11.17.1.2.7. Конструкция и технология производства микроволновых
твердотельных усилителей
11.17.1.2.7.1. работающих на частотах свыше 10,5 ГГц и имеющих ширину
рабочей полосы частот более чем пол-октавы;
11.17.1.2.7.2. работающих на частотах свыше 31 ГГц
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.1.2.7. не распростра-
няется на конструкцию и технологию производства усили-
телей:
специально спроектированных для медицинских целей;
специально спроектированных для простых учебных при-
боров;
имеющих выходную мощность не более 10 Вт и специально
спроектированных для:
промышленных или гражданских систем защиты периметра,
обнаружения посторонних лиц или охранной сигнализа-
ции;
автодорожных или промышленных систем управления дви-
жением и систем подсчета;
систем обнаружения экологического загрязнения воздуха
или воды
11.17.1.2.8. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства микроволновых твердо-
тельных усилителей, указанных в пунктах 1.16.1.2.4. -
1.16.1.2.4.2.
11.17.1.2.9. Конструкция и технология производства полосовых или за-
граждающих фильтров с электронной или магнитной настрой-
кой, имеющих свыше 5 настраиваемых резонаторов, обеспе-
чивающих настройку в полосе частот с соотношением макси-
мальной и минимальной частот 1,5 менее чем за 10 мкс,
причем полоса пропускания составляет более 0,5% от
резонансной частоты или полоса подавления составляет
менее 0,5 % от резонансной частоты
11.17.1.2.10. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства полосовых или заграж-
дающих фильтров, указанных в пункте 1.16.1.2.5.
11.17.1.2.11. Конструкция и технология производства микроволновых
сборок, способных работать на частотах, превыщающих
31 ГГц
11.17.1.2.12. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства микроволновых сборок,
способных работать на частотах, превышающих 31 ГГц
11.17.1.2.13. Конструкция и технология производства гибких волноводов,
спроектированных для использования на частотах свыше
40 ГГц
11.17.1.2.14. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства гибких волноводов,
спроектированных для использования на частотах свыше
40 ГГц
11.17.1.3. Конструкция и технология производства приборов на
акустических волнах и специально спроектированных для
них компонентов
11.17.1.3.1. Конструкция и технология производства приборов на повер-
хностных акустических волнах в тонкой подложке (т.е.
приборов для обработки сигналов, использующих упругие
волны в материале), имеющих хотя бы один из следующих
признаков:
11.17.1.3.1.1. несущая частота превышает 1 ГГц;
11.17.1.3.1.2. несущая частота 1 ГГц и менее, частотное подавление
боковых лепестков диаграммы направленности превышает
55 дБ, произведение максимального времени задержки (в
мкс) на ширину полосы частот (в МГц) больше 100 или
задержка распространения превышает 10 мкс
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.1.3.1. не распро-
страняется на конструкцию и технологию производства
приборов, специально спроектированных для бытовой
электроники или развлечений
11.17.1.3.2. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства приборов на поверх-
ностных акустических волнах в тонкой подложке, указанных
в пунктах 1.16.1.3.1. - 1.16.1.3.1.2.
11.17.1.3.3. Конструкция и технология производства приборов на
объемных акустических волнах (т.е. приборов для обра-
ботки сигналов, использующих упругие волны в материале),
обеспечивающих непосредственную обработку сигналов на
частотах свыше 1 ГГц
11.17.1.3.4. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства приборов на объемных
акустических волнах, указанных в пункте 1.16.1.3.2.
11.17.1.3.5. Конструкция и технология производства акустооптических
приборов обработки сигналов, использующих взаимодействие
между акустическими волнами (объемными или поверхностными)
и световыми волнами, что обеспечивает непосредственную
обработку сигналов или изображения, включая анализ спек-
тра, корреляцию или свертку
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.1.3.5. не распро-
страняется на конструкцию и технологию производства
приборов, специально спроектированных для гражданского
телевидения, видео- или амплитудно модулированной и
частотно модулированной широковещательной аппаратуры
11.17.1.3.6. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования, производства или применения
многокамерного центра обработки полупроводниковых
пластин, указанного в пункте 1.16.3.3.
