11.12.11. Конструкция и технология производства специально спроек-
тированных компонентов, предназначенных для дизельных
двигателей с высокой выходной мощностью
Примечание
Дизельные двигатели с высокой выходной мощностью - это
двигатели с номинальным значением эффективного давления
торможения 1,8 МПа или более при скорости вращения
2300 об/мин, обеспечивающие скорости вращения 2300 об/мин
или более
11.12.11.1. Конструкция и технология производства систем двигателя,
имеющего гильзы цилиндров, поршни, головки цилиндров,
один или более других компонентов (включая выхлопные
отверстия, турбонаддув, направляющие клапанов, сборки
клапана или изолированные топливные инжекторы), изго-
товленные из керамических материалов
11.12.11.2. Конструкция и технология производства систем турбонад-
дува с одноступенчатыми компрессорами, имеющих соотношение
давлений (степень сжатия) 4:1 или выше, расход топлива
в диапазоне от 30 до 130 кг/мин и способность изменять
сечение потока внутри компрессора или секций турбины
11.12.11.3. Конструкция и технология производства систем топливной
инжекции со специально спроектированной многотопливной
(т.е. дизельным или обычным топливом) способностью к
изменению вязкости топлива в диапазоне от дизельного
топлива (2,5 сантистокса при 310,8 К (37,8° С)) до
бензина (0,5 сантистокса при 310,8 К (37,8° С)),
имеющих инжектируемое количество больше чем 230 куб.м
на один впрыск в один цилиндр и детали специально
спроектированного электронного управления для
регулятора переключения и автоматического измерения
характеристик в зависимости от определенного значения
момента вращения применением адаптивных датчиков
11.12.12. Конструкция и технология производства дизельных двигателей
с высокой выходной мощностью с твердыми, газофазными или
жидкопленочными (или их комбинациями) смазками стенок ци-
линдров, позволяющими выдерживать температуры, превышающие
723 К (450° С), измеряемые на стенке цилиндра в верхней
предельной точке касания поршневого кольца
Раздел 11.13. Лазеры и оптическое оборудование
11.13.1. Оптика
11.13.1.1. Конструкция и технология производства оптических зеркал
(отражателей)
11.13.1.1.1. Конструкция и технология разработки или производства
деформируемых зеркал с непрерывными либо многоэлементными
поверхностями и специальными компонентами, способными
динамически менять расположение элементов поверхности с
частотой свыше 100 Гц
11.13.1.1.2. Конструкция и технология производства сверхлегких монолит-
ных зеркал со средней эквивалентной плотностью менее
30 кг/кв.м и суммарной массой более 10 кг
11.13.1.1.3. Конструкция и технология производства сверхлегких состав-
ных или пенных зеркальных структур со средней эквивалент-
ной плотностью менее 30 кг/кв.м и суммарной массой более
2 кг
11.13.1.1.4. Конструкция и технология производства зеркал диаметром
или с длиной большей оси более 100 мм и с управлением
лучом в полосе частот более 100 Гц
11.13.1.1.5. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства зеркал, указанных в
пунктах 1.12.1.1.1. - 1.12.1.4.
11.13.1.2. Конструкция и технология производства оптических компо-
нентов из селенида цинка (ZnSe) или сульфида цинка (ZnS)
с передачей в диапазоне длин волн свыше 3000 нм, но не
более 25000 нм, имеющих одну из следующих характеристик:
11.13.1.2.1. объем более 100 куб.см;
11.13.1.2.2. диаметр или длина большей оси более 80 мм и толщина
(глубина) 20 мм и более
11.13.1.2.3. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства оптических компонентов
из селенида цинка (ZnSe) или сульфида цинка (ZnS),
указанных в пунктах 1.12.1.2. - 1.12.1.2.2.
11.13.1.3. Технологии производства компонентов оптических систем
для космических применений
11.13.1.3.1. Технология производства сверхлегких оптических элементов
с эквивалентной плотностью менее чем 20% по сравнению с
твердотельными пластинами той же апертуры и толщины
11.13.1.3.2. Технология производства подложек с поверхностным покры-
тием (однослойным, многослойным, металлическим или
диэлектрическим, проводящим, полупроводящим или изо-
лирующим) или подложек с защитными пленками
11.13.1.3.3. Технология производства сегментов или узлов зеркал для
установки в космосе в оптические системы с общей апер-
турой, эквивалентной или большей 1 м
11.13.1.3.4. Технология производства компонентов оптических систем,
изготовленных из композиционных материалов с коэффици-
ентом линейного теплового расширения равным, или
меньшим 5*10_-6 в направлении любой координаты
11.13.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства компонентов оптических
систем для космического применения, указанных в пунктах
1.12.1.3. - 1.12.1.3.4.
