11.4.1. Технология производства гидравлических жидкостей, содер-
жащих в качестве основных составляющих любые из следую-
щих веществ или материалов;
11.4.1.1. систетические углеводородные масла или кремний-углево-
дородные масла с точкой возгорания свыше 477 К (204°С),
с точкой застывания 239 К (-34°С) или ниже, коэффициен-
том вязкости 75 или более, термостабильностью при 616 К
(343° С);
Примечание
Указанные в пункте 11.4.1.1. кремний-углеводородные масла
содержат исключительно кремний, водород и углерод
11.4.1.2. хлоро-фторуглероды с температурой самовоспламенения
свыше 977 К (704°С), с точкой застывания 219 К (-54°С),
коэффициентом вязкости 80 или более и точкой кипения
473 К (200° С) или более
Примечание
Указанные в пункте 11.4.1.2. хлоро-фторуглероды содер-
жат исключительно хлор, фтор и углерод
11.4.2. Технология производства смазочных материалов, содержащих
в качестве основных составляющих следующие вещества и
материалы:
11.4.2.1. фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или
их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных
функций или смесей;
11.4.2.2. фторированные кремнийсодержащие жидкости, характери-
зуемые кинематической вязкостью менее 5000 кв.мм/с
(5000 сантистоксов) при температуре 298 К (25° С)
11.4.3. Технология производства увлажняющих или флотирующих
жидкостей с показателем чистоты более 99,8%, содержащих
менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл и
изготовленных по меньшей мере на 85% из следующих ве-
ществ и материалов:
11.4.3.1. дибромтетрафторэтана;
11.4.3.2. полихлортрифторэтилена (только маслянистые и воско-
образные модификации);
11.4.3.3. полибромтрифторэтилена
Раздел 11.5. Фармацевтические препараты
11.5.1. Технология производства полианатоксинов
11.5.2. Технология производства вакцины инактивированной, кон-
центрированной, очищенной для профилактики венесуэльс-
кого энцефаломиелита на основе оригинального штамма
СМ-27
11.5.3. Технология производства дивакцины инактивированной, куль-
туральной, очищенной для профилактики восточного и западного
энцефаломиелита лошадей
11.5.4. Технология производства препаратов группы холинэстераз
для определения фосфорорганических ОВ и инфоромация по
использованию препаратов
11.5.5. Технология получения и использования иммуноглобулинов
полигрупповых люминесцирующих риккетсиозных, позволяю-
щих проводить индикацию риккетсий группы сыпного тифа,
клещевой пятнистой лихорадки и ку-риккетсиоза при имму-
нофлуоресцентном анализе
11.5.6. Диагностикум, технология получения и использования
культурального, поливалентного диагностикума геморраги-
ческой лихорадки с почечным синдромом для непрямого
метода иммунофлуоресценции
11.5.7. Гибридомная технология получения иммунодиагностикума
моноклонального люминесцирующего к вирусу клещевого
энцефалита и информация об использовании диагностикума
Раздел 11.6. Токсичные вещества
11.6.1. Информация о синтезе и оценке физико-химических токси-
кологических характеристик нейротоксикантов особо
высокой токсичности со средней летальной дозой менее
0,1 мг/кг в целях поиска нейротоксикантов высокой
эффективности
Раздел 11.7. Материалы и полуфабрикаты
для производства изделий электронной техники и оптики
11.7.1. Технология изготовления и нанесения радиопоглощающих
покрытий типа ФП-1 и ФП-3 с коэффициентом отражения
менее 15% при температуре до 623 К (350° С)
11.7.2. Технология производства многослойных структур кадмий-
ртуть-теллур (КРТ) с использованием вакуумного синтеза
11.7.3. Технологии производства материалов для оптических дат-
чиков:
11.7.3.1. Технология производства элементарного теллура (Te) чис-
тотой, равной или более 99,9995%
11.7.3.2. Технология производства монокристаллов теллурида кадмия
(CdTe) любой чистоты, включая эпитаксиальные пластины
11.7.3.3. Технология производства заготовок оптических волокон,
специально предназначенных для производства волокон с
высоким двулучепреломлением, использующихся в оптоволо-
конных датчиках, указанных в пунктах 1.12.2.4.3. -
1.12.2.4.3.2.
