Обобщенные трудовые функции | Трудовые функции | ||||
код | наименование | уровень квалификации | наименование | код | уровень (подуровень) квалификации |
A | Моделирование, разработка и внедрение новых технологических процессов производства наногетероструктурных МИС СВЧ | 7 | Анализ мирового опыта применения материалов наногетероструктурной электроники СВЧ | A/01.7 | 7 |
Разработка планов создания и модернизации технологических линий для освоения новых направлений в наногетероструктурной электронике СВЧ | A/02.7 | ||||
Подготовка технического задания (ТЗ) на проведение опытно-технологических работ (ОТР) по разработке новых технологических процессов производства МИС СВЧ | A/03.7 | ||||
Моделирование наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых ИС, в том числе МИС СВЧ, изготавливаемых на основе гетероструктур (TCAD) | A/04.7 | ||||
Подготовка технического задания (ТЗ) на разработку маршрутных и операционных карт производства МИС СВЧ на основе разработанной конструкторской документации (КД), документации на отработанные технологические процессы (ТП) и данных моделирования | A/05.7 | ||||
B | Подготовка комплекта технологической документации (ТД) производства наногетероструктурных МИС СВЧ, организация и сопровождение технологического процесса производства | 7 | Разработка комплекта технологической документации для производства МИС СВЧ на основе ТЗ и нормативной документации | B/01.7 | 7 |
Планирование и организация сопровождения технологического процесса производства МИС СВЧ | B/02.7 | ||||
Разработка методики входного, межоперационного и выходного контроля при производстве наногетероструктурных МИС СВЧ | B/03.7 | ||||
Реализация технологии на основе электронной литографии | B/04.7 | ||||
Реализация технологии на основе проекционной литографии | B/5.7 | ||||
Организация работы по повышению выхода годных МИС, разработка ТЗ для корректировки технологических операций | B/6.7 | ||||
C | Осуществление проектирования и изготовления методами эпитаксии наногетероструктур для ОТР и производства МИС СВЧ | 7 | Проведение расчета параметров технологического процесса эпитаксиального выращивания наногетероструктур на подложках, применяемых в СВЧ-электронике | C/1.7 | 7 |
Подготовка и квалификация машин к росту продукции | C/2.7 | ||||
Определение методик тестирования качества эпитаксиальных слоев | C/3.7 | ||||
Проведение статистического анализа поведения установки во время исследования, статистическое сопровождение по группам продукции и контроль качества по спецификации заказчика | C/4.7 | ||||
D | Проведение ОТР по разработке базовых технологических процессов МИС СВЧ | 7 | Анализ КД и ТЗ на проведение ОТР, оценка достижимости заданных параметров МИС СВЧ по выбираемой или заданной технологии | D/1.7 | 7 |
Определение базовых технологических процессов, применяемых материалов и оборудования для изготовления опытных образцов МИС СВЧ | D/2.7 | ||||
Согласование принимаемых решений с представителями заказчика, конструкторскими подразделениями, метрологической службой и другими смежными структурами организации | D/3.7 | ||||
Управление командой по реализации ОРТ | D/4.7 | ||||