Целью проекта является разработка базовой технологии нового вида продукции - сверхбыстродействующих, высокотемпературных диодов, транзисторов и тиристоров на основе GaAs для применения в самых разнообразных устройствах электронной техники, включая преобразовательную технику, импульсные устройства и устройства для энергосберегающих технологий. Объем производства в стоимостном выражении: диоды арсенидгаллиевые - 2000,0 млн. руб., транзисторы арсенидгаллиевые - 600,0 млн. руб., тиристоры арсенидгаллиевые - 420,0 млн. руб.
Общий объем финансирования - 1112,0 млн. рублей, из них средства федерального бюджета - 200,0 млн. рублей, собственные средства - 50,0 млн. рублей, кредиты коммерческих банков - 862,0 млн. рублей. Чистая прибыль - 399,0 млн. рублей в год. Объем налоговых поступлений в бюджеты всех уровней за год - 282,0 млн. рублей. Срок окупаемости - 86,8 месяцев. Число новых рабочих мест - 35.