Данный метод применяют для измерения диэлектрических параметров в диапазоне частот от 4 до 20 ГГц при относительной диэлектрической проницаемости от 1,2 до 20 и тангенсе угла диэлектрических потерь от 3·10 до 1·10. Измеряемые образцы имеют форму диска или пластины (подложки, листа) толщиной t от 0,5 мм до 2,5 мм в зависимости от диапазона частот и диэлектрической проницаемости.
Преимуществом метода является возможность измерения образцов в виде пластин, листов, подложек и дисков малой толщины и различной площади при достаточно больших коэффициентах заполнения измерительного резонатора.
Условие применимости метода - перекрытие образцом резонансной полости и выполнение неравенства tc/(5).