ГОСТ Р 57441-2017

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Integrated circuits. Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters

ОКС 01.040.01

         31.200

Дата введения 2017-08-01

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт") и Акционерным обществом "Центральное конструкторское бюро "Дейтон" (АО "ЦКБ "Дейтон")

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. N 257-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

5 ПЕРЕИЗДАНИЕ. Август 2018 г.

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области электрических параметров интегральных микросхем.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Для каждого установленного термина приведено отечественное буквенное обозначение электрического параметра и его определение (в скобках приведено международное буквенное обозначение параметра).

Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.

В пределах одного документа рекомендуется использовать одну систему обозначений - отечественную или международную.

     1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем, включая гибридные микросхемы, многокристальные модули и микросборки (далее - микросхемы).

Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

     2 Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Параметры напряжения

1 напряжение питания; (): Напряжение -го источника питания, обеспечивающего работу микросхемы в заданном режиме.

Примечание - - порядковый номер источника питания.

2 напряжение питания в режиме хранения;   (): Напряжение питания, необходимое для хранения информации.

3 напряжение питания в режиме ожидания;  (): -*

______________________

* Текст документа соответствует оригиналу. - Примечание изготовителя базыданных.

4 входное напряжение; (): -

5 входное напряжение низкого уровня; (): Напряжение низкого уровня на входе микросхемы.

6 входное напряжение высокого уровня; (): Напряжение высокого уровня на входе микросхемы.

7 входное пороговое напряжение; (): Наибольшее (наименьшее) напряжение на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

8 входное пороговое напряжение низкого уровня; (): Наибольшее напряжение низкого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

9 входное пороговое напряжение высокого уровня; (): Наименьшее напряжение высокого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

10 напряжение сигнала стирания; (): Напряжение на выводе "Стирание", обеспечивающее удаление информации.

11 напряжение сигнала программирования; (): Напряжение на выводе "Программирование", обеспечивающее изменение информации.

12 напряжение срабатывания; (): Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

13 напряжение отпускания; (): Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

14 напряжение гистерезиса;  (): Разность между напряжением срабатывания и напряжением отпускания.

15 напряжение смещения нуля; (): Постоянное напряжение, которое должно быть приложено к входу, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению.

16 входное напряжение синфазное; (): Напряжение между каждым из сигнальных входов микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают.

17 входное напряжение дифференциальное; (): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим входами.

18 входное напряжение ограничения; (): Входное напряжение, при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину.

19 входное напряжение покоя; (): Напряжение на входе микросхемы при отсутствии входного сигнала.

20 выходное напряжение; (): Напряжение на выходе микросхемы в заданном режиме.

21 выходное напряжение низкого уровня; (): -

22 выходное напряжение высокого уровня; (): -

23 напряжение низкого уровня в состоянии "Выключено";   (): Напряжение низкого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии "Выключено".

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

24 напряжение высокого уровня в состоянии "Выключено";  (): Напряжение высокого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии "Выключено".

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

25 выходное дифференциальное напряжение;  (): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим выходами.

26 выходное напряжение покоя; (): Напряжение на выходе микросхемы при отсутствии входного сигнала.

27 коммутируемое напряжение; (): Напряжение, подаваемое на коммутирующий элемент микросхемы.

28 опорное напряжение; (): Постоянное напряжение с заданными требованиями по точности и стабильности его значения.

29 остаточное напряжение; (): Падение напряжения на открытом (включенном) коммутирующем элементе при протекании через него коммутируемого тока заданной величины.

30 напряжение шума; (): Напряжение на выходе микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю.

31 напряжение автоматической регулировки усиления; (): Напряжение на управляющем входе микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.

32 напряжение задержки автоматической регулировки усиления; (): Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным.

33 напряжение изоляции; (): Напряжение, которое может быть приложено между входной и выходной изолированными цепями микросхемы, при котором сохраняется ее электрическая прочность.

34 напряжение пульсаций источника питания; (): Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания микросхемы, при котором параметры микросхемы удовлетворяют заданным требованиям.