Структурная схема измерения параметров помехоустойчивости представлена на рисунке 1.
ИТС устанавливают так, как требуется для обеспечения рабочих условий применения в соответствии с назначением. Уровень испытательного воздействия увеличивают до тех пор, пока не будет зарегистрировано регламентированное ухудшение параметров ИТС или достигнут регламентированный уровень помехоустойчивости (в зависимости от того, что ниже).
Испытательное воздействие создают путем облучения либо за счет инжекции тока/напряжения. В большинстве случаев для полной оценки потенциала помехоустойчивости ИТС необходимо использовать как метод облучения, так и метод инжекции. Метод инжекции, как правило, используют на частотах ниже 150 МГц, а метод непосредственного облучения - на частотах свыше приблизительно 30 МГц.
При испытаниях на помехоустойчивость по отношению к воздействию внешнего электромагнитного поля чаще всего используют облучение с помощью антенн. В некоторых случаях, например для ИТС высотой менее 1 м, наиболее эффективным является использование испытательного электромагнитного поля, создаваемого в ограниченном объеме. Указанные поля создают в закрытых ТЕМ-камерах, полосковых линиях и реверберационных камерах.
Рисунок 1 - Структурная схема измерения параметров помехоустойчивости
4.1.1 Объективная оценка ухудшения качества функционирования
Для объективной оценки помехоустойчивости ИТС проводят мониторинг напряжений или токов на выходе ТС, которые регистрируют аналоговыми или цифровыми методами.
Ниже в качестве примера оценки ухудшения качества функционирования рассмотрена помехоустойчивость телевизионных приемников по отношению к высокочастотной помехе с амплитудной модуляцией.