11.17.1.4. Конструкция и технология производства электронных при-
боров или схем, содержащих элементы, изготовленные из
сверхпроводящих материалов, специально спроектированных
для работы при температурах ниже критической температуры
хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющих
хотя бы один из следующих признаков:
11.17.1.4.1. наличие электромагнитного усиления на частотах, равных
или ниже 31 ГГц, с уровнем шумов ниже 0,5 дБ или
на частотах свыше 31 ГГц;
11.17.1.4.2. наличие токовых переключателей для цифровых схем, ис-
пользующих сверхпроводящие вентили, у которых произве-
дение времени задержки на вентиль (в секундах) на рас-
сеяние мощности на вентиль (в ваттах) ниже 10_-14 Дж;
11.17.1.4.3. обеспечение селекции частоты на всех диапазонах частот
с использованием резонансных контуров с добротностью
свыше 10000
11.17.1.5. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства электронных приборов или
схем, содержащих элементы, изготовленные из сверхпроводя-
щих материалов, указанных в пунктах 1.16.1.4. -
1.16.1.4.3.
11.17.1.6. Конструкция и технология производства вращающихся преоб-
разователей абсолютного углового положения вала в код,
имеющих хотя бы один из следующих признаков:
11.17.1.6.1. разрешение лучше чем 1/265000 от полного диапазона
(18 бит);
11.17.1.6.2. точность лучше +-2,5 угл.с
11.17.1.7. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства вращающихся преобразо-
вателей абсолютного углового положения вала в код, ука-
занных в пунктах 1.16.1.5. - 1.16.1.5.2.
11.17.1.8. Конструкция и технология производства вакуумных микро-
электронных приборов
11.17.1.9. Конструкция и технология производства полупроводниковых
приборов с гетероструктурой, например, транзисторов с вы-
сокой подвижностью электронов (ВПЭТ), биполярных тран-
зисторов на гетероструктуре (ГБТ), приборов на эффекте
потенциальной ямы или приборов на сверхрешетках
11.17.1.10. Конструкция и технология производства электронных приборов
со сверхпроводимостью
11.17.2. Конструкция и технология производства электронной аппа-
ратуры общего назначения
11.17.2.1. Конструкция и технология производства записывающей аппа-
ратуры
11.17.2.1.1. Конструкция и технология производства накопителей на
магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, включая накопи-
тели с возможностью записи цифровых сигналов (т.е. ис-
пользующей модуль цифровой записи высокой плотности),
имеющих хотя бы один из следующих признаков:
11.17.2.1.1.1. полоса частот превышает 4 МГц на электронный канал или
дорожку;
11.17.2.1.1.2. полоса частот превышает 2 МГц на электронный канал или
дорожку при числе дорожек более 42;
11.17.2.1.1.3. ошибка рассогласования временной шкалы менее +- 0,1 мкс;
11.17.2.1.2. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства накопителей на магнитной
ленте для аналоговой аппаратуры, указанных в пунктах
1.16.2.1.1. - 1.16.2.1.1.3.
11.17.2.1.3. Конструкция и технология производства цифровых видеомаг-
нитофонов, имеющих максимальную пропускную способность
цифрового интерфейса свыше 180 Мбит/с, кроме специально
спроектированных для телевизионной записи по стандартам
или рекомендациям для гражданского телевидения
11.17.2.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства цифровых видеомагнито-
фонов, указанных в пункте 1.16.2.1.2.