11.13.1.5. Технология производства оптических фильтров
11.13.1.5.1. Технология производства оптических фильтров для длин
волн более 250 нм, включающих многослойные оптические
покрытия и имеющих полосу пропускания до половинной
интенсивности до 1 нм включительно и пиковую передачу
90% и более,или полосу пропускания до 0,1 нм включи-
тельно и пиковую передачу 50% и более
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.13.1.5.1. не распрост-
раняется на технологию производства оптических фильтров
с постоянным воздушным зазором или фильтров типа Лио
11.13.1.5.2. Технология производства оптических фильтров для длин
волн более 250 нм, имеющих настраиваемость в спектраль-
ном диапазоне 500 нм и более, мгновенную полосу пропус-
кания 1,25 нм или менее, установку в течение 0,1 мс с
точностью 1 нм или лучше в пределах перестраиваемого
спектрального диапазона, однопиковый коэффициент про-
пускания 91% или более
11.13.1.5.3. Технология производства оптических переключателей на
конденсаторах (фильтрах) с полем обзора 30° или шире
и временем отклика равным или менее 1 нс
11.13.1.5.4. Технология производства оптических фильтров с шириной
полосы пропускания равной или меньшей 10 нм, полем об-
зора более 10° и разрешением свыше 0,75 пар линий
на мм
11.13.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства оптических фильтров,
указанных в пунктах 1.12.1.4., 1.12.1.4.3. и 11.13.1.5.4.
11.13.1.7. Конструкция и технология производства аппаратуры опти-
ческого контроля
11.13.1.7.1. Конструкция и технология производства аппаратуры, спе-
циально разработанной для обеспечения качества поверх-
ности или ориентации оптических компонентов, указанных
в пунктах 1.12.1.3.1. или 1.12.1.3.3.
11.13.1.7.2. Программное обеспечение, специально созданное для проек-
тирования или производства аппаратуры, специально разра-
ботанной для обеспечения расчета поверхности или ориен-
тации оптических компонентов, указанных в пункте
1.12.1.5.1.
11.13.1.7.3. Конструкция и технология производства аппаратуры, имею-
щей управление, слежение, стабилизацию или подстройку
резонатора с полосой частот равной или более 100 Гц и
погрешностью 10 мкрад или менее
11.13.1.7.4. Программное обеспечение, специально разработанные для проек-
тирования или производства аппаратуры, указанной в
пункте 1.12.1.5.2.
11.13.1.7.5. Конструкция и технология производства кардановых подве-
сов с максимальным углом поворота 5°, шириной полосы
частот более 100 Гц, обладающих любой из следующих ха-
рактеристик:
11.13.1.7.5.1. диаметр или длина большей оси более 0,15 м, но не
более 1 м, чувствительность к угловым ускорениям более
2 рад/с_2, погрешность углового наведения 200 мкрад
или менее;
11.13.1.5.2. специально разработанных для юстировки фазированных
решеток или фазированных систем сегментных зеркал,
состоящих из зеркал с диаметром сегмента или его
большей полуоси 1 м или более, обладающих чувстви-
тельностью к угловым ускорениям более 0,5 рад/с_2 и
погрешностью углового наведения 200 мкрад или менее
11.13.1.7.6. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства кардановых подвесов,
указанных в пунктах 1.12.1.5.3. - 1.12.1.5.3.2.
11.13.1.8. Конструкция и технология производства аппаратуры для из-
мерения абсолютного значения отражательной способности
с погрешностью +- 0,1% или менее
11.13.1.9. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства аппаратуры для измерения
абсолютного значения отражательной способности с пог-
решностью +- 0,1% или менее
11.13.1.10. Технология обработки и покрытия оптических поверхностей
с общими потерями (поглощение и рассеяние) менее чем
5*10_-3 и диаметром или длиной большей оси 500 мм и
более, требуемая для достижения однородности оптических
покрытий 99,5 % или лучше
11.13.1.11. Технология производства серийно выпускаемых оптических
компонентов с суммарной поверхностью более 10 кв.м в
год, или разовой продукции с площадью более 1 кв.м и
средне-квадратической погрешностью обработки 1/10 длины
волны на заданной длине волны
11.13.1.12. Методы одноточечного вращения алмазов с получением ко-
нечной среднеквадратической точности обработки поверх-
ности лучше чем 10 нм на неплоских поверхностях площадью
более 0,5 кв.м
11.13.2. Конструкция и технология производства оптических дат-
чиков
11.13.2.1. Конструкция и технология производства оптических детек-
торов
Примечание
Экспортный контроль по пунктам 11.13.2.1. - 11.13.2.1.4.
