При условии соблюдения общих положений, относящихся к классификации частей (см. общие положения к разделу XVI), части товаров данной товарной позиции включаются в данную товарную позицию.
Пояснение к субпозиции.
Субпозиция 8541 21
Мощность рассеивания транзистора измеряется при приложении рабочего напряжения к прибору и измерении мощности рассеивания при температуре корпуса до 25°С. Например, если транзистор способен выдерживать длительный ток нагрузки в 0,2 А при рабочем напряжении в 5 В, при поддержании температуры корпуса 25°С, его мощность рассеивания составит 1 Вт (ток (в амперах) х напряжение (в вольтах) = мощность (в ваттах)).
Для транзисторов с элементом для отвода тепла (например, лепестком, металлическим корпусом) опорной температурой в 25°С будет температура днища или корпуса, в то время как для других транзисторов (например, с простым пластмассовым корпусом) применима комнатная температура.
8542 | Схемы электронные интегральные: | |
- схемы электронные интегральные: | ||
8542 31 | - - процессоры и контроллеры, объединенные или не объединенные с запоминающими устройствами, преобразователями, логическими схемами, усилителями, синхронизаторами или другими схемами | |
8542 32 | - - запоминающие устройства | |
8542 33 | - - усилители | |
8542 39 | - - прочие | |
8542 90 | - части | |
Изделия данной товарной позиции определены в примечании 9 (б) к данной группе.
Электронные интегральные схемы являются устройствами, имеющими высокую плотность пассивных и активных элементов или компонентов, которые рассматриваются как отдельные блоки. (В отношении элементов или компонентов, рассматриваемых как "пассивные" или "активные", см. пояснения к товарной позиции 8534, первый абзац.) Однако электронные схемы, содержащие лишь пассивные элементы, не включаются в данную товарную позицию.
В отличие от электронных интегральных схем, дискретные компоненты могут иметь единственную активную электрическую функцию (полупроводниковые приборы, определенные примечанием 9 (а) к группе 85) или единственную пассивную электрическую функцию (резисторы, конденсаторы, межэлементные соединения и т.д.). Дискретные компоненты являются неразъемными и представляют собой основные электронные структурные компоненты в системе.
Однако компоненты, состоящие из нескольких электрических схемных элементов и имеющие множество электрических функций, такие как интегральные схемы, не считаются дискретными компонентами.
Электронные интегральные схемы включают запоминающие устройства (например, ДОЗУ, СОЗУ, ППЗУ, СППЗУ, ЭСППЗУ), микроконтроллеры, управляющие схемы, логические схемы, вентильные матрицы, интерфейсные схемы и т.д.
Электронные интегральные схемы включают:
(I) Монолитные интегральные схемы.
Они являются микросхемами, в которых схемные элементы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы, межэлементные соединения и т.д.) образованы в массе (главным образом) и на поверхности полупроводникового материала (например, легированного кремния) и поэтому неразъемно связаны. Монолитные интегральные схемы могут быть цифровыми, линейными (аналоговыми) или аналого-цифровыми.
Монолитные интегральные схемы могут быть представлены как:
(i) собранные, то есть с их выводами или соединительными проводниками, помещенными или не помещенными в керамику, металл или пластмассу. Корпуса могут быть цилиндрическими, в форме параллелепипедов и т.д.;
(ii) несобранные, то есть как кристаллы, как правило, прямоугольной формы со сторонами, имеющими размер обычно в несколько миллиметров;
(iii) в виде неразрезанных пластин (то есть в виде не разрезанных на кристаллы).
Монолитные интегральные схемы включают:
(i) структуры металл-оксид-полупроводник (МОП-технология);
(ii) схемы, полученные по биполярной технологии;
(iii) схемы, полученные комбинацией биполярной и МОП-технологии (БИМОП-технология).