11.17.2.1.5. Конструкция и технология производства накопителей на
магнитной ленте для цифровой аппаратуры, имеющих хотя
бы один из следующих признаков:
11.17.2.1.5.1. максимальная пропускная способность цифрового интер-
фейса свыше 60 Мбит/с и использование методов спираль-
ного сканирования;
11.17.2.1.5.2. максимальная пропускная способность цифрового интер-
фейса свыше 120 Мбит/с и использование фиксированных
магнитных головок;
11.17.2.1.5.3. по техническим условиям пригодны для космического при-
менения
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.2.5.3. не распро-
страняется на конструкцию и технологию производства
аналоговых накопителей на магнитной ленте , оснащенных
электроникой для преобразования в цифровую запись высо-
кой плотности и предназначенных для записи только циф-
ровых данных
11.17.2.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства накопителей на магнитной
ленте для цифровой аппаратуры, указанных в пунктах
1.16.2.1.3. - 1.16.2.1.3.3.
11.17.2.1.7. Конструкция и технология производства аппаратуры с мак-
симальной пропускной способностью цифрового интерфейса
свыше 60 Мбит/с спроектированной для переделки цифровых
видеомагнитофонов в устройство записи данных цифровой
аппаратуры
11.17.2.1.8. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства аппаратуры, указанной
в пункте 1.16.2.1.4.
11.17.2.2. Конструкция и технология производства сборок синтезато-
ров частоты, имеющих время переключения с одной заданной
частоты на другую менее 1 мс
11.17.2.3. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства сборок синтезаторов
частоты, указанных в пункте 1.16.2.2.
11.17.2.4. Конструкция и технология производства анализаторов сиг-
налов:
11.17.2.4.1. способных анализировать частоты, превышающие 31 ГГц;
11.17.2.4.2. динамических анализаторов сигналов с полосой пропуска-
ния в реальном масштабе времени, превышающей 25,6 кГц
кроме тех, которые используют фильтры с полосой про-
пускания фиксированных долей (известные также как ок-
тавные или дробно-октавные фильтры)
11.17.2.5. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства анализаторов сигналов,
указанных в пунктах 1.16.2.3. - 1.16.2.3.2.
11.17.2.6. Конструкция и технология производства генераторов сигна-
лов синтезированных частот, формирующих выходные частоты
с управлением по параметрам точности, кратковременной и
долговременной стабильностью на основе или с помощью
внутренней эталонной частоты, имеющих хотя бы один из
следующих признаков:
11.17.2.6.1. максимальная синтезируемая частота, превышающая 31 ГГц;
11.17.2.6.2. время переключения частоты с одной заданной частоты в
другую менее 1 мс;
11.17.2.6.3. фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) лучше чем
-(126 - 20lg(F) - 20lg(f)) в единицах дБ/Гц,
где F - смещение рабочей частоты в Гц, а f - рабочая
частота в МГц
Примечание
Экспортный контроль по пунктам 11.17.2.6. - 11.17.2.6.3.
не распространяется на конструкцию и технологию произ-
водства аппаратуры, в которой выходная частота либо соз-
дается путем сложения или вычитания частот с двух и бо-
лее кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычи-
тания с последующим умножением результирующей частоты
11.17.2.7. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства генераторов сигналов
синтезированных частот, указанных в пунктах
1.16.2.4. - 1.16.2.4.3.
11.17.2.8. Конструкция и технология производства сетевых анализаторов
с максимальной рабочей частотой, превышающей 31 ГГц
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.2.8. не распростра-
няется на конструкцию и технологию производства
сетевых анализаторов с качающейся частотой, рабочая
частота которых не превосходит 40 ГГц, и которые не
имеют шины данных для интерфейса дистанционного
управления
11.17.2.9. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства сетевых анализаторов,
указанных в пункте 1.16.2.5.
11.17.2.10. Конструкция и технология производства приемников-
тестеров микроволнового диапазона, имеющих максимальную
рабочую частоту более 31 ГГц и способных одновременно
измерять амплитуду и фазу
11.17.2.11. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства приемников-тестеров
микроволнового диапазона, указанных в пункте 1.16.2.6.
