4.1 Порядок испытаний
Выбранные образцы проходят испытания, указанные на рисунках 1, 2 или 3, в соответствии с технологией изготовления фотоэлектрического модуля: из кристаллического кремния, тонкопленочные или с концентраторами. Как указано на рисунках 1-3, один из образцов используется для контроля. Измерения на контрольном образце проводятся одновременно с измерениями на испытуемых образцах для проверки влияния солевого тумана на характеристики испытуемых образцов.
Описания всех приведенных на рисунках 1, 2 или 3 испытаний (включая назначение, испытательное оборудование, процедуру и требования), за исключением испытаний шунтирующего диода, изложены в тех стандартах МЭК, из которых взяты эти конкретные испытания (см. примечания на рисунках). Испытание шунтирующего диода(ов) на сохранение работоспособности установлено в 4.2 настоящего стандарта.
Указанные на рисунках 1, 2 или 3 испытания должны быть проведены в определенном порядке. В случае фотоэлектрических модулей с концентраторами, когда некоторые из описанных в настоящем стандарте процедур неприменимы для данной конструкции, изготовитель должен обсудить с испытательной организацией возможность разработки сходной программы испытаний, основанной на изложенных в настоящем стандарте положениях. Любые изменения или отклонения от изложенных процедур должны быть зарегистрированы и подробно отражены в протоколе испытаний, как того требует перечисление I) раздела 12.
4.2 Испытания шунтирующего диода на работоспособность
4.2.1 Назначение
В результате испытаний проверяют, сохраняется ли работоспособность шунтирующего диода(ов) в испытуемых образцах после воздействия солевого тумана.
Примечание - В тех случаях, когда шунтирующие диоды не применяются или не имеют металлических частей, данные испытания не проводят.
4.2.2 Приборы
a) Источник постоянного тока, обеспечивающий ток не менее чем в 1,25 раза больший тока короткого замыкания данного образца в стандартных условиях испытаний (СУИ), и средства регистрации тока, протекающего через образец в период испытаний.
b) Приборы для измерения падения напряжения на испытуемом образце с точностью не менее ±0,5%.
c) Приборы для измерения тока с точностью не менее ±0,5%.
4.2.3 Последовательность испытаний
Испытания могут проводиться в любых условиях окружающей среды с температурой (25 °С ± 10 °С). Во время испытаний образец не должен подвергаться освещению.
a) Электрически замыкают все установленные на испытуемом образце блокирующие диоды.
b) Определяют номинальный ток короткого замыкания испытуемого образца при СУИ по заводской табличке или спецификациям.
c) С помощью проводов с указанным изготовителем номинальным сечением подключают положительный вывод источника постоянного тока к отрицательному выводу испытуемого образца и отрицательный вывод источника постоянного тока к положительному выводу испытуемого образца. Необходимо следовать указаниям изготовителя по подсоединению проводов к соединительной коробке. При такой схеме ток должен протекать через элементы в обратном, а через диоды - в прямом направлении.
Примечание - В некоторых модулях устанавливаются несколько шунтирующих диодов. В этом случае источник питания следует подключать так, чтобы ток протекал только через единственный шунтирующий диод.
d) На 1 ч подайте ток, в 1,25 раза больший (±5%) тока короткого замыкания данного образца в стандартных условиях испытаний.
4.2.4 Завершающие испытания
После выполнения перечисления d) 4.2.3 проверяют работоспособность шунтирующего диода(ов).
Одним из возможных способов является повторная подача прямого тока через диод(ы) и обратного тока через элементы и проверка температуры диода(ов) с помощью инфракрасной камеры. Перед выполнением этой процедуры необходимо дождаться, когда температура диода установится на уровне температуры окружающей среды.