматические
робототехнические системы обработки пластин,
не предназначенные для работы в вакууме
I.16.3.4. Установки литографии, снабженные программно-
управляющим запоминающим устройством
I.16.3.4.1. Установки многократного совмещения и
экспонирования для обработки пластин
методами фотооптической или рентгеновской
литографии, имеющие хотя бы один из
следующих признаков:
I.16.3.4.1.1. наличие источника освещения с длиной 900922900
волны короче 400 нм;
I.16.3.4.1.2. цифровая апертура свыше 0,40; 900922900
I.16.3.4.1.3. точность совмещения +,- 0,20 мкм 900922900
(3 сигма) или лучше
Примечание
Экспортный контроль по пункту I.16.3.4.1.
не распространяется на установки
многократного совмещения и экспонирования,
имеющие длину волны источника освещения
436 нм или больше, цифровую апертуру 0,38
или меньше, диаметр изображения 22 мм и
меньше
I.16.3.4.2. Установки, специально спроектированные
для производства масок или обработки
полупроводниковых приборов с использованием
отклоняемого фокусируемого электронного
пучка, ионного пучка или лазерного пучка,
имеющие хотя бы один из следующих
признаков:
I.16.3.4.2.1. размер пятна меньше чем 0,2 мкм; 845610000
I.16.3.4.2.2. способность производить структуру с
минимальными размерами менее 1 мкм; 845610000
I.16.3.4.2.3. точность совмещения лучше +,- 0,2 мкм 845610000
(3 сигма)
I.16.3.5. Маски или фотошаблоны
I.16.3.5.1. Маски или фотошаблоны для интегральных 901090000
схем, указанных в пунктах I.16.1. -
I.16.1.1.8.2.
I.16.3.5.2. Многослойные маски, оснащенные 901090000
фазосдвигающим слоем
I.16.3.6. Испытательная аппаратура, снабженная
программно-управляющим запоминающим
устройством, специально спроектированная
для испытания полупроводниковых приборов
и бескорпусных кристаллов
I.16.3.6.1. Аппаратура для замера параметров матрицы 903180390
рассеяния на частотах свыше 31 ГГц
I.16.3.6.2. Аппаратура для испытания интегральных 903180390
схем и их сборок, способная выполнять
функциональное тестирование (по таблицам
истинности) с частотой тестирования строк
свыше 40 МГц
Примечание