11.7.4. Технологии производства оптических материалов:
11.7.4.1. Технология производства селенида цинка (ZnSe) и
сульфида цинка (ZnS) в виде пластин-подложек, изго-
товляемых в процессе химического осаждения паров,
объемом более 100 куб.см или диаметром более 80 мм при
толщине, равной или более 20 мм
11.7.4.2. Технологии производства слитков следующих электроопти-
ческих материалов:
11.7.4.2.1. арсенида титаната калия (КТА);
11.7.4.2.2. смешанного селенида серебра и галлия (AgGaSe2);
11.7.4.2.3. смешанного селенида таллия и мышьяка (Tl3AsSe3), также
известного как ТАС
11.7.4.3. Технология производства нелинейных оптических материалов,
имеющих восприимчивость третьего порядка (3), равную
или меньшую 1 Вт/кв.м, время отклика менее 1 мс
11.7.4.4. Технология производства пластинчатых подложек карбида
кремния или осажденных материалов бериллия/бериллия
(Ве/Ве) свыше 300 мм в диаметре или длины наибольшей
оси
11.7.4.5. Технологии производства материалов с малым оптическим
поглощением:
11.7.4.5.1. Технология производства сложных соединений фтора, содер-
жащих ингредиенты с чистотой 99,999% или более
Примечание
Пункт 11.7.4.5.1. распространяется только на технологию
производства фторидов циркония или алюминия и подобных
соединений
11.7.4.5.2. Технология производства объемных фторсодержащих стекол,
указанных в пункте 1.6.9.5.2.
11.7.4.6. Технология производства стекол, содержащих расплавы крем-
ния, стекол и фосфатов, фторфосфатов, фторида циркония
(ZrF4) и фторида гафния (HfF4) с концентрацией гидроксиль-
ных ионов (ОН-) менее 5 промилле, интегральными уровнями
чистоты металлов менее 1 промилле, высокой однородностью
(вариацией показателя преломления менее 5*10_-6)
11.7.4.7. Технология производства синтетического алмазного матери-
ала с поглощением менее 10_-5 см на длине волны свыше
200 нм, но не более 14000 нм
11.7.4.8. Технология производства оптоволоконных заготовок, изготов-
ленных из объемных соединений фторидов, содержащих ингре-
диенты с чистотой 99,999% или лучше, специально разрабо-
танных для производства фторидных волокон, указанных в
пункте 1.12.5.4.
11.7.5. Технологии производства материалов для кристаллических
основ лазеров:
11.7.5.1. сапфира с имплантированным титаном;
11.7.5.2. александрита
11.7.6. Технологии производства материалов резистов и подложек
покрытых резистами:
11.7.6.1. Технология производства позитивных резистов со спектраль-
ной чувствительностью, оптимизированной на излучение
менее 370 нм
11.7.6.2. Технология производства всех резистов, используемых для
экспонирования электронными или ионными пучками, с
чувствительностью не хуже 0,01 мкКл/кв.мм
11.7.6.3. Технология производства всех резистов, используемых для
экспонирования рентгеновскими лучами, с чувствитель-
ностью не хуже 2,5 мДж/кв.мм
11.7.6.4. Технология производства всех резистов, оптимизированных
под технологию формирования рисунка, включая силицирован-
ные резисты
11.7.7. Технология производства металл-органических соединений
алюминия, галлия или индия, имеющих чистоту (металли-
ческой основы) более 99,999 %
11.7.8. Технология производства гидридов фосфора, мышьяка или
сурьмы, имеющих чистоту более 99,999 % даже после разбав-
ления нейтральными газами
Примечание
Технология производства гидридов, содержащих 20 и более
мольных процентов инертных газов или водорода, не подле-
жит экспортному контролю согласно пункту 11.7.8.
11.7.9. Технология производства заготовок стекла или любых дру-
гих материалов, оптимизированных для производства опти-
ческих волокон, указанных в пункте 1.12.5.