11.17.2.12. Конструкция и технология производства атомных эталонов
частоты, имеющих хотя бы один из следующих признаков:
11.17.2.12.1. долговременная стабильность (старение) менее (лучше)
10_-11/мес;
11.17.2.12.2. по техническим условиям пригодны для космического при-
менения
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.12.1. не распро-
страняется на конструкцию и технологию производства руби-
диевых эталонов, не предназначенных для космического
применения
11.17.2.13. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства атомных эталонов
частоты, указанных в пунктах 1.16.2.7.-1.16.2.7.2.
11.17.2.14. Конструкция и технология производства эмуляторов микро-
схем, указанных в пунктах 1.16.1.1.1. или 1.16.1.1.6.
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.2.14. не распро-
страняется на конструкцию и технологию производства эму-
ляторов, спроектированных под семейство, содержащее хотя
бы один прибор, на который не распространяется экспорт-
ный контроль по пунктам 1.16.1.1.1. или 1.16.1.1.6.
11.17.2.15. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства эмуляторов микросхем,
указанных в пункте 1.16.2.8.
11.17.3. Конструкция и технология производства оборудования для
производства и испытания полупроводниковых приборов
11.17.3.1. Конструкция и технология производства снабженных прог-
раммно-управляемым запоминающим устройством установок
для эпитаксиального выращивания
11.17.3.1.1. Конструкция и технология производства установок для эпи-
таксиального выращивания, способных выдерживать толщину
эпитаксиального слоя с отклонением не более +- 2,5% на
протяжении не менее 75 мм вдоль пластины
11.17.3.1.2. Конструкция и технология производства установок химичес-
кого осаждения металлорганических паров, специально пред-
назначенных для выращивания кристаллов сложных полупровод-
ников с помощью химических реакций материалов,
указанных в пунктах 1.16.11. - 1.16.11.4. или 1.6.12.
11.17.3.1.3. Конструкция и технология установок молекулярно-лучевой
эпитаксии, использующих газовые источники
11.17.3.2. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования, производства или применения установок для
эпитаксиального выращивания, указанных в пунктах 1.16.3.1.
- 1.16.3.1.3.
11.17.3.3. Конструкция и технология производства многофункциональ-
ных фокусируемых ионно-лучевых систем, снабженных програм-
мно-управляемым запоминающим устройством, специально спро-
ектированных для производства, ремонта, анализа физической
топологии и тестирования масок или полупроводниковых при-
боров, имеющих ходя бы один из следующих признаков:
11.17.3.3.1. точность управления положением пучка на мишени 0,25 мкм
или лучше;
11.17.3.3.2. разрешающая способность цифро-аналогового преобразова-
ния свыше 12 бит
11.17.3.4. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования, производства или применения многофункци-
ональных фокусируемых ионно-лучевых систем, указанных в
пунктах 1.16.3.2. - 1.16.3.2.2.
11.17.3.5. Конструкция и технология производства многокамерного
центра обработки полупроводниковых пластин с автомати-
ческой загрузкой и программно-управляющим запоминающим
устройством, имеющего устройства для загрузки и выгрузки
пластин, к которому должны быть присоединены более двух
установок технологической обработки полупроводников, об-
разуя комплексную вакуумированную систему для последо-
вательной многопозиционной обработки пластин
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.3.5. не распростра-
няется на конструкцию и технологию производства автома-
тических робототехнических систем обработки пластин, не
предназначенных для работы в вакууме
11.17.3.6. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования, производства или применения многокамер-
ного центра обработки полупроводниковых пластин,указанно-
го в пункте 1.16.3.3.