не распространяется на конструкцию и технологию производ-
ства германиевых или кремниевых фотодиодов
11.13.2.1.1. Конструкция и технология производства оптических детек-
торов для использования в космосе в виде единичного
элемента, линейки в фокальной плоскости или двух дву-
мерных элементов, имеющих:
11.13.2.1.1.1. групповой отклик на длине волны короче 300 нм и от-
клик менее 0,1 % относительно пикового отклика на
длине волны свыше 400 нм;
11.13.2.1.1.2. пиковый отклик в диапазоне длин волн свыше 900 нм,
но не более 1200 нм, и постоянную времени отклика
95 нс или менее;
11.13.2.1.1.3. пиковый отклик в диапазоне длин волн свыше 1200 нм,
но не свыше 30000 нм
11.13.2.1.2. Конструкция и технология производства электронно-опти-
ческих усилителей яркости и специальных компонентов
11.13.2.1.2.1. Конструкция и технология производства электронно-опти-
ческих усилителей яркости, имеющих пиковый отклик в
диапазоне длин волн свыше 400 нм, но не более 1050 нм,
микроканальный анод для электронного усилителя изо-
бражения с шагом отверстий (расстояние между центрами)
менее 25 мкм и фотокатоды S-20, S-25, многощелевой
фотокатод или фотокатоды из GaAs или GaInAs;
11.13.2.1.2.2. Конструкция и технология производства специально разра-
ботанных компонентов для электронно-оптических усили-
лей яркости:
11.13.2.1.2.2.1. оптоволоконных инверторов;
11.13.2.1.2.2.2. микроканальных анодов, имеющих 15000 или более ламп с
тлеющим разрядом на плате и шаг отверстий (расстояние
между центрами) менее 25 мкм;
11.13.2.1.2.2.3. фотокатодов из GaAs или GaInAs
11.13.2.1.3. Конструкция и технология производства неэквидистантных
линейных или двумерных матриц в фокальной плоскости с
одной из следующих характеристик:
11.13.2.1.3.1. имеющих отдельные элементы с пиковым откликом в
пределах диапазона волн свыше 900 нм, но не более
1050 нм, и постоянной времени отклика менее 0,5 нс;
11.13.2.1.3.2. имеющих отдельные элементы с пиковым откликом в
пределах диапазона волн свыше 1050 нм, но не более
1200 нм, и постоянной времени 95 нс или меньше;
11.13.2.1.3.3. имеющих отдельные элементы с пиковым откликом в
пределах диапазона волн свыше 1200 нм, но не более
30000 нм
11.13.2.1.4. Конструкция и технология производства одиночных или мно-
гоэлементных полупроводниковых фотодиодов или фототран-
зисторов вне фокальной плоскости с пиковым откликом на
длине волны более 1200 нм и постоянной времени отклика
0,5 нс или менее, не предназначенных для космических
применений
Примечания:
1. Пункты 11.13.2.1.3. - 11.13.2.1.4. включают констру-
кцию производства матриц фотопроводимости и солнечных
батарей
2. Экспортный контроль по пункту 11.13.2.1.3. не распро-
страняется на конструкцию и технологию производства
кремниевых матриц в фокальной плоскости, многоэлемент-
ных (не более 16 элементов) фотопроводящих элементов
в оболочке или пироэлектрических детекторов, исполь-
зующих любой из следующих материалов:
сульфид свинца;
сульфат триглицерина и его разновидности;
титанат циркония-лантана-свинца и его
разновидности;
танталат лития;
фторид поливиниллидена и его разновидности;
ниобат бария-стронция и его варианты;
селенид свинца
11.13.2.2. Конструкция и технология производства многоспектральных
формирователей изображений для применений в дистанцион-
ном зондировании, имеющих любую из следующих характе-
ристик:
11.13.2.2.1. мгновенное поле обзора менее 200 мкард;
11.13.2.2.2. специально сконструированных для работы в диапазоне
длин волн свыше 400 нм, но не более 30000 нм, обес-
печивающих данные изображения на выходе в цифровом
формате с использованием детекторов, отличных от
кремниевых и предназначенных для космического применения
или для воздушного базирования
11.13.2.3. Программное обеспечение, специально разработанное для
использования многоспектральных формирователей изобра-
жений, указанных в пунктах 1.12.2.2. - 1.12.2.2.2.