11.7.10. Технология нанесения покрытий на оптические волокна, спе-
циально предназначенные для подводного применения
Раздел 11.8. Электротехника и энергетика
11.8.1. Технология производства сверхпроводящих композитных ма-
териалов длиной более 100 м или массой, превышающей
100 г:
11.8.1.1. Технология производства многожильных сверхпроводящих
композитных материалов, содержащих одну ниобиевую нить
или более:
11.8.1.1.1. уложенных в матрицу не из меди или не на основе медь-
содержащего материала;
11.8.1.1.2. с площадью поперечного сечения менее 0,28*10_-4 кв.мм
(6 мкм в диаметре в случае нитей круглого сечения)
11.8.1.2. Технология производства сверхпроводящих композитных ма-
териалов не из ниобий-титана, состоящих из одной или
более сверхпроводящих нитей:
с критической температурой при нулевой магнитной ин-
дукции, превышающей 9,85 К (-263,31 °С), но не ниже
24 К (-249,16 °С);
с площадью поперечного сечения менее 0,28*10_-4 кв.мм;
которые остаются в состоянии сверхпроводимости при
температуре 4,2 К (-268,96 °С), находясь в магнитном
поле с магнитной индукцией 12 Т
11.8.2. Информация о результатах исследований и разработок высоко-
температурных сверхпроводников с критическим магнитным по-
лем, с магнитной индукцией более 150 Т и критическим то-
ком более 1000 МА/кв.м при температуре 77 К (-196 °С) для
техники магнитного ускорения объектов
11.8.3. Информация о конструкционных и технологических решениях в
области создания импульсных источников электроэнергии на
основе формирующих линий с мощностью, превышающей
100 ТВт при энергии, превышающей 5 МДж
11.8.4. Информация о конструкционных и технологических решениях
в области создания импульсных источников электроэнергии
на основе униполярных генераторов, предназначенных для
медленного отбора мощности (более 1 с) с запасом энергии
более 100 МДж и быстрого отбора мощности (менее 1 мс) с
запасом энергии 1 МДж
11.8.5. Конструкция и технология производства батарей
Примечание
Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и
технологию производства батарей с объемом 26 куб.см и
меньше (например, стандартные угольные элементы), ука-
занных в пунктах 11.8.5. - 11.8.5.3.
11.8.5.1. Конструкция и технология производства первичных элемен-
тов и батарей с плотностью энергии выше 350 Вт*ч/кг,
пригодных по техническим условиям для работы в диапазоне
температур от 243 К (-30 ° С) и ниже до 343 К (70 °С)
и выше
11.8.5.2. Конструкция и технология производства подзаряжаемых эле-
ментов и батарей с плотностью энергии свыше 150 Вт*ч/кг
после 75 циклов заряда-разряда при токе разряда, равном
С/5 ч (здесь С - номинальная емкость в А*ч) и при рабо-
те в диапазоне температур от 253 К (-20 °С) и ниже
до 333 К (60 °С) и выше
11.8.5.3. Конструкция и технология производства радиационностойких
батарей на фотоэлектрических элементах с удельной мощ-
ностью свыше 160 Вт/кв.м при рабочей температуре 301 К
(28 °С) и вольфрамовом источнике, нагретом до 2800 К
(2527 °С) и создающем энергетическую освещенность
1 кВт/кв.м, пригодных по техническим условиям для косми-
ческого применения
11.8.5.4. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования батарей, указанных в пунктах 1.7.2. -
1.7.2.3.
11.8.6. Конструкция и технология производства накопителей энер-
гии
11.8.6.1. Конструкция и технология производства накопителей энергии
с частотой повторения менее 10 Гц (одноразовых накопи-
телей), имеющих номинальное напряжение не менее 5 кВ,
плотность энергии не менее 250 Дж/кг и общую энергию не
менее 25 кДж
11.8.6.2. Конструкция и технология производства накопителей энер-
гии с частотой повторения менее 10 Гц и больше (много-
разовых накопителей), имеющих номинальное напряжение не
менее 5 кВ, плотность энергии не менее 50 Дж/кг, общую
энергию не менее 100 Дж и количество циклов заряда-раз-
ряда не менее 10000
11.8.6.3. Конструкция и технология производства схем или систем
для накопления электромагнитной энергии, содержащих компо-
ненты из сверхпроводящих материалов, специально спроек-
тированных для работы при температурах ниже критической
температуры с хотя бы одной из сверхпроводящих состав-
ляющих, имеющих рабочие резонансные частоты свыше 1 МГц,
плотность запасаемой энергии не менее 1 МДж/куб.м и
время разряда менее 1 мс
11.8.6.4. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования накопителей энергии, указанных в пунктах
1.7.3. - 1.7.3.3.
11.8.7. Конструкция и технология производства сверхпроводящих
электромагнитов или соленоидов, специально спроектиро-
ванных на полный заряд или разряд менее чем за минуту,
имеющих максимальную энергию в разряде, деленную на дли-
тельность разряда, свыше 500 кДж/мин, внутренний диаметр
токопроводящих обмоток свыше 250 мм и номинальную маг-
нитную индукцию свыше 8 Т или суммарную плотность тока
в обмотке больше 300 А/кв.мм
Примечание
Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и
технологию производства сверхпроводящих электромагнитов
или соленоидов, специально спроектированных для медицин-
ской аппаратуры магниторезонансной томографии
11.8.7.1. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования сверхпроводящих электромагнитов или
соленоидов, указанных в пункте 1.7.4.
