ГОСТ IEC 60947-5-2-2012 Аппаратура распределения и управления низковольтная. Часть 5-2. Аппараты и коммутационные элементы цепей управления. Бесконтактные датчики

     2.1 Основные определения

2.1.1 бесконтактный датчик (proximity switch): Позиционный выключатель, приводимый в действие внешним объектом воздействия без механического контакта выключателя и объекта (МЭС 441-14-51).

_______________

См. МЭК 60050 (441).

2.1.1.1 бесконтактный индуктивный датчик (inductive proximity switch): Датчик, создающий электромагнитное поле в зоне чувствительности и имеющий полупроводниковый коммутационный элемент.

2.1.1.2 бесконтактный емкостный датчик (capacitive proximity switch): Датчик, создающий электрическое поле в зоне чувствительности и имеющий полупроводниковый коммутационный элемент.

2.1.1.3 бесконтактный ультразвуковой датчик (ultrasonic proximity switch) (рисунок 2): Датчик, передающий и принимающий ультразвуковые волны в пределах зоны чувствительности, и имеющий полупроводниковый коммутационный элемент.

2.1.1.4 бесконтактный оптический (фотоэлектрический) датчик (photoelectric proximity switch) (рисунок 1): Датчик, обнаруживающий объекты воздействия, при прерывании или отражении видимого или невидимого оптического излучения, и имеющий полупроводниковый коммутационный элемент.

2.1.1.4.1 бесконтактный оптический (фотоэлектрический) датчик типа D (диффузный) (type D): Датчик, использующий эффект диффузного отражения потока излучения от объекта воздействия при его боковом или осевом приближении.

2.1.1.4.2 бесконтактный оптический (фотоэлектрический) датчик типа R (ретрорефлекторный) (type R): Датчик, отражательного типа, который косвенно действует при боковом приближении контролируемого объекта воздействия к относительной оси между приемо-излучающим устройством и рефлектором.

2.1.1.4.3 бесконтактный оптический (фотоэлектрический) датчик типа Т (барьерный) (type Т): Датчик с разнесенной оптикой, который косвенно действует при боковом приближении контролируемого объекта воздействия по относительной оси между приемным и излучающим устройствами.

2.1.1.5 немеханический бесконтактный магнитный датчик (non-mechanical magnetic proximity switch): Датчик, обнаруживающий наличие магнитного поля, имеющий полупроводниковый коммутационный элемент и не содержащий подвижных частей в чувствительном элементе.

2.1.1.6 датчик бесконтактный прямого действия (direct operated proximity switch): Датчик, использующий для обнаружения объекта воздействия дополнительное оборудование (например рефлектор).

2.1.1.7 датчик бесконтактный косвенного действия (indirect operated proximity switch): Датчик, не использующий для обнаружения объекта воздействия дополнительное оборудование (например рефлектор).

2.1.1.8 нейтральный светофильтр (neutral density filters): Фильтр, равномерно уменьшающий интенсивность света в широком спектральном диапазоне.

Примечание - Уменьшение интенсивности света достигается использованием светопоглощающего стекла либо тонкопленочного металлического покрытия, обладающего поглощающей и отражающей способностью.

    
Рисунок 1а - Датчик типа Т. Излучающее устройство и приемное устройство - фотоэлектрический барьер

      
Рисунок 1b - Датчик типа R. Излучающее устройство, приемное устройство и рефлектор - фотоэлектрическое отражение

      
Рисунок 1с - Датчик типа D. Излучающее устройство, приемное устройство и цель - фотоэлектрический датчик прямого действия

     
Рисунок 1 - Зоны чувствительности () фотоэлектрических бесконтактных датчиков (в соответствии с 7.2.1.3 и 8.4)