ГОСТ Р 71477-2024 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы измерения скорости нарастания обратного напряжения

Введение

Актуальной проблемой на пути еще более широкого применения полупроводниковых приборов представляется ограничение по максимальной величине параметра dU/dt при подаче импульса обратного напряжения. Стойкость полупроводниковых приборов, в частности мощных биполярных транзисторов, к воздействию dU/dt - одно из требований, устанавливающих ограничение скорости переключения в режиме жесткой коммутации. Установлено, что транзисторы с низкой стойкостью к dU/dt более подвержены отказам при воздействии больших пусковых токов, особенно при использовании в быстродействующих устройствах с импульсным режимом работы.