ГОСТ 18604.3-80*
(СТ СЭВ 3999-83)
Группа Э29
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов
Transistors bipolar. Methods for measuring collector
and emitter capacitances*
______________
* Наименование стандарта. Измененная редакция, Изм. N 2.
ОКП 62 2312
Дата введения 1982-01-01
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 4 июля 1980 г. N 3392 срок действия установлен с 01.01.82 до 01.01.87**
________________
** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 17.09.91 N 1454 (ИУС N 12, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.
ВЗАМЕН ГОСТ 18604.3-73
* ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в апреле 1984 г. (ИУС 8-84).
ВНЕСЕНО Изменение N 2, утвержденное и введенное в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 25.06.87 N 2537 с 01.10.87
Изменение N 2 внесено изготовителем базы данных по тексту ИУС N 10, 1987 год
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:
с использованием резистивно-емкостного делителя,
с использованием моста.
Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.
Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности.
Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 18604.0-83.
(Измененная редакция, Изм. N 2).
______________
* Наименование раздела. Измененная редакция, Изм. N 2.
1.1. Условия измерения
1.2. Частоту измерения, постоянное напряжение источника питания транзистора указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов (далее - стандартах).
Частоту измерения выбирают из ряда: 465 кГц, 1, 2, 5, 10, 30, 100, 300 МГц.
1.3. Измерения производят на малом переменном сигнале.
1.1-1.3. (Измененная редакция, Изм. N 2).
2.1. Емкость следует измерять на установке, структурная электрическая схема которой приведена на черт.1. Емкость измеряют по этой же схеме, при этом эмиттер и коллектор меняют местами.
- измеряемый транзистор; - элемент для развязки; , - конденсаторы;
- электронный измеритель напряжения; - токосъемный резистор; - генератор сигналов;
- измеритель напряжения
Черт.1
Для измерения допускается применять установку, схема которой отличается от схемы, приведенной на черт.1, тем, что генератор сигналов и электронный измеритель напряжения (далее - прибор ) меняют местами (например, при заземленном корпусе транзистора), при этом токосъемный резистор переносят в цепь коллектора.
2.2. Сопротивление токосъемного резистора выбирают из соотношения
,
где - емкость измеряемого перехода;
- угловая частота измерения.
В качестве токосъемного элемента может быть использовано входное сопротивление электронного измерителя напряжения , которое должно удовлетворять условию
.
2.3. Емкость разделительного конденсатора выбирают из соотношения
,
где - выходное сопротивление генератора сигналов.
Конденсатор отсутствует в схеме черт.1, если генератор имеет на выходе собственную разделительную емкость.
2.1-2.3. (Измененная редакция, Изм. N 2).
2.4. Выходное сопротивление генератора сигналов выбирают из соотношения
.
2.5. Емкость блокировочного конденсатора выбирают из соотношения
,
где - модуль полного сопротивления элемента для развязки.