11.17.3.7. Конструкция и технология производства установок литогра-
фии, снабженных программно-управляющим запоминающим уст-
ройством
11.17.3.7.1. Конструкция и технология производства установок много-
кратного совмещения и экспонирования для обработки плас-
тин методами фотооптической или рентгеновской литогра-
фии, имеющих хотя бы один из следующих признаков:
11.17.3.7.1.1. наличие источника освещения с длиной волны короче 400
нм;
11.17.3.7.1.2. цифровая апертура свыше 0,40;
11.17.3.7.1.3. точность совмещения +- 0,20 мкм (3 сигма) или лучше
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.3.7.1. не распростра-
няется на конструкцию и технологию производства устано-
вок многократного совмещения и экспонирования, имеющих
длину волны источника освещения 436 нм или больше, циф-
ровую апертуру 0,38 или меньше, диаметр изображения
22 мм и меньше
11.17.3.7.2. Конструкция и технология производства установок, специ-
ально спроектированных для производства масок или обра-
ботки полупроводниковых приборов с использованием откло-
няемого фокусируемого электронного пучка, ионного пучка
или лазерного пучка, имеющих хотя бы один из следующих
признаков:
11.17.3.7.2.1. размер пятна меньше чем 0,2 мкм;
11.17.3.7.2.2. способность производить структуру с минимальными раз-
мерами менее 1 мкм;
11.17.3.7.2.3. точность совмещения +- 0,20 мкм (3 сигма)
11.17.3.8. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования, производства или применения установок
литографии, указанных в пунктах 1.16.3.4. - 1.16.3.4.2.3.
11.17.3.9. Технология производства масок или фотошаблонов
11.17.3.9.1. Технология производства масок или фотошаблонов для ин-
тегральных схем, указанных в пунктах 1.16.1. -
1.16.1.1.8.2.
11.17.3.9.2. Технология производства многослойных масок, оснащенных
фазосдвигающим слоем
11.17.3.10. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования, производства или применения масок или
фотошаблонов, указанных в пунктах 1.16.3.5. -
1.16.3.5.2.
11.17.3.11. Информация по способам оптимизации процессов совмещения
скрытых локальных слоев и топологии интегральных схем с
высокой точностью (лучше +- 0,20 мкм)
11.17.3.12. Конструкция и технология производства испытательной
аппаратуры, снабженной программно-управляющим запомина-
ющим устройством, специально спроектированной для
испытания полупроводниковых приборов и бескорпусных
кристаллов:
11.17.3.12.1. аппаратуры для замера параметров матрицы рассеяния на
частотах свыше 31 ГГц;
11.17.3.12.2. аппаратуры для испытания интегральных схем и их сбо-
рок, способной выполнять функциональное тестирование
(по таблицам истинности) с частотой тестирования
строк свыше 40 МГц
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.3.12.2. не распро-
страняется на конструкцию и технологию производства
аппаратуры, специально спроектированной для испытаний:
сборок или класса сборок для бытовой электроники или
развлечений;
электронных компонентов, сборок или интегральных
схем, не подлежащих экспортному контролю
11.17.3.12.3. аппаратуры для испытания микроволновых интегральных
схем на частотах, превышающих 31 ГГц;
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.3.12.3. не распростра-
няется на конструкцию и технологию производства аппарату-
ры, специально спроектированной для испытаний микроволно-
вых интегральных схем, для оборудования, предназначенного
или пригодного по техническим условиям для работы в стан-
дартном гражданском диапазоне на частотах, не превышающих
31 ГГц
11.17.3.12.4. электронно-лучевых систем, спроектированных для работ
ниже 3 кэВ, или лазерных лучевых систем для бесконтак-
тного зондирования запитанных полупроводниковых приборов,
имеющих одновременно стробоскопический режим либо с
затенением луча, либо с детекторным стробированием и
электронный спектрометр для замера напряжений менее
0,5 В
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.3.12.4. не распрост-
раняется на конструкцию и технологию производства скани-
рующих электронных микроскопов, кроме тех, которые спе-
циально спроектированы и оснащены для бесконтактного зон-
дирования запитанных полупроводниковых приборов
11.17.3.13. Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования или производства аппаратуры испытаний
полупроводниковых приборов и бескорпусных кристаллов,
указанных в пунктах 1.16.3.6. - 1.16.3.6.4.
