В настоящее время в активных фильтрах возможно применение силовых полупроводниковых приборов трех типов:
- металл-оксидные полупроводниковые полевые транзисторы [МОП-транзисторы (MOSFET)];
- биполярные транзисторы с изолированным затвором [БТИЗ (IGBT)];
- запираемые тиристоры (GTO) и производные от них приборы, такие как коммутируемые по затвору запираемые тиристоры (GCT) и запираемые тиристоры со встроенным драйвером (IGCT).
В электрических активных фильтрах следует применять БТИЗ.