11.8.8. Конструкция и технология производства рентгеновских сис-
тем с короткоимпульсным разрядом, имеющих пиковую мощ-
ность, превышающую 500 МВт, выходное напряжение, превы-
шающее 500 кВт, и ширину импульса менее 0,2 мкс
11.8.8.1. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования рентгеновских систем с короткоимпульсным
разрядом, указанных в пункте 1.7.5.
11.8.9. Информация о конструкторских решениях, технологиях, ма-
териалах, основных узлах и системах бортовых ядерных
электроэнергоустановок, позволяющая осуществить непосред-
ственное воспроизведение или способствующая ускорению
реализации подобных проектов
11.8.10 Информация и конструкционных и технологических решениях,
позволяющих создать короткоимпульсные электронные и
протонные ускорители с энергией более 8 Мэв и током в
импульсе более 1 кА
Раздел 11.9. Функциональное оборудование, узлы и детали
11.9.1. Конструкция и технология производства антифрикционных под-
шипников или систем подшипников и их компонентов
Примечание
Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и
технологию производства шарикоподшипников с допусками,
устанавливаемыми производителями в соответствии со стан-
дартом ИСО 3290 класс 5 или хуже
11.9.1.1. Конструкция и технология производсттва шариковых или
роликовых подшипников (кроме конических роликовых под-
шипников), имеющих допуски, устанавливаемые производителем
в соответствии со стандартом ИСО, имеющих любую из сле-
дующих характеристик:
11.9.1.1.1. кольца, шарики или ролики из медно-никелевого сплава
или бериллия;
11.9.1.1.2. изготовленные для применения при рабочих температурах
выше 573 К (300° С) либо с применением специальных
материалов или специальной тепловой обработки;
11.9.1.1.3. с элементами смазки или компонентом, модифицирующим
этот элемент, который в соответствии со спецификацией
изготовителя специально спроектирован для подшипников,
работающих при скоростях, соответствующих значению КСВ
более 2,3*10_6
11.9.1.2. Конструкция и технология производства других шариковых
или роликовых подшипников (кроме конических роликовых под-
шипников), имеющих допуски, устанавливаемые производителем
в соответствии со стандартом ИСО класс 2 или лучше
(или национальными эквивалентами)
11.9.1.3. Конструкция и технология производства конических
роликовых подшипников, имеющих любую из следующих харак-
теристик:
11.9.1.3.1. с элементами смазки или компонентом, модифицирующим
этот элемент, который в соответствии со спецификацией
изготовителя специально спроектирован для подшипников,
работающих при скоростях, соответствующих значению КСВ
более 2,3*10_6;
11.9.1.3.2. изготовленные для применения при рабочих температурах
ниже 219 К (-54° С) или выше 423 К (150° С)
11.9.1.4. Конструкция и технология производсттва тонкостенных под-
шипников с газовой смазкой, изготовленных для применения
при рабочих температурах 561 К (288° С) или выше, и со
способностью выдерживать единичную нагрузку, превышающую
1 МПа
11.9.1.5. Конструкция и технология производства активных магнитных
подшипниковых систем
11.9.1.6. Конструкция и технология производства серийно изготав-
ливаемых самоцентрирующихся или серийно изготавливаемых
и устанавливаемых на шейку вала подшипников скольжения,
изготовленных для использования при рабочих температурах
ниже 219 К (-54° С) или выше 423 К (150° С)
11.9.1.7. Программное обеспечение, специально разработанное или
модифицированное для проектирования и производства подшип-
ников, указанных в пунктах 1.8.1. - 1.8.1.6.
