Цель проекта - разработка базовой технологии создания гетероструктур SiC (эпитаксиальная композиция)/SiC (подложка) для высокотемпературных и радиационно стойких устройств и полупроводниковых приборов.
Проектом предусмотрено разработка конструкторской (КД) и технологической (ТД) документации с литерой "О1", изготовление опытных образцов гетероструктур SiC (эпитаксиальная композиция)/SiC (подложка), проведение предварительных и приемочных испытаний опытных образцов гетероструктур SiC (эпитаксиальная композиция)/SiC (подложка).
Общий объем финансирования - 35,7 млн. рублей, из них собственные средства - 11,9 млн. рублей, средства федерального бюджета - 23,8 млн. рублей. Чистая прибыль - 7,0 млн. рублей в год. Объем налоговых поступлений в бюджеты всех уровней за год - 2,0 млн. рублей. Срок окупаемости - 60 месяцев. Число новых рабочих мест - 5.
________________
<(*3)> шифр "Гетероструктура-Электро" (соисполнительский договор) в рамках государственного контракта Министерства промышленности и торговли РФ с ФГУП "НПП "Исток"