ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменением N 1)

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

междуна- родное

1.

Прямое напряжение диода

-

-

Напряжение между выводами диода, обусловленное прямым током

2.

Обратное напряжение диода

-

-

Напряжение, приложенное к диоду в обратном направлении

3.

Прямой ток диода

-

-

Ток, протекающий через диод в прямом направлении

4.

Обратный ток диода

-

-

Ток, протекающий через диод, обусловленный обратным напряжением

5.

Предельно допустимое значение параметра полупроводникового прибора

-

-

Значение параметра, заданное в нормативно-технической документации, ограниченное возможностями данного типа прибора и обеспечивающее заданную надежность.

Примечания:

1. Предельно допустимое значение может быть максимально или минимально допустимым.

2. Если речь идет о предельно допустимом значении параметра, то к термину следует добавить слова "максимально допустимый" или "минимально допустимый", а к буквенному обозначению добавить индекс "max" или "min"

6.

Нестабильность параметра полупроводникового прибора

-

-

Модуль разности значений параметра полупроводникового прибора при воздействии дестабилизирующих факторов

7.

Эффективная температура перехода полупроводникового прибора

-

-

Температура, которая устанавливается на основе упрощенных представлений о тепловых и электрических свойствах полупроводникового прибора и не всегда является наивысшей в приборе

8.

Температура в контрольной точке полупроводникового прибора

Температура, измеренная в заданной точке на (в) корпусе прибора или в среде, окружающей или охлаждающей прибор, выбранной для контроля параметра прибора

9.

Температура корпуса полупроводникового прибора

Температура в заданной контрольной точке на (в) корпусе полупроводникового прибора

10.

Температура окружающей среды

Температура воздуха или газа, измеренная вблизи полупроводникового прибора при условии естественной конвекции и при отсутствии влияния поверхностей, излучающих тепло

11.

Температура охлаждающей среды

Температура в заданной контрольной точке среды, охлаждающей полупроводниковый прибор, или его охладителя

12.

Температура хранения

-

13.

Показатель идеальности вольт-амперной характеристики полупроводникового прибора

-

-

Параметр, характеризующий качество полупроводникового прибора и определяемый по формуле

*,

где - заряд электрона;

- постоянная Больцмана;

- температура в градусах Кельвина;      

- точки и соответствующие им напряжения на линейном участке зависимости