Раздел 11.10. Обработка материалов
11.10.1. Производственные процессы металлообработки
11.10.1.1. Технологии проектирования станков (инструмента), пресс-
форм или зажимных приспособлений, специально спроекти-
рованных для следующих процессов:
11.10.1.1.1. сверхпластичного деформирования;
11.10.1.1.2. термодиффузионного сращивания;
11.10.1.1.3. гидравлического прессования прямого действия
11.10.1.2. Технические данные, включающие параметры или методы реа-
лизации процесса, перечисленные ниже и используемые для
управления:
11.10.1.2.1. сверхпластичным деформированием алюминиевых, титановых
сплавов или суперсплавов, включая:
подготовку поверхности;
степень деформации;
температуру;
давление
Примечание
К суперсплавам относятся сплавы на основе никеля, кобаль-
та или железа, сохраняющие высокую прочность при темпе-
ратурах свыше 922 К (649° С) в тяжелых условиях функцио-
нирования и окружающей среды
11.10.1.2.2. термодиффузионным сращиванием суперсплавов или титановых
сплавов, включая:
подготовку поверхности;
температуру;
давление
11.10.1.2.3. гидравлическим прессованием прямого действия алюминие-
вых или титановых сплавов, включая:
давление;
время цикла
11.10.1.2.4. горячей изостатической деформацией титановых, алюми-
ниевых сплавов и суперсплавов, включая:
температуру;
давление;
время цикла
11.10.2. Конструкция и технология производства гидравлических вы-
тяжных формовочных машин и матриц для изготовления лег-
ких корпусных конструкций
11.10.3. Конструкция и технология производства универсальных
станков (без программного управления) для получения
оптически качественных поверхностей;
11.10.3.1. токарных станков, использующих единственную точку
фрезерования и обладающих всеми нижеследующими
характеристикми:
точность положения суппорта меньше (лучше) чем
0,0005 мм на 300 мм перемещения;
повторяемость двунаправленного положения суппорта
меньше (лучше) чем 0,00025 мм на 300 мм перемещения;
биение и эксцентриситет шпинделя меньше (лучше)
чем 0,0004 мм по индикатору общего считывания;
угловая девиация движения суппорта (рыскание,
тангаж и вращение вокруг продольной оси) меньше
(лучше) чем 2 дуговые секунды по индикатору общего
считывания на полном перемещении;
перпендикулярность суппорта меньше (лучше) чем
0,001 мм на 300 мм перемещения;
11.10.3.2. станков с летучей фрезой, имеющих биение и эксцентри-
ситет меньше (лучше) чем 0,0004 мм по индикатору об-
щего считывания и угловую девиацию движения суппорта
(рыскание, тангаж и вращение вокруг продольной оси)
меньше (лучше) чем 2 дуговые секунды по индикатору
общего считывания на полном перемещении
11.10.4. Конструкция и технология производства станков с ЧПУ или
станков с ручным управлением, включая специально спроек-
тированные компоненты, элементы управления и приспособ-
ления для них, специально спроектированных для фрезеро-
вания, финишной обработки, полирования или хонингования
закаленных (Rc=40 или более) конических или цилиндричес-
ких шестерен в соответствии с пунктами 1.9.3. - 1.9.3.2.
11.10.5. Программное обеспечение, специально разработанное или
модифицированное для проектирования, производства и
применения программно-управляемых станков, указанных в
пунктах 1.9.3. - 1.9.3.2.
11.10.6. Конструкция и технология производства оборудования, спе-
циально спроектированного для реализации процесса и
управления процессом нанесения неорганических покрытий,
защитных слоев и поверхностного модифицирования, а также
специально спроектированных средств автоматизированного
регулирования, установок, манипуляторов и компонентов
управления
11.10.6.1. Конструкция и технология производства снабженных програм-
мно-управляемым запоминающим устройством производственных
установок для нанесения твердого покрытия из парообразных
химических соединений, указанных в пункте 1.9.4.1.
11.10.6.2. Программное обеспечение, специально разработанное или
модифицированное для проектирования, производства или
применения производственных установок для нанесения
покрытия из парообразных химических соединений, указан-
ных в пункте 1.9.4.1.
11.10.6.3. Конструкция и технология производства снабженных програм-
мно-управляемым запоминающим устройством производственных
установок для ионной имплантации, указанных в пункте
1.9.4.2.
11.10.6.4. Программное обеспечение, специально разработанное или
модифицированное для проектирования, производства или
применения производственных установок ионной импланта-
ции, указанных в пункте 1.9.4.2.
11.10.6.5. Конструкция и технология производства снабженных програм-
мно-управляемым запоминающим устройством электронно-луче-
вых установок для нанесения покрытий методом физического
осаждения паров, указанных в пункте 1.9.4.3.
11.10.6.6. Программное обеспечение, специально разработанное или
модифицированное для проектирования, производства или
применения электронно-лучевых установок для нанесения
покрытий методом физического осаждения паров,
указанных в пункте 1.9.4.3.
11.10.6.7. Конструкция и технология производства снабженных програм-
мно-управляемым запоминающим устройством производственных
установок для плазменного напыления, указанных в пунктах
1.9.4.4. - 1.9.4.4.2.
11.10.6.8. Программное обеспечение, специально разработанное или
модифицированное для проектирования, производства или
применения производственных установок для плазменного
напыления, указанных в пунктах 1.9.4.4. - 1.9.4.4.2.
11.10.6.9. Конструкция и технология производства снабженных програм-
мно-управляемым запоминающим устройством производственных
установок для металлизации напылением, способных обеспечить
плотность тока 0,1 мА/мм или более с производительностью
напыления 15 мкм в час или более