ГОСТ Р 56979-2016 (МЭК 62716:2013) Модули фотоэлектрические. Испытания на стойкость к воздействию аммиака

     4 Порядок проведения испытаний

Выбранные образцы проходят испытания, указанные на рисунках 1 или 2, в соответствии с технологией изготовления модуля: из кристаллического кремния или тонкопленочные.

Для оценки влияния аммиака на состояние и характеристики испытуемых образцов после испытания в климатической камере может быть необходимо использование контрольного образца в качестве эталона. В этом случае (см. рисунки 1 и 2) все образцы проходят предварительную обработку и измерение исходных характеристик, а далее один из образцов используется как контрольный.

Описание всех приведенных на рисунках 1 и 2 испытаний (включая назначение, приборы, испытательное оборудование, порядок проведения испытаний и требования к успешному испытанию), за исключением испытаний шунтирующих/блокирующих диодов, изложено в тех стандартах, из которых взяты эти конкретные испытания (см. примечания на рисунках). Испытание шунтирующих/блокирующих диодов на работоспособность изложено в 9.3.

Указанные на рисунках 1 и 2 испытания должны быть проведены в установленном порядке. Любые изменения или отклонения от изложенных процедур должны быть зарегистрированы и подробно отражены в протоколе испытаний.

Примечание 1 - Предварительная обработка и испытания 10.1, 10.2, 10.3 и 10.15 проводят в соответствии с ГОСТ Р 56980-2016 (МЭК 61215:2005). Испытание MST 13 проводят в соответствии с ГОСТ Р МЭК 61730-2.

Рисунок 1 - Порядок проведения испытаний фотоэлектрических модулей из кристаллического кремния на стойкость к воздействию аммиака (для случая, когда один из образцов является контрольным)

Примечание 1 - Испытания 10.2 и 10.15 проводят в соответствии с ГОСТ Р МЭК 61646-2013. Испытания MST 01, MST 13 и MST 16 проводят в соответствии с ГОСТ Р МЭК 61730-2.

Примечание 2 - После воздействия аммиаком в диагностических целях может быть дополнительно проведено определение максимальной мощности в соответствии с испытанием 10.2 ГОСТ Р МЭК 61646-2013. При этом необходимость предварительной засветки определяется типом тонкопленочной технологии, по которой выполнен испытуемый модуль.

Примечание 3 - Вместо испытаний 10.1 и 10.3, входящих в испытания 10.19 ГОСТ Р МЭК 61646-2013, выполняют испытания MST 01 и MST 16 ГОСТ Р МЭК 61730-2 соответственно.

Примечание 4 - Измерение вольт-амперных характеристик при стандартных условиях испытаний (СУИ) в соответствии с испытанием 10.6 ГОСТ Р МЭК 61646-2013 является завершающей частью испытания 10.19. Измерение вольт-амперных характеристик при условиях номинальной рабочей температуры элемента (НРТЭ), входящее в состав испытания 10.6 ГОСТ Р МЭК 61646-2013 в данном случае не проводится.

Рисунок 2 - Порядок проведения испытаний тонкопленочных фотоэлектрических модулей на стойкость к воздействию аммиака (для случая, когда один из образцов является контрольным)