Об утверждении Стратегии развития электронной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года и плана мероприятий по реализации Стратегии развития электронной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года (с изменениями на 21 октября 2024 года)

2. Мероприятия и целевые индикаторы реализации Стратегии

В части ключевого направления "Научно-техническое развитие" предусматривается:

разработать и промышленно освоить технологии создания и производства цифровой электроники (процессор, контроллер, память) и системного программного обеспечения, силовой электроники, радиоэлектроники, включая СВЧ-электронику и аналоговую электронику, оптоэлектронику, фотонику и радиофотонику, в том числе:

кремниевые технологии производства электронной компонентной базы с топологическими нормами 65-45 нм, 28 нм, 14-12 нм, 7-5 нм и последующий выпуск изделий на их основе;

разработку изделий по кремниевой технологии с топологической нормой 5 нм с последующим выпуском изделий на их основе на зарубежных фабриках и переносом производств в Российскую Федерацию;

кремниевые технологии производства твердотельных средств хранения данных с топологической нормой 25-30 нм и количеством слоев не менее 96;

технологии производства приборов отображения информации, в частности дисплеев на основе OLED не ниже 6-го поколения с разрешениями до 2048x2048 пикселей, микродисплеев на пластинах диаметром 200 мм;

технологии производства электронной компонентной базы СВЧ-диапазона, в том числе технологии BiCMOS НВТ, НЕМТ, рНЕМТ с топологической нормой 65-45 нм, гетерогенную интеграцию на уровне пластины GaN on Si, SiGe, GaAs;

изделия электронной компонентной базы для терагерцового диапазона частот на основе InP и других материалов для радаров, видеосистем, медицинского оборудования и иных применений;

технологии фотоники, в том числе гетерогенную интеграцию InP с кремниевой технологией для изготовления фотонных интегральных схем, а также технологии для активных и пассивных сенсоров тепловизионных и других оптических систем;

технологии изготовления полупроводниковых лазеров, в том числе на основе GaAs, GaN, InP и соединений на их основе, для всех сфер применения, включая телекоммуникационное оборудование, лазерные сканеры, лидары;

технологии для производства силовой электроники на основе GaN, SiC, высоковольтной (до 6500В и 1200А) и высокотемпературной (до 4500С);

технологию изготовления MEMS сенсоров с топологическими нормами до 0,5 мкм;

технологии источников питания с коэффициентом полезного действия до 99 процентов;

технологии шифрования и криптозащиты, включая аппаратную реализацию технологий блокчейна;

технологии изготовления многослойных жестких, гибких и гибко-жестких печатных плат (до 32 слоев), в том числе с использованием органических материалов;

технологии изготовления пластиковых корпусов;

новые вакуумные технологии.

Планируется разработать и промышленно освоить ключевые технологии и производства:

полупроводниковых материалов во всех необходимых формах (поли- и монокристаллический кремний, карбид кремния, монокристаллический алмаз), эпитаксиальных структур кремния, КНИ (кремний на изоляторе), КНС (кремний на сапфире), КСДИ (кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией), гетероэпитаксиальных структур А3В5, А2В6, КРТ (гетероэпитаксиальные структуры тройного соединения кадмий-ртуть-теллур) и др.;

материалов для литографии, в том числе фото-, электронно- и рентгенорезистов, проявителей, планаризирующих и антиотражающих покрытий;

расходных технологических материалов, в том числе кислот, растворителей, травителей, специальных газов и смесей газов, металлоорганических соединений, высокочистых металлов и сплавов, мишеней, композиционных металлических материалов, клеев, паст, компаундов, лаков, флюсов, герметиков и изотопов;

оснастки для изготовления кристаллов и сборки кремниевых сверхбольших интегральных схем и полупроводниковых приборов, сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и полупроводниковых приборов на А3В5 и А2В6, радиофотонной и фотонной электронной компонентной базы, электронных модулей оптоэлектронных приемников и средств отображения информации, интегральных полупроводниковых, магниторезистивных, тензорезистивных MEMS и MOEMS.

Планируется разработать:

технологии, специальные материалы, технологическое и контрольно-измерительное оборудование для производства фотошаблонов с проектными нормами 250 нм, 180 нм, 90 нм, 65 нм и 28 нм, а также решений для проектных норм 22-20 нм, 16-14 нм и менее для сверхбольших интегральных схем, сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем, полупроводниковых приборов, MEMS, опто- и фотоэлектроники, радиофотоники на подложках из материалов Si, GaAs, GaN, SiC, структур КНИ (кремний на изоляторе), гетероструктур А3В5 (GaAs, GaN/SiC) и А2В6;

технологии производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и полупроводниковых приборов на А3В5, А2В6 и электронных модулей на их основе, включая технологии на GaAs (рНЕМТ, PIN, DHFET, BiHEMT, E/D рНЕМТ, HBT), на GaN (НЕМТ, рНЕМТ), на GaAlInSbAs (mHEMT), на GaSb/InAs (НЕМТ), на InP (НЕМТ, НВТ), на Si (DMOS), на SiGe (НВТ BiCMOS), FBAR (AlN/Si/Mo/SiO2) и ДДРВ (Si и SiC);

технологии производства опто- и фотоэлектронной компонентной базы, включая микродисплеи на основе OLED, диодные лазеры, включая вертикально излучающие, на основе InGaAs, InAlAs, мощные ИК-диоды на основе GaAs, микроболометры (VOx, -Si), матричные фотоприемники на приборах с зарядовой связью, КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник) и QWIP-структурах;

технологии производства радиофотонной электронной компонентной базы, включая сверхбыстродействующие радиофотонные аналого-цифровые преобразователи и широкополосные радиочастотные приемники, электронные модули базовых блоков интегральной радиофотоники;

технологии производства MEMS и MOEMS, интеллектуальных сенсоров и 3D микросборок, включая инерциальные MEMS (микроакселерометры, микрогироскопы, инклинометры), ВЧ MEMS и актюаторы (переключатели, генераторы, микроактюаторы), MOEMS (оптические переключатели, микрозеркала, микроболометры, модуляторы, кольцевые резонаторы), акустические и акустоэлектронные микросистемы (акустические фильтры, микрофоны, преобразователи частоты), преобразователи магнитного поля и магнитометрические микросистемы на их основе, MEMS для мониторинга состояния окружающей среды и биохимического анализа (датчики давления, датчики газа, датчики влажности, микрофлюидные датчики), микросистемы для человека и биологических объектов.