11.13.4. Конструкция и технология производства аппаратуры форми-
рования изображений непосредственного наблюдения в
видимом или инфракрасном диапазоне, включающей одно из
следующих устройств:
11.13.2.4.1. электронно-оптические преобразователи для усиления
яркости изображения, указанные в пункте 1.12.2.1.2.1.;
11.13.2.4.2. матрицы в фокальной плоскости, указанные в пунктах
1.12.2.1.3. - 1.12.2.1.3.3.
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.13.2.4.2. не распро-
страняется на конструкцию и технологию производства
следующей аппаратуры с фотокатодами, отличными от
фотокатодов на GaAs или GaInAs;
промышленных иди гражданских датчиков охраны, систем
учета или контроля дорожного или производственного
движения;
медицинской аппаратуры;
промышленной аппаратуры для контроля, анализа или
сортировки материалов;
детекторов пламени для промышленных печей;
аппаратуры, специально разработанной для промышленного
использования
11.13.2.5. Конструкция и технология производства специализированных
компонентов для оптических датчиков:
11.13.2.5.1. космического применения с криогенным охлаждением;
11.13.2.5.2. некосмического применения с криогенным охлаждением;
11.13.2.5.2.1. замкнутого цикла со средним временем наработки на
отказ или средним временем между отказами свыше
2500 ч;
11.13.2.5.2.2. саморегулирующихся охладителей Джоуля-Томсона с
диаметром отверстия менее 8 мм;
11.13.2.5.3. оптоволоконных датчиков;
11.13.2.5.3.1. специально изготовленных композиционно или струк-
турно, или модифицированных путем покрытия, с чув-
ствительностью к акустическим, термическим, инерци-
онным, электромагнитным или ядерным эффектам;
11.13.2.5.3.2. модифицированных структурно для достижения длины
биений менее чем 50 мм (наибольшее двулучепрелом-
ление)
11.13.3. Конструкция и технология производства камер
11.13.3.1. Конструкция и технология производства инструментальных
камер
11.13.3.1.1. Конструкция и технология производства высокоскоростных
записывающих кинокамер с любым форматом пленки от 8 мм
до 16 мм включительно, в которых пленка движется в про-
цессе записи и в которых запись может производиться со
скоростью свыше 13150 кадров в секунду
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.13.3.1.1. не распрос-
траняется на конструкцию и технологию производства кино-
камер для гражданских целей
11.13.3.1.2. Конструкция и технология производства механических высо-
коскоростных камер, в которых пленка не движется, спо-
собных вести запись со скоростью свыше 10_6 кадров в
секунду для пленки шириной 35 мм, или для пропорцио-
нально более высоких скоростей, более узкой пленки,
или для пропорционально меньших скоростей более
широкой пленки
11.13.3.1.3. Конструкция и технология производства механических или
электронных камер-фотохронографов со скоростью записи
свыше 10 мм/мкс
11.13.3.1.4. Конструкция и технология производства электронных кад-
ровых камер со скоростью свыше 10_6 кадров в секунду
11.13.3.1.5. Конструкция и технология производства электронных камер
имеющих скорость электронного затвора (скорость стро-
бирования) менее 1 мкс на полный кадр и время считыва-
ния, позволяющих получать более чем 125 полных кадров
в секунду
11.13.3.2. Конструкция и технология производства камер для получе-
ния видеоизображений
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.13.3.2. не распростра-
няется на конструкцию и технологию производства телеви-
зионных и видеокамер для телевидения
11.13.3.2.1. Конструкция и технология производства видеокамер, вклю-
чающих твердотельные чувствительные элементы, имеющие
одну из следующих характеристик:
11.13.3.2.1.1. более 4*10_6 активных пикселей на твердотельную матри-
цу для монохромной (черно-белой) камеры;
11.13.3.2.1.2. более 4*10_6 активных пикселей на твердотельную матри-
цу для цветных камер с тремя твердотельными матрицами;
11.13.3.2.1.3. более 12*10_6 активных пикселей на твердотельную матри-
цу для цветных камер с одной твердотельной матрицей;
11.13.3.2.2. Конструкция и технология производства сканирующих камер
и систем сканирующих камер, включающих линейную решетку
детекторов с более чем 8192 элементами на решетке, и с
механическим сканированием в одном направлении
11.13.3.2.3. Конструкция и технология производства камер для полу-
чения видеоизображения, включающих преобразователь для
усиления яркости изображения, указанный в пункте
1.12.2.1.2.1.
11.13.3.2.4. Конструкция и технология производства камер для получе-
ния видеоизображения, включающих матрицы в фокальной
плоскости, указанные в пунктах 1.12.2.1.3. - 1.12.2.1.3.3.
11.13.4. Конструкция и технология производства лазеров, компо-
нентов, оптического оборудования для них
11.13.4.1. Конструкция и технология производства газовых лазеров
11.13.4.1.1. Конструкция и технология производства эксимерных лазеров,
имеющих одну из следующих характеристик:
11.13.4.1.1.1. длину волны выходного излучения, не превышающую 150 нм,
выходную энергию более 50 мДж на импульс или среднюю,
или непрерывную мощность более 1 Вт;
11.13.4.1.1.2. длину волны выходного излучения более 150 нм, но не пре-
вышающую 190 нм, выходную энергию на импульс, превышаю-
щую 1,5 Дж, или среднюю, или непрерывную мощность,
превышающую 120 Вт;
11.13.4.1.1.3. длину волны выходного излучения, превышающую 190 нм,
но не более 360 нм, выходную энергию на импульс,
превышающую 10 Дж, или среднюю, или непрерывную выход-
ную мощность, превышающую 500 Вт;
11.13.4.1.1.4. длину волны выходного излучения, превышающую 369 нм,
выходную энергию на импульс, превышающую 1,5 Дж,
или среднюю, или непрерывную выходную мощность
более 30 Вт
11.13.4.1.2. Программное обеспечение специально разработанное для
проектирования или производства эксимерных лазеров,
указанных в пунктах 1.12.4.1.1. - 1.12.4.1.1.4.
11.13.4.1.3. Конструкция и технология производства лазеров на парах
металлов:
11.13.4.1.3.1. конструкция и технология производства медных (Cu)
лазеров со средней или непрерывной выходной мощностью
более 20 Вт;
11.13.4.1.3.2. конструкция и технология производства золотых (Аu)
лазеров со средней или непрерывной выходной мощностью
более 5 Вт;
11.13.4.1.3.3. конструкция и технология производства натриевых (Na)
лазеров с выходной мощностью более 5 Вт;
11.13.4.1.3.4. конструкция и технология производства бариевых (Ba)
лазеров со средней или непрерывной выходной мощностью
более 2 Вт;
11.13.4.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства лазеров на парах метал-
лов, указанных в пунктах 1.12.4.1.2. - 1.12.4.1.2.4.
11.13.4.1.5. Конструкция и технология производства лазеров на моно-
окиси углерода (СО) с:
11.13.4.1.5.1. выходной энергией более 2 Дж на импульс и импульсной
пиковой мощностью более 5 кВт;
11.13.4.1.5.2. средней или непрерывной выходной мощностью более 5 кВт
11.13.4.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства лазеров на основе моно-
окиси углерода, указанных в пунктах 1.12.4.1.3. -
1.12.4.1.3.2.
11.13.4.1.7. Конструкция и технология производства лазеров на дву-
окиси углерода (СО2) с:
11.13.4.1.7.1. непрерывной выходной мощностью более 10 кВт;
11.13.4.1.7.2. импульсным излучением с длительностью импульса более
10 мкс, средней выходной мощностью свыше 10 кВт или
импульсной пиковой мощностью более 100 кВт;
11.13.4.1.7.3. импульсным излучением с длительностью импульса, равным
или менее 10 мкс, энергией импульса более 5 Дж,
импульсной пиковой мощностью свыше 2,5 кВт или сред-
ней, или непрерывной выходной мощностью более 2,5 кВт
11.13.4.1.8. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства лазеров на двуокиси
углерода, указанных в пунктах 1.12.4.1.4. -
1.12.4.1.4.3.
11.13.4.1.9. Конструкция и технология производства химических лазе-
ров:
11.13.4.1.9.1. водородно-фторовых (HF) лазеров;
11.13.4.1.9.2. дейтерий-фторовых (DF) лазеров;
11.13.4.1.9.3. переходных лазеров:
11.13.4.1.9.3.1. кислородно-иодовых лазеров (О2-I);
11.13.4.1.9.3.2. дейтерий-фторовых-двуокись углеродных (DF-CO2)
лазеров
11.13.4.1.10. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства химических лазеров,
на которые наложены ограничения пунктами 1.12.4.1.5. -
1.12.4.1.5.3.2.
11.13.4.1.11. Конструкция и технология производства газоразрядных и
ионных лазеров (на ионах криптона или аргона), имею-
щих:
11.13.4.1.11.1. выходную энергию более 1,5 Дж на импульс и импульсную
пиковую мощность более 50 Вт;
11.13.4.1.11.2. среднюю или непрерывную мощность более 50 Вт
11.13.4.1.12. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства газоразрядных и ионных
лазеров, указанных в пунктах 1.12.4.1.6. -
1.12.4.1.6.2.