11.17.3.14 Программное обеспечение систем автоматизированного про-
ектирования (САПР) полупроводниковых приборов или интег-
ральных схем, имеющее хотя бы один из следующих призна-
ков:
11.17.3.14.1. имеются правила проектирования или правила проверки
(верификации) схем;
11.17.3.14.2. обеспечивается моделирование схем по их физической то-
пологии;
11.17.3.14.3. имеются имитаторы литографических процессов для проек-
тирования
Примечание:
1. Имитатор литографических процессов - это пакет прог-
раммного обеспечения, используемый на этапе проекти-
рования для определения последовательности операций
литографии, травления и осаждения с целью воплощения
структур на фотошаблонах в конкретные топологические
структуры проводников, диэлектриков или полупровод-
ников
2. Экспортный контроль по пунктам 11.17.3.14. -
11.17.3.14.3. не распространяется на программное
обеспечение, специально созданное для описания
принципиальных схем, логического моделирования, рас-
кладки и маршрутизации, создания магнитных лент для
верификации топологии или формирования рисунка,
библиотеки, проектные атрибуты и сопутствующие дан-
ные для проектирования полупроводниковых приборов
или интегральных схем рассматриваются как технология
11.17.4. Конструкция и технология производства радиолокационных
станций (РЛС), аппаратуры, узлов и специально разрабо-
танных компонентов
Примечание
Экспортный контроль по пунктам 11.17.4. - 11.17.4.20.2.
не распространяется на конструкцию и технологию про-
изводства:
РЛС с активным ответом;
автомобильных РЛС для предотвращения столкновений;
дисплеев и мониторов, используемых для контроля
воздушного движения, имеющих разрешение не более
12 элементов на мм
11.17.4.1. Конструкция и технология производства РЛС, работающих на
частотах от 40 ГГц до 230 ГГц и имеющих среднюю выходную
мощность более 100 мВт
11.17.4.2. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих пере-
страиваемую частоту в пределах более чем +- 6,25% от цент-
ральной рабочей частоты
11.17.4.3. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих воз-
можность работать на двух или более несущих частотах
11.17.4.4. Конструкция и технология производства РЛС воздушного ба-
зирования, имеющих возможность функционирования в режи-
мах синтезированной апертуры, обратной синтезированной
апертуры или бокового обзора
11.17.4.5. Конструкция и технология производства РЛС, включающих
фазированные антенные решетки для электронного управле-
ния лучом
11.17.4.6. Конструкция и технология производства РЛС, обладающих
способностью нахождения высотных одиночных целей
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.4.6. не распростра-
няется на конструкцию и технологию производства аппара-
туры РЛС точной посадки, удовлетворяющей стандартам
ИКАО, и метеорологических (погодных) РЛС
11.17.4.7. Конструкция и технология производства РЛС, предназначен-
ных специально для воздушного базирования и имеющих допле-
ровскую обработку сигнала для обнаружения движущихся
целей
11.17.4.8. Конструкция и технология производства РЛС, использующих
обработку сигнала методами расширения спектра или пере-
стройки частоты
11.17.4.9. Конструкция и технология производства РЛС, обеспечиваю-
щих наземное функционирование с максимальной инструмен-
тальной дальностью свыше 185 км
Примечание
Экспортный контроль по пункту 11.17.4.9. не распростра-
няется на конструкцию и технологию производства наземных
РЛС наблюдения рыбных косяков
11.17.4.10 Программное обеспечение, специально разработанное для
проектирования, производства или применения РЛС, ука-
занных в пунктах 1.16.4.1. - 1.16.4.9.
11.17.4.11. Конструкция и технология производства лазерных локаци-
онных станций или лазерных дальномеров (ЛИДАРов):
11.17.4.11.1. имеющих космическое применение;
11.17.4.11.2. использующих методы когерентного гетеродинного или го-
модинного детектирования и имеющих угловое разрешение
менее (лучше